Главная    Ex Libris    Книги    Журналы    Статьи    Серии    Каталог    Wanted    Загрузка    ХудЛит    Справка    Поиск по индексам    Поиск    Форум   
blank
Авторизация

       
blank
Поиск по указателям

blank
blank
blank
Красота
blank
Пасынков В.В., Чиркин Л.К. — Полупроводниковые приборы
Пасынков В.В., Чиркин Л.К. — Полупроводниковые приборы



Обсудите книгу на научном форуме



Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter


Название: Полупроводниковые приборы

Авторы: Пасынков В.В., Чиркин Л.К.

Аннотация:

В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники.
В 4-м издании (3-е - 1981 г.) переработан материал, относящийся к диодам, тиристорам и другим приборам.


Язык: ru

Рубрика: Технология/

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Издание: Четвертое, переработанное и дополненное

Год издания: 1987

Количество страниц: 479

Добавлена в каталог: 22.09.2007

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID
blank
Предметный указатель
Полупроводниковый фотодиод      384
Полупроводниковый фотоэлемент      389
Полупроводниковый холодильник      432 438
Полупроводниковый экран      367
Постепенный отказ      188
Потолок разрешенной зоны      7
Предельная частота коэффициента передачи тока базы      255
Предельная частота коэффициента передачи тока эмиттера      254
Преобразователь Холла      447
Прибор отображения информации полупроводниковый      362
Прибор полупроводниковый оптоэлектронный      361
Прибор с зарядовой связью      322
Приемник излучения полупроводниковый      362
Примесная зона      16
Примесный полупроводник      15
Пробивное напряжение диода      104
Пробой диода      103
Пробой диода лавинный      104
Пробой диода по дефектам      110
Пробой диода поверхностный      121
Пробой диода тепловой      113
Пробой диода туннельный      111
Пробой транзистора      214
Пробой транзистора вторичный      217
Проводимость удельная      21
Прямое направление для p-n-перехода      76
Прямое напряжение      44
Прямой переход электронов      32
Работа выхода электронов      65
Равновесная концентрация электронов (дырок)      9
Разность потенциалов контактная      42
Разрешенная энергетическая зона      7
Режим работы транзистора активный      193 195 200
Режим работы транзистора насыщения      192 199 203
Режим работы транзистора отсечки      192 199 204
Резистор диффузионный      344
Резистор пленочный      347
Резкий p-n-переход      50
Рекомбинационный ток      103
Рекомбинация безызлучательная      11
Рекомбинация вынужденная      33
Рекомбинация излучательная      11
Рекомбинация линейная      18
Рекомбинация межзонная      9
Рекомбинация непосредственная      9
Рекомбинация поверхностная      10 38
Рекомбинация с участием рекомбинационных ловушек      10 19
Рекомбинация самопроизвольная      33
Рекомбинация спонтанная      33
Рекомбинация стимулированная      33
Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод      156 160
Световая генерация носителей заряда      9
Светоизлучающий диод (СИД)      366
Свободная зона (энергетическая)      7
СВЧ-диод      160
Симметричный тиристор      292
Скомпенсированный полупроводник      16
Скорость поверхностной рекомбинации      38
Скорость рекомбинации на омическом переходе      71
Слой инверсный      36
Слой обедненный      36
Слой обогащенный      36
Смесительный полупроводниковый диод      160
Смыкание переходов транзистора      215
Собственная концентрация носителей заряда      14
Собственный полупроводник      13
Соотношение Энштейна      23
Сопротивление базы транзистора диффузионное      236 239
Сопротивление базы транзистора объемное      242 246
Сопротивление коллектора      236 240
Сопротивление насыщения транзистора      214
Сопротивление омического перехода      72
Сопротивление омического перехода удельное      73
Сопротивление растекания      150
Сопротивление слоя удельное      40
Сопротивление эмиттера      236 238
Спай термоэлемента      428
Сплавной p-n-переход      48
Стабилитрон      167
Стабилитрон двуханодный      170
Стабилитрон термокомпенсированный      168
Стабистор      171
Статический коэффициент передачи тока базы транзистора      211
Статический коэффициент передачи тока эмиттера транзистора      214
Степень интеграции      333
Сток полевого транзистора      302
Столб выпрямительный полупроводниковый      142
Тепловая генерация носителей заряда      9
Тепловой пробой диода      113
Тепловые шумы      262
Термистор      401
Термистор косвенного подогрева      408
Термистор прямого подогрева      401
Термобатарея полупроводниковая      428
Термокомпенсированный стабилитрон      168
Терморезистор      401
Термоэлектрический генератор      433
Термоэлектродвижущая сила (термо-ЭДС)      429
Термоэлемент      428
Тиристор      280
Тиристор диодный      280
Тиристор проводящий в обратном направлении      290
Тиристор с зашунтированным эмиттерным переходом      287
Тиристор симметричный      292
Тиристор триодный      288
Ток генерационный      101
Ток коллектора начальный      210
Ток насыщения      80
Ток рекомбинационный      103
Ток эмиттера начальный      210
Точечный диод      77
Транзистор биполярный      192
Транзистор биполярный бездрейфовый      194
Транзистор биполярный боковой      339
Транзистор биполярный горизонтальный      339
Транзистор биполярный дрейфовый      194
Транзистор биполярный интегральный      338
Транзистор биполярный мезапланарный      268
Транзистор биполярный многоколлекторный      340
Транзистор биполярный планарный      265
Транзистор биполярный с диодом Шотки      340
Транзистор биполярный сплавной      265
Транзистор биполярный эпитаксиально-планарный      265
Транзистор однопереходный      272
Транзистор полевой      301
Транзистор полевой поверхностно-зарядовый      330
Транзистор полевой с изолированным затвором      312
Транзистор полевой с индуцированным каналом      313 314
Транзистор полевой с управляющим переходом      301
Транзистор полевой со встроенным каналом      314 318
Триак      292
Тринистор      288
Туниелироваине носителей заряда      27
Туннельный диод      177
Туннельный пробой p-n-перехода      111
Угол Холла      444
Ударная ионизация      27
Удельная проводимость полупроводника      21
Удельное сопротивление омического перехода      73
Удельное сопротивление слоя      40
Уравнение непрерывности      82
Уравнение Пуассона      50
Уравнение токов      23
Уровень инжекции высокий      122
Уровень инжекции низкий      122
Уровень инжекции средний      122
Уровень энергетический демаркационный      19
Уровень энергетический ловушки захвата      18
Уровень энергетический ловушки рекомбинационной ловушки      10 19
Уровень энергетический поверхностный      36
Уровень энергетический Ферми      11
Условие лавинного пробоя p-n-перехода      106
Условие электрической нейтральности p-n-перехода      52
Условный отказ      188 276
Физическая эквивалентная схема транзистора      235 245
Формальная эквивалентная схема транзистора      234
Фотодиод      384
Фотолюминесценция      33
Фоторезистивный эффект      34
Фоторезистор      378
Фототиристор      393
Фототранзистор      392
Фотоэлемент      389
Холодильник полупроводниковый      432 438
Частотный диод      141
Часть базы транзистора активная      193
Часть базы транзистора пассивная      193
Часть базы транзистора периферическая      193
Ширина запрещенной зоны      8
Шкала полупроводниковая      367
Шумовое отношение      161
Шумовой диод      172
Шумы дробовые      262
Шумы избыточные      262
Шумы тепловые      262
Эдс Дембера      35 125
Экран полупроводниковый      367
Экстракция носителей заряда      44
Электрический переход      70
Электролюминесцентный пленочный излучатель      372
Электролюминесцентный порошковый излучатель      370
Электролюминесценция      33
Электронно-дырочный переход      41
Электронно-электронный переход      63
Электроэлемент атомный      397
Элемент излучающий полупроводниковый      366
Элемент интегральной микросхемы      334
Элемент памяти на аморфном полупроводнике      424
Эмиттер      193
Эмиттерный p-n-переход      193
Энергетическая зона      8
Энергетический уровень ловушки захвата      18
Энергетический уровень рекомбинационной ловушки      10
Энергия ионизации донора (акцептора)      16
Энергия сродства к электрону      69
Эпитаксиальное наращивание      49
Эпитаксиальный p-n-переход      49
Эффект Ганна      354
Эффект Гаусса      442
Эффект Зеебека      429
Эффект магниторезистивный      442 445
Эффект Пельтье      432
Эффект расширения базы транзистора      209
Эффект фоторезистивный      34
Эффект Холла      442
Эффективная масса носителя заряда      14 30
Эффективность генерации квантовая      34
Эффективность коллектора      237
Эффективность эмиттера      237
«Разогрев» носителей заряда      28
1 2
blank
Реклама
blank
blank
HR
@Mail.ru
       © Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ, 2004-2024
Электронная библиотека мехмата МГУ | Valid HTML 4.01! | Valid CSS! О проекте