Главная    Ex Libris    Книги    Журналы    Статьи    Серии    Каталог    Wanted    Загрузка    ХудЛит    Справка    Поиск по индексам    Поиск    Форум   
blank
Авторизация

       
blank
Поиск по указателям

blank
blank
blank
Красота
blank
Случинская И.А. — Основы материаловедения и технологии полупроводников
Случинская И.А. — Основы материаловедения и технологии полупроводников



Обсудите книгу на научном форуме



Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter


Название: Основы материаловедения и технологии полупроводников

Автор: Случинская И.А.

Язык: ru

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Год издания: 2002

Количество страниц: 376

Добавлена в каталог: 26.11.2005

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID
blank
Предметный указатель
Акцепторы      117
Амфотерные примеси      118
Антиструктурные дефекты      91
Арсенид галлия, методы получения MOCVD      344
Арсенид галлия, методы получения с помощью газотранспортных реакций      343
Арсенид галлия, образование химической связи      62
Арсенид галлия, энергетические уровни примесей      132
Атмосферы Коттрелла      105
Атом водорода, классификация состояний      16
Атом водорода, уравнение Шредингера      16
Атом водорода, энергия состояний      16 18
Атомные радиусы      52
Атомные радиусы, ван-дер-ваальсов радиус      57
Атомные радиусы, ковалентный радиус      53
Атомные радиусы, металлический радиус      55
Вакансии      89
Вектор Бюргерса      98
Вицинальные грани      183
Включения второй фазы      116
Выращивание кристаллов из газообразной фазы      250
Выращивание кристаллов из газообразной фазы, лимитирующая стадия      254
Выращивание кристаллов из газообразной фазы, массоперенос в вакууме      251
Выращивание кристаллов из газообразной фазы, метод сублимации-конденсации      257
Выращивание кристаллов из газообразной фазы, метод химических реакций      259
Выращивание кристаллов из газообразной фазы, метод химического транспорта      261
Выращивание кристаллов из расплава      221
Выращивание кристаллов из расплава, вертикальная зонная плавка      232
Выращивание кристаллов из расплава, вытягивание кристаллов из расплава (метод Чохральского)      225
Выращивание кристаллов из расплава, горизонтальная зонная плавка      232
Выращивание кристаллов из расплава, лимитирующая стадия      221
Выращивание кристаллов из расплава, метод Бриджмена      222
Выращивание кристаллов из расплава, нормальная направленная кристаллизация      222
Выращивание кристаллов из раствора      235
Выращивание кристаллов из раствора, лимитирующая стадия      236
Выращивание кристаллов из раствора, метод движущегося растворителя      237
Выращивание кристаллов из раствора, методы роста      237
Газовая фаза      323
Германий, диффузия Cu      305
Германий, диффузия Li      304
Германий, коэффициенты диффузии различных примесей      301
Германий, методы получения, жидкостная эпитаксия      337
Германий, методы получения, метод химических реакций      339
Германий, методы получения, метод химического транспорта      841
Германий, предельная растворимость и коэффициент разделения      282
Германий, температурные зависимости растворимости примесей      313
Германий, энергетические уровни примесей      121
Двойники      113
Двойники, влияние условий выращивания      244
Деградация      88
Дефекты      87
Дефекты двумерные      87 111
Дефекты двумерные, двойники      см. «Двойники»
Дефекты двумерные, дефекты упаковки      см. «Дефекты упаковки»
Дефекты двумерные, малоугловые границы      см. «Малоугловые границы»
Дефекты линейные      см. «Дислокации»
Дефекты объемные      88 114
Дефекты объемные, включения второй фазы      116
Дефекты объемные, зональные упругие напряжения      114
Дефекты объемные, поры      115
Дефекты примеси      см. «Примеси»
Дефекты собственные      87
Дефекты упаковки      113
Дефекты упаковки, влияние условий выращивания      244
Дефекты Френкеля      89
Дефекты Шоттки      89
Дефекты, влияние условий выращивания      239
Дефекты, влияние условий выращивания неоднородности состава кристалла, обусловленные технологическими причинами      245
Дефекты, связь с условиями выращивания, канальная неоднородность      247
Дефекты, связь с условиями выращивания, концентрационное переохлаждение      248
Диаграмма состояния P — T — X      143 167
Диаграмма состояния конода      145
Диаграмма состояния с неограниченной растворимостью компонентов      145
Диаграмма состояния с неограниченной растворимостью компонентов, типы диаграмм      147
Диаграмма состояния с ограниченной растворимостью компонентов      155
Диаграмма состояния с перитектическим превращением      157
Диаграмма состояния с химическими соединениями      159
Диаграмма состояния с эвтектическим превращением      155
Диаграмма состояния, линия ликвидуса      145
Диаграмма состояния, линия солидуса      145
Диаграмма состояния, правило рычага      146
Диаграмма состояния, фигуративная точка      145
Дивакансии      91
Дислокации      87 95
Дислокации простые      96
Дислокации простые винтовые      96
Дислокации простые краевые      96
Дислокации смешанные      96 97
Дислокации, вектор Бюргерса      98
Дислокации, взаимодействие с точечными дефектами      105
Дислокации, влияние на свойства кристалла      109
Дислокации, влияние условий выращивания      240
Дислокации, линия винтовой дислокации      97
Дислокации, линия краевой дислокации      96
Дислокации, методы наблюдения      110
Дислокации, свойства      100
Дислокации, свойства, механизмы движения      101
Диффузия      283
Диффузия газов      312
Диффузия из бесконечно тонкого слоя      294
Диффузия из постоянного источника      296
Диффузия, восходящая диффузия      286
Диффузия, гетеродиффузия      284
Диффузия, гетеродиффузия, влияние состава сплава и природы диффундирующего вещества на диффузию      310
Диффузия, коэффициент диффузии      284
Диффузия, методы определения      297
Диффузия, механизм вакансионный      289
Диффузия, механизм диссоциативный      305
Диффузия, механизм междоузельный      287
Диффузия, механизм обменный      290
Диффузия, механизмы      286
Диффузия, основные параметры      292
Диффузия, самодиффузия      284
Диффузия, самодиффузия, влияние состава сплава и природы диффундирующего вещества на диффузию      309
Диффузия, термодиффузия      286
Диффузия, электродиффузия      286
Доноры      117
Зародыш      173
Зонная плавка      232
Изоэлектронные лримеси      120
Инконгруэнтно плавящиеся соединения      160
Ионная связь      30
Ионная связь, поляризуемость ионов      31
Ионная связь, постоянная Маделунга      30
Ионная связь, пределы устойчивости структур      32
Ионные радиусы      52 54
Ковалентная связь      24
Ковалентная связь, гибридные орбитали      38
Ковалентная связь, длина связи и углы между связями      37
Ковалентная связь, направленность      37
Ковалентная связь, насыщаемость      37
Ковалентная связь, правило Юм-Розери      37
Конгруэнтно плавящиеся соединения      159
Конденсация      171
Коэффициент разделения примесей      195
Коэффициент разделения примесей равновесный      196
Коэффициент разделения примесей равновесный в Ge и Si      196
Коэффициент разделения примесей равновесный в полупроводниковых соединениях      200
Коэффициент разделения примесей равновесный, метод определения      196
Коэффициент разделения примесей эффективный      201
Коэффициент термической аккомодации      324
Кремний, диффузия различных примесей      301
Кремний, методы получения, метод химических реакций      339
Кремний, методы получения, метод химического транспорта      442
Кремний, предельная растворимость и коэффициент разделения      282
Кремний, энергетические уровни примесей      121
Кристаллизации в неравновесных условиях      162
Кристаллизация      171
Критический зародыш      17 1
Критическое пересыщение      178
Легирование      264
Легирование в процессе роста из жидкой фазы      266
Легирование в процессе роста из жидкой фазы, методы выравнивания состава вдоль кристалла      268
Легирование в процессе роста из жидкой фазы, требования к чистоте легирующих примесей      282
Легирование радиационное      264
Легирование, ионная имплантация      265
Ликвация внутрикристаллическая      164
Лимитирующая стадия роста      221
Линия ликвидуса      145
Линия солидуса      145
Малоугловые границы      111
Малоугловые границы, влияние условий выращивания      243
Междоузельные атомы      89
Метастабильная фаза      166
Методы определения коэффициентов диффузии      297
Методы определения коэффициентов диффузии, метод электронно-дырочного перехода      298
Методы очистки      190
Методы очистки химические      191
Методы очистки, вертикальная бестигельная зонная плавка      215
Методы очистки, зонная плавка      205
Методы очистки, контроль чистоты материала      215
Методы очистки, нормальная направленная кристаллизация      205
Методы эпитаксии      336
Механизм роста нормальный      186
Механизм роста послойный      184
Механизм роста слоисто-спиральный      186
Молекулярная связь, силы Ван-дер-Ваальса      34
Неограниченная растворимость компонентов друг в друге      145
Несингулярные грани      183
Образование зародышей новой фазы гетерогенное      1&0
Образование центров новой фазы гомогенное      173
Орбиталь атомная      17
Орбиталь атомная d-типа      17 19
Орбиталь атомная f-типа      17 19
Орбиталь атомная p-типа      17 19
Орбиталь атомная s-типа      17 19
Орбиталь молекулярная      24
Орбиталь молекулярная $\pi$-типа      26
Орбиталь молекулярная $\sigma$-типа      26
Орбиталь молекулярная разрыхляющая      25
Орбиталь молекулярная связывающая      25
Параметр ближнего порядка      153
Параметр дальнего порядка      152
Паровая фаза      323
Переохлаждение      171
Пересыщение      171
Поверхностный псевдоморфизм      333
Полупроводниковые соединения      57
Полупроводниковые соединения, закономерности образования бинарных соединений      72
Полупроводниковые соединения, закономерности образования бинарных соединений правило нормальных валентностей      73
Полупроводниковые соединения, закономерности образования бинарных соединений, правило Музера — Пирсона      73
Полупроводниковые соединения, изоэлектронные ряды      66
Полупроводниковые соединения, равновесная ионность полупровод кикового соединения      63
Полупроводниковые соединения, степень ионности полупроводникового соединения      63
Полупроводниковые соединения, химическая связь в $A^NB^{8-N}$      62
Полупроводниковые соединения, химические связи в полупроводниках $A^{IV}B^{VI}$      81
Полупроводниковые соединения, химические связи в полупроводниках $A_2^VB_3^{VI}$      82
Полупроводниковые соединения, химические связи в полупроводниках, производных от $A^NB^{8-N}$      71
Полупроводниковые соединения, химические связи в полупроводниках, производных от $A^NB^{8-N}$, соединения с дефектной структурой      80
Полупроводниковые соединения, химические связи в полупроводниках, производных от $A^NB^{8-N}$, соединения с резонансными связями      78
Полупроводниковые соединения, эффективные заряды      64
Получение кристаллов из жидкой фазы      219
Поры      115
Правило Клечковского      22
Правило Хунда      22
Примеси      116
Примеси в полупроводниковых соединениях      132
Примеси в элементарных полупроводниках      120
Примеси внедрения      116
Примеси замещения      116
Примеси электрически активные      116 121
Примеси электрически активные амфотерные      117
Примеси электрически активные много зарядные      117
Примеси электрически активные простые      117
Примеси электрически активные, акцепторы      117
Примеси электрически активные, доноры      117
Примеси электрически неактивные      116 130
Примеси электрически неактивные изоэлектронные      120
Примеси, комплексообразование      137
Принцип Паули      22
Расплав      219
Распределение примесей при зонной плавке      209
Распределение примесей при нормальной направленной кристаллизации      207
Раствор      219
Раствор, растворитель      235
Раствор, растворяемое вещество      235
Растворимость      278
Растворимость газов      312
Растворимость предельная      278
Растворимость предельная электрически активной примеси      279
Растворимость ретроградная      316
Растворимость ретроградная, выделение второй фазы      318
Растворимость, температурные зависимости      313
Рост эпитаксиальных пленок из газообразной фазы      323
Рост эпитаксиальных пленок из газообразной фазы, механизмы      323
Рост эпитаксиальных пленок из газообразной фазы, механизмы, пар (газ) — жидкость — кристалл      329
Рост эпитаксиальных пленок из газообразной фазы, механизмы, пар (газ) — кристалл      323
Рост эпитаксиальных пленок из газообразной фазы, молекулярно-кинетический подход      327
Рост эпитаксиальных пленок из газообразной фазы, термодинамический подход      326
Сингулярные грани      183
Скорость образования центров новой фазы      176
Скрытая теплота кристаллизации      142
Соединения      74
Степень ионности связи      60
Твердые растворы      74
Твердые растворы, внедрения      75
Твердые растворы, вычитания      75
Твердые растворы, замещения      74
Твердые растворы, правило Вегарда      76
Твердые растворы, упорядочение      151
Термодинамическая система гетерогенная      140
Термодинамическая система гомогенная      140
Термодинамическая система, изменение термодинамического потенциала при смешении      148
Термодинамическая система, компонент системы      140
Термодинамическая система, число степеней свободы      142
Точечные дефекты      87 89
Точечные дефекты антиструктурные      91
Точечные дефекты по Френкелю      89
Точечные дефекты по Шоттки      89
Точечные дефекты, вакансии      89
Точечные дефекты, влияние условий выращивания      239
Точечные дефекты, дивакансии      91
Точечные дефекты, комплексы      91
Точечные дефекты, междоузелъные атомы      89
Точечные дефекты, механизмы образования      92
Тройные полупроводниковые соединения      84
Тройные полупроводниковые соединения, закономерности образования      85
Тройные полупроводниковые соединения, закономерности образования соединений с алмазоподобной структурой      86
Упорядочение в твердых растворах      151
Фазовое равновесие, диаграммы      139
Фазовое равновесие, понятие термодинамической системы      139
Фазовое равновесие, понятие фазы      140
Фазовое равновесие, правило Гиббса      141
Химическая связь      22
Химическая связь, водородная связь      36
Химическая связь, ионная связь      30
Химическая связь, классификация      24
Химическая связь, ковалентная связь      24
Химическая связь, металлическая связь      33
Химическая связь, молекулярная связь      34
Химическая связь, энергия      23
Центр кристаллизации      173
Центр новой фазы      173
Электроотрицательность элементов      57
Электроотрицательность элементов, потенциал ионизации      58
Электроотрицательность элементов, сродство атома к электрону      58
Электроотрицательность элементов, шкала по Малликену      57
Электроотрицательность элементов, шкала по Полингу      58
Элементарные полупроводники      42
Элементарные полупроводники, бор      51
Элементарные полупроводники, висмут      48
1 2
blank
Реклама
blank
blank
HR
@Mail.ru
       © Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ, 2004-2020
Электронная библиотека мехмата МГУ | Valid HTML 4.01! | Valid CSS! О проекте