Главная    Ex Libris    Книги    Журналы    Статьи    Серии    Каталог    Wanted    Загрузка    ХудЛит    Справка    Поиск по индексам    Поиск    Форум   
blank
Авторизация

       
blank
Поиск по указателям

blank
blank
blank
Красота
blank
Пасынков В.В., Чиркин Л.К. — Полупроводниковые приборы
Пасынков В.В., Чиркин Л.К. — Полупроводниковые приборы



Обсудите книгу на научном форуме



Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter


Название: Полупроводниковые приборы

Авторы: Пасынков В.В., Чиркин Л.К.

Аннотация:

В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники.
В 4-м издании (3-е - 1981 г.) переработан материал, относящийся к диодам, тиристорам и другим приборам.


Язык: ru

Рубрика: Технология/

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Издание: Четвертое, переработанное и дополненное

Год издания: 1987

Количество страниц: 479

Добавлена в каталог: 22.09.2007

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID
blank
Предметный указатель
Активная часть базы транзистора      193
Активный режим работы транзистора      193 195
Акцептор      16
Атомная батарея      397
Атомный электроэлемент      397
База полупроводникового прибора      44 76 193 280
Барьерная емкость p-n-перехода      59
Бездрейфовый транзистор      194
Безызлучательная рекомбинация      11
Биполярный транзистор      192
Биполярный транзистор с диодом Шотки      340
Блок выпрямительный      143
Блок термоэлектрический полупроводниковый      429
Болометр полупроводниковый      407
Быстрое поверхностное состояние      38
Валентная зона      7
Варикап      184
Варнстор      414
Ветвь термоэлемента      428
Видность      368
Внедрение ионное      50
Внезапный отказ      188
Время жизни неравновесных носителей заряда      17 38
Время пролета неосновных носителей заряда через базу диода      99
Время пролета неосновных носителей заряда через базу транзистора      227 249
Вторичный пробой в транзисторе      217
Вынужденная рекомбинация      33
Выпрямитель селеновый      145
Выпрямительный полупроводниковый блок      143
Выпрямительный полупроводниковый диод      138
Выпрямительный полупроводниковый столб      142
Вырожденный полупроводник      12
Высокий уровень инжекции в базе диода      122
Высокий уровень инжекции в базе транзистора      208
Высота потенциального барьера p-n-перехода      43
Генератор Ганна      352
Генератор оптический квантовый      373
Генератор с ограничением накопления объемного заряда      359
Генератор термоэлектрический      433
Генерационный ток      101
Генерация носителей заряда      9
Генерация носителей заряда световая      9
Генерация носителей заряда тепловая      9
Гетеропереход      68
Гибридная интегральная микросхема      334
Горизонтальный транзистор      339
Граничная частота коэффициента передачи тока базы транзистора      255
Двуханодный стабилитрон      170
Демаркационный энергетический уровень      19
Диак      292
Динистор      280
Диод выпрямительный      138
Диод Ганна      352
Диод детекторный      164
Диод импульсный      148
Диод инфракрасный излучающий      362
Диод лавинно-пролетный      173
Диод лавинный      140
Диод обращенный      183
Диод переключательный      165
Диод плоскостной      77
Диод полупроводниковый      76
Диод с резким восстановлением обратного сопротивления      156
Диод с толстой базой      86
Диод с тонкой базой      88
Диод сверхвысокочастотный      156 160
Диод светоизлучающий      366
Диод смесительный      160
Диод точечный      77
Диод туннельный      177
Диод частотный      141
Диод Шотки      152
Диод шумовой      172
Диск Корбино      453
Диффузионная длина      22
Диффузионная емкость базы транзистора      237 240
Диффузионная емкость диода      91 95 96
Диффузионная емкость коллектора транзистора      237 241
Диффузионная емкость эмиттера транзистора      237 239
Диффузионное сопротивление базы транзистора      236 239
Диффузионное электрическое поле      41
Диффузионный p-n-переход      48
Диффузионный конденсатор      348
Диффузионный резистор      344
Диффузия носителей заряда      21
Длина диффузионная      22
Длина свободного пробега носителя заряда      23
Дно разрешенной энергетической зоны      7
Донор      16
Дрейф носителей заряда      20
Дрейфовый транзистор      194
Дробовые шумы      262
Дырочно-дырочный переход      63
Закон действующих масс      17
Запрещенная зона      7
Затвор полевого транзистора      302
Зона валентная      7
Зона запрещенная      7
Зона примесная      16
Зона проводимости      7
Зона разрешенная      7
Зона свободная      7
Зона энергетическая      7
Избыточная концентрация носителей заряда      9
Избыточные шумы      262
Излучатель полупроводниковый      361
Излучатель электролюминесцентный пленочный      372
Излучатель электролюминесцентный порошковый      370
Излучательная рекомбинация      11
Имплантация ионная      50
Импульсный диод      148
Инверсия населенности энергетических уровней      374
Инверсное включение транзистора      193
Инверсный слой      36
Индикатор знаковый полупроводниковый      366
Инжекция неосновных носителей заряда      44
Интегральная микросхема      333
Интегральная микросхема аналоговая      335
Интегральная микросхема гибридная      334
Интегральная микросхема логическая      335
Интегральная микросхема оптоэлектронная      339
Интегральная микросхема полупроводниковая      333
Интегральная микросхема цифровая      335
Инфракрасный излучающий диод      362
Ионизация ударная      27
Ионная имплантация      50
Ионное внедрение      50
Исток полевого транзистора      302
Канал в полевом транзисторе      302
Канал поверхностной электропроводности      121
Катастрофический отказ      188 275
Катодолюминесценция      33
Квазиуровень Ферми для электронов (дырок)      19
Квантовая эффективность генерации носителей      34
Коллектор      193
Коллекторный переход      193
Комплементарные полевые транзисторы      302
Компонент интегральной микросхемы      334
Конверсионный p-n-переход      49
Конденсатор диффузионный      348
Конденсатор МДП      349
Конденсатор пленочный      350
Контакт металла с полупроводником      65
Контакт металлургический      41
Контакт полупроводников с одним типом электропроводности      62
Контактная разность потенциалов      42
Концентрация носителей заряда избыточная      9
Концентрация носителей заряда неравновесная      9
Концентрация носителей заряда равновесная      9
Концентрация носителей заряда собственная      14
Корпускулярно-преобразовательный прибор      394
Коэффициент выпрямления      73
Коэффициент диффузии      22
Коэффициент лавинного размножения      104
Коэффициент нелинейности      74 416
Коэффициент нормированный      161
Коэффициент Пельтье      432
Коэффициент передачи тока базы одномерной теоретической модели транзистора      238
Коэффициент передачи тока эмиттера одномерной теоретической модели транзистора      236
Коэффициент переноса      237
Коэффициент термо-ЭДС      431
Коэффициент ударной ионизации      27
Коэффициент усиления фоторезистора      378
Коэффициент Холла      444
Коэффициент шума      161 263
Крутизна характеристики полевого транзистора      306 321
Лавинно-пролетный диод      173
Лавинный диод      140
Лавинный пробой p-n-перехода      104 215
Лазер полупроводниковый      373
Линейная рекомбинация      18
Ловушка захвата      19
Ловушка рекомбинационная      10 19
Люминесценция      33
Магнитодиод      454
Магниторезистивный эффект      442 445
Магниторезистор      453
Магнитотранзистор      455
Максимальная частота генерации транзистора      256
Масса эффективная носителя заряда      14 30
МДП-конденсатор      349
МДП-структура      312
МДП-транзистор      313
МДП-транзистор с индуцированным каналом      313 314
МДП-транзистор со встроенным каналом      314 318
Медленное поверхностное состояние      38
Межзонная рекомбинация      9
Мезаструктура      268
Металлургический контакт      41
Микросхема интегральная      333
Микросхема интегральная аналоговая      335
Микросхема интегральная гибридная      334
Микросхема интегральная логическая      335
Микросхема интегральная оптоэлектронная      399
Микросхема интегральная полупроводниковая      333
Микросхема интегральная цифровая      335
Микроэлектроника      332
Модель транзистора одномерная теоретическая      235
Модуляция сопротивления базы диода      126 133 134
МОП-транзистор      313
Набор диодов      151
Напряжение обратное      44
Напряжение прямое      44
Наращивание эпитаксиальное      49
Начальный ток коллектора      210
Начальный эмиттера      210
Невырожденный полупроводник      12
Непосредственная рекомбинация      9
Непрямой переход электронов      32
Неравновесная концентрация носителей заряда      9
Несимметричный p-n-переход      50
Низкий уровень инжекции      122
Нормальное включение транзистора      193
Нормированный коэффициент шума      161
Обедненный слой      36
Обогащенный слой      36
Обратное направление для p-n-перехода      77
Обратное напряжение      44
Обратный ток коллектора      211
Обратный ток эмиттера      211
Обращенный диод      183
Одномерная теоретическая модель транзистора      235
Однопереходный транзистор      272
Омический переход      64 65 71
Оптический квантовый генератор      373
Оптопара      398
Оптоэлектронная интегральная микросхема      399
Оптоэлектронный полупроводниковый прибор      361
Отказ внезапный      188
Отказ катастрофический      188 275
Отказ постепенный      188
Отказ условный      188 276
Пассивная часть базы транзистора      193
Переключатель на аморфном полупроводнике      421
Переключательный диод      165
Переход дырочно-дырочный      63
Переход омический      64 65 71
Переход Шотки      65
Переход электрический      70
Переход электронно-дырочный      41
Переход электронно-дырочный диффузионный      48
Переход электронно-дырочный коллекторный      193
Переход электронно-дырочный конверсионный      49
Переход электронно-дырочный несимметричный      50
Переход электронно-дырочный плавный      50
Переход электронно-дырочный пленарный      48
Переход электронно-дырочный резкий      50
Переход электронно-дырочный симметричный      50
Переход электронно-дырочный сплавной      48
Переход электронно-дырочный эмиттерный      193
Переход электронно-дырочный эпитаксиальный      49
Переход электронно-электронный      63
Переход электронов непрямой      32
Переход электронов прямой      32
Периферическая часть базы транзистора      193
ПЗС (прибор с зарядовой связью)      322
Пластина контактная      428
Плотность упаковки      333
Поверхностная рекомбинация      10 38
Поверхностно-зарядовый транзистор      330
Поверхностное состояние быстрое      38
Поверхностное состояние медленное      38
Поверхностный пробой p-n-перехода      121
Поглощение фотонов      31
Поглощение фотонов носителями заряда      31
Поглощение фотонов примесное      31
Поглощение фотонов собственное      31
Подвижность носителей заряда      21
Позистор      409
Показатель поглощения      32
Поле электрическое диффузионное      41
Полевой транзистор      301
Полевой транзистор с изолированным затвором      312
Полевой транзистор с управляющим переходом      301
Полупроводник n-типа      16
Полупроводник p-типа      16
Полупроводник вырожденный      12
Полупроводник невырожденный      12
Полупроводник примесный      15
Полупроводник скомпенсированный      16
Полупроводник собственный      13
Полупроводниковая интегральная микросхема      333
Полупроводниковая термобатарея      428
Полупроводниковая шкала      367
Полупроводниковое термоэлектрическое устройство      428
Полупроводниковый болометр      407
Полупроводниковый гальвано-магнитный прибор      442
Полупроводниковый диод      76
Полупроводниковый знаковый индикатор      366
Полупроводниковый излучатель      361
Полупроводниковый излучающий элемент      366
Полупроводниковый лазер      373
Полупроводниковый прибор отображения информации      362
Полупроводниковый прибор с зарядовой связью      322
Полупроводниковый приемник излучения      362
Полупроводниковый приемник проникающей радиации      394
Полупроводниковый светоизлучающий диод      366
Полупроводниковый стабилитрон      167
Полупроводниковый тепловой насос      432 438
Полупроводниковый термоэлектрический блок      429
1 2
blank
Реклама
blank
blank
HR
@Mail.ru
       © Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ, 2004-2020
Электронная библиотека мехмата МГУ | Valid HTML 4.01! | Valid CSS! О проекте