Разработка любой, даже самой несложной интегральной схемы (ИС) невозможна без наличия математической модели, описывающей ее работу. Более того, уровень развития математическогомоделирования элементов интегральных схемитехнологических процессов в значительной степени определяет уровень развития микроэлектроники. По мере ужесточения требований к характеристикам ИС и к технологии их изготовления возникает необходимость и в усложнении соответствующих математических моделей. Однако без понимания принципов и методов построения простых моделей трудно разобраться в проблемах современного моделирования элементов ИС и найти пути их решения. Настоящее методическое пособие является следующей частью цикла пособий по моделированию элементов ИС. Напомним, что в первой части былирассмотрены общие принципы и этапы моделирования структур элементов ИС, а также основные приближения, используемые на этапе структурно-физического моделирования. В настоящем пособии продемонстрировано построение одномерной математической модели полупроводниковой структуры в диффузионно-дрейфовом приближении и обсуждены методы и алгоритмы решения полученных уравнений.