|
|
 |
| Авторизация |
|
|
|
| Поиск по указателям |
|
|
|
|
|
|
|
 |
|
|
|
| Случинская И.А. — Основы материаловедения и технологии полупроводников |
|
|
|
| Предметный указатель |
Элементарные полупроводники, германий 46
Элементарные полупроводники, йод 51
Элементарные полупроводники, кремний 46
Элементарные полупроводники, мышьяк 48
Элементарные полупроводники, олово 46
Элементарные полупроводники, селен 49
Элементарные полупроводники, сера 49
Элементарные полупроводники, сурьма 48
Элементарные полупроводники, теллур 50
Элементарные полупроводники, углерод (алмаз) 43
Элементарные полупроводники, фосфор 47
Эпитаксия 320
| Эпитаксия жидкостная 336
Эпитаксия из газообразной фазы 338
Эпитаксия из газообразной фазы, метод газотранспортных, реакций 341
Эпитаксия из газообразной фазы, метод химических реакций 139
Эпитаксия из газообразной фазы, рост из газовой фазы с использованием металлорганических соединений (MOCVD) 344
Эпитаксия, гетероэпитаксия 320 333
Эпитаксия, гомоэпитаксия 320
Эпитаксия, методы 336
Эпитаксия, рост из паровой фазы 351
Эпитаксия, рост из паровой фазы, метод горячей стенки 353
Эпитаксия, рост из паровой фазы, молекулярно-лучевая эпитаксия (МВЕ) 355
Эпитаксия, структурные дефекты в пленках 335
|
|
|
| Реклама |
|
|
|
|
|
О проекте