Главная    Ex Libris    Книги    Журналы    Статьи    Серии    Каталог    Wanted    Загрузка    ХудЛит    Справка    Поиск по индексам    Поиск    Форум   
blank
Авторизация

       
blank
Поиск по указателям

blank
blank
blank
Красота
blank
Смит Р. — Полупроводники
Смит Р. — Полупроводники



Обсудите книгу на научном форуме



Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter


Название: Полупроводники

Автор: Смит Р.

Аннотация:

Учебное пособие известного английского физика Р. Смита, представляющее собой второе, переработанное и дополненное изданне курса физики полупроводников (М.: ИЛ, 1962). С большим педагогическнм мастерством и на высоком научном уровне излагаются основы современной теории электрических, гальваномагнитных, тепловых, оптических и контактных явлений в полупроводниках.
Для аспирантов и студентов университетов и технических вузов, а также для ученых и инженеров, занимающихся исследованием полупроводников и разработкой полупроводниковых приборов.


Язык: ru

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Издание: 2-е издание, переработанное и дополненное.

Год издания: 1982

Количество страниц: 560

Добавлена в каталог: 10.02.2006

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID
blank
Предметный указатель
Аккумуляция носителей заряда      231—232 250
Акцептор      35 82 83
Акцептор неионизованный, равновесная концентрация      116
Алмаз      32
Антимонид индия      468—471
Антимонид индия аморфный      536
Антимонид индия, вымораживание носителей      455 456
Антимонид индия, детекторы ИК-излучения      378 456
Антимонид индия, константа взаимодействия $\alpha$      284
Антимонид индия, лазеры на перевороте спина      521
Антимонид индия, поглощение двухфотонное      362
Антимонид индия, поглощение собственное      349 350
Антимонид индия, сдвиг зон в магнитном поле      333 334
Антрацен      687
Арсенид галлия      468—471
Арсенид галлия аморфный      536
Арсенид галлия, константа взаимодействия $\alpha$      284
Арсенид галлия, лазеры      518
Арсенид галлия, магнитосопротивление      454
Арсенид галлия, светодиоды      404
Арсенид галлия, экситоны      365 404
Арсенид галлия, электропоглощение      398
Арсенид галлия, эффекты сильного электрического поля      433—438
Барьер потенциальный      33 242 250 253 258 265
Барьер Шоттки      266 (см. также «Контакт «металл-полупроводник»»)
Биэкситон      492—493
Вакансия      65 66 86—92
Вакансия анионная      87
Вакансия двойная (дивакансия)      92
Вакансия катионная      87
Валентность      31 74 78
Валентность скомпенсированная      32 71 476
Вектор волновой      41 44
Вектор обратной решетки      414
Вмораживание дефектов      66
Внедрение ионное      92
Возбуждение тепловое      34—36 54
Волны звуковые      272 273
Волны плоские      41
Вращение фарадеево      340
Время жизни      224
Время жизни в Ge      303 304
Время жизни в Te      303
Время жизни в нитевидных образцах      320—324
Время жизни неосновных носителей      210
Время жизни, измерения      460
Время релаксации      125 126
Время релаксации легких дырок      282
Время релаксации объемного заряда      207 210 437 489
Время релаксации усредненное      142—144
Время релаксации, зависимость от энергии      145—149
Время релаксации, не зависящее от энергии      127
Время релаксации, тензор      149 269
Вымораживание носителей      455 456
Вымораживание носителей в InSb      456
Выпрямитель      21
Выпрямитель кремниевый      21 246
Выпрямитель меднозакисный (купроксный)      21
Выпрямитель с p-n-переходом      243 259
Выпрямитель с гетеропереходом      266
Выпрямитель селеновый      21
Выпрямление      16 21 22 43 259 266
Выращивание кристаллов      459
Вырождение      101 105 106 110 197
Вырождение спиновое примесного уровня      102
Галенит      20 22
Галлий-алюминий-мышьяк      518
Галогениды щелочных металлов      20 71 89
Германий, кремний      16 18 22 23 50 53 69 461—465 531—535
Германий, кремний аморфные      526 531—535
Германий, кремний аморфные, p-n-переходы      533
Германий, кремний аморфные, изготовление      533
Германий, кремний аморфные, коэффициент поглощения      534 535
Германий, кремний аморфные, плотность состояний      533 534
Германий, кремний аморфные, поглощение собственное      534
Германий, кремний аморфные, подвижность носителей      525 526 533
Германий, кремний аморфные, уровень Ферми      532
Германий, кремний аморфные, эффект поля      534
Германий, кремний сильнолегированные      506
Германий, кремний собственные, концентрация носителей      108 112
Германий, кремний собственные, удельное сопротивление      464
Германий, кремний, время жизни      311 313 314
Германий, кремний, капли электронно-дырочные      493—496
Германий, кремний, картина связей      76 77
Германий, кремний, магнитосопротивление      165 170 454
Германий, кремний, массы эффективные      447 462 463
Германий, кремний, отщепление спин-орбитальное      335
Германий, кремний, переходы непрямые      358 359
Германий, кремний, переходы прямые      350 351
Германий, кремний, поглощение в далекой ИК-области      336 337
Германий, кремний, поглощение в магнитном поле      447—450
Германий, кремний, поглощение двухфотонное      362 363
Германий, кремний, поглощение решеточное      374—376
Германий, кремний, подвижность носителей      127 434
Германий, кремний, подвижность носителей в сильном магнитном поле      428 429
Германий, кремний, подвижность носителей при высоком давлении      511
Германий, кремний, применение в технике      21—24
Германий, кремний, примесь водорода      86
Германий, кремний, примесь водородоподобная      84 85
Германий, кремний, пробой лавинный      433
Германий, кремний, проницаемость диэлектрическая      84
Германий, кремний, расплав, свойства      465
Германий, кремний, резонанс циклотронный      342 445
Германий, кремний, резонанс электронно-спиновый      373
Германий, кремний, рекомбинация      313 314
Германий, кремний, скорость дрейфовая (в сильном поле)      431 438
Германий, кремний, скорость поверхностной рекомбинации      319
Германий, кремний, спектр электроотражения      400
Германий, кремний, сплав      465
Германий, кремний, структура зонная      461 462
Германий, кремний, структура кристаллическая      75 511
Германий, кремний, темп излучательной рекомбинации      303 304
Германий, кремний, температура плавления      458
Германий, кремний, теплопроводность      180
Германий, кремний, уровни примесей      465
Германий, кремний, условия вырождения      111
Германий, кремний, фононы      358
Германий, кремний, фотопроводимость внутризонная      391
Германий, кремний, ширина запрещенной зоны      76 447
Германий, кремний, ширина запрещенной зоны, зависимость от температуры      463 464
Германий, кремний, экситон      96 97
Германий, кремний, экситон «непрямой»      367 368
Германий, кремний, экситон «прямой»      351 364 365
Германий, кремний, экситон, энергия связи      368 494
Германий, кремний, эффект Бурштейна — Мосса      502
Германий, кремний, эффект увлечения      396
Германий, кремний, эффекты междолинного переброса электронов      438
Гетеропереход      263—266 518
Границы зерен      70
Движение носителей (под действием внешних полей сил)      55—59
Детекторы ИК-излучения      23 378 379 391 397 456 478 481
Детекторы кристаллические      22
Дефекты      64—69 91—92
Дефекты Френкеля      66
Дефекты Шоттки      66
Дефекты «вмороженные»      66
Диаграмма энергетическая      29 43 60 80 82 204
Диаграмма энергетическая $n^+-n$-перехода      236 242
Диаграмма энергетическая p-n-перехода      249
Диаграмма энергетическая гетероперехода      264 265
Диод Есаки (туннельный)      500 503—506
Дислокации      67—71
Дислокации рассеяние      295 296
Дислокации рекомбинация      315 316
Дислокации стенки      69
Диффузия носителей      202 203
Диффузия носителей в примесных материалах      210—215
Диффузия носителей в собственных материалах      225—229
Диффузия носителей в электрическом поле      212—215
Диффузия носителей в электрическом поле, общее решение      218—221
Диффузия облака носителей      220—222 261 262
Длина (радиус) Дебая      289 290 501
Длина (радиус) диффузии      212 228
Длина (радиус) диффузии амбиполярный      228
Длина (радиус) диффузии по полю      219 228
Длина (радиус) диффузии против поля      219 228
Длина (радиус) свободного пробега, средняя      124 145—147 280 488
Домены (сильное поле)      436 437
Домены акустические      439
Донор      35 79—81
Донор неионизованный, равновесная концентрация      116
Дрейф носителей заряда      123 124
Дрейф облака неосновных носителей      220—222 226 261 262
Дырки      34 54 55 57 73 110
Дырки легкие и тяжелые      50 282 369 442
Дырки связанные      81
Дырки, время релаксации      282
Дырки, дрейфовая скорость в магнитном поле      136
Дырки, концентрация      35 109—115
Дырки, эффективная масса      55 57—58
Емкость барьерного слоя      241
Емкость диффузионная      248
Закон дисперсии для колебаний решетки      272 273
Закон дисперсии для поляритонов      497—499
Закон дисперсии для свободных электронов      41
Закон Кирхгофа (для излучения)      401 402
Закон Ома (отклонения)      425 428—438
Закон Планка (для излучения)      301
Заряд иона эффективный      275 470 499
Заряд объемный      207
Заряд объемный, время релаксации      207 489
Заряд объемный, нестабильность      437
Заселенность инверсная      513 515
Зона      27 42 44 45
Зона Бриллюэна      44 45 48—50 53 484
Зона валентная      34 47 50
Зона заполненная      30 32 33 45 60
Зона запрещенная      27 31 32 47
Зона запрещенная подвижностей      528—530 533
Зона запрещенная «оптическая»      538 539
Зона запрещенная, зависимость от давления      509 510
Зона запрещенная, зависимость от состава      470 478—480
Зона запрещенная, зависимость от температуры      463 464 468 472 473 481
Зона запрещенная, измерения      107 447 448 460
Зона примесная      171—173
Зона проводимости      34 47
Зоны вырожденные      50—53 282 335
Зоны вырожденные, внутризонные переходы      335
Зоны вырожденные, внутризонные переходы в сильных магнитных полях      441 442
Зоны вырожденные, поглощение свободными носителями      335
Зоны вырожденные, рассеяние носителей      282
Зоны вырожденные, эффективные массы      53
Зоны гофрированные      170
Зоны незаполненные      30
Зоны «сферические»      47
Зоны «хвосты»      528—530 537 540
Зоны «эллипсоидальные»      48 49
Зоны, форма      45—54
Зоны, форма, расчет      413—417
Излучение      302 304 401 402
Излучение быстрых электронов      431 432
Излучение вынужденное      512 513
Излучение изоэлектронного центра      405
Излучение колебаниями решетки      406
Излучение рекомбинационное      302—304 402 403
Излучение свободных носителей      405 406
Излучение спонтанное      512 513
Излучение экситонов      403—405
Имплантация ионная      см. «Внедрение ионное»
Импульс фонона      278
Импульс фотона      34 5
Инжекция носителей      37 215 219 220 233 244 260
Инжекция носителей оптическая      206
Ионизация ударная      245 423 424 433
Истощение примесное      111
Кадмий-ртуть-теллур (КРТ)      478 479 522
Капли электронно-дырочные      493—496
Карбид кремния      485
Квазиимпульс      42 44 56
Квазиуровень Ферми      208 209 514
Квантование в магнитном поле      342 343 420 421 439—455
Колебания нулевые      271
Колебания нулевые, рассеяние      278 279
Колебания решетки      269—275 531 540
Колебания решетки, излучение      406
Колебания решетки, квантовая теория      271
Колебания решетки, комбинационное рассеяние      522
Колебания решетки, обмен энергией с электронами      424—430
Колебания решетки, поглощение      373—377
Колебания решетки, уровни энергии      271
Компенсация валентностей      32 71 476
Компенсация примесей      113 114 117—119 171—173
Компенсация примесей, коэффициент      171
Конденсации экситонов      493—496
Константа взаимодействия (оптические колебания)      284 496
Константы оптические      326—329
Контакт инжектирующий      214 259 264
Контакт коллекторный      245
Контакт неинжектирующий      250 259
Контакт омический      229 259
Контакт «металл-окисел-полупроводник» (МОП)      259
Контакт «металл-полупроводник»      256—261
Концентрация носителей      34 37 38 99—121
Концентрация носителей в примесных полупроводниках      109—121
Концентрация носителей при низких температурах      118—120
Концентрация носителей собственная      102—109
Концентрация носителей, измерения      133
Коэффициент диффузии      202 204 324
Коэффициент диффузии амбиполярной      226 227 387 393
Коэффициент инжекции      212 244 259 260 264
Коэффициент Нернста      194 197
Коэффициент отражения      327 400
Коэффициент отражения, изменение в электрическом поле      397 400
Коэффициент поглощения      327 397 513 534 535
Коэффициент Риги — Ледюка      196 198
Коэффициент Томсона      181
Коэффициент Холла      133 149—156
Коэффициент Холла, измерения      132
Коэффициент Холла, многодолинные полупроводники      154 156
Коэффициент Холла, примесные полупроводники      133 150
Коэффициент Холла, сильное поле      141 151
Коэффициент Холла, смешанная проводимость      136 140 151—153
Коэффициент Эттингсгаузена      192 197
Кремний      см. «Германий и кремний»
Кристалл ионный      71—73
Лазер      24 263 466 471 511—522
Лазер на перевороте спина      518—522
Лазер, материалы      517 518
Лазер, резонатор      515 516
Лестница Ландау      441—443 449 450
Ловушки      227 307—314
Ловушки в процессе рекомбинации      300 307—314 318 319
Ловушки в процессе рекомбинации в Ge      311
Ловушки поверхностные      256 318 319
Ловушки, влияние на фотопроводимость      382—386
Магнетон Бора      372
Магнитосопротивление      141 142 156—170
Магнитосопротивление в сильных магнитных полях      452 454
Магнитосопротивление отрицательное      452 454
Магнитосопротивление поверхности постоянной энергии сферические      156—161
Магнитосопротивление поверхности постоянной энергии эллипсоидальные      161—170
Магнитосопротивление, коэффициент      142 157
Максимумы и минимумы эквивалентные      48 49 107 153
Максимумы и минимумы энергетических зон      46
Масса эффективная плотности состояний      108
Масса эффективная «дрейфовая»      130 115
Материалы полупроводниковые      458—160 489 535—537
Материалы полупроводниковые для изготовления лазеров      517 518
Материалы полупроводниковые, изготовление      459
Материалы полупроводниковые, измерения      460 (см. также «Полупроводники» «Соединения»)
1 2 3
blank
Реклама
blank
blank
HR
@Mail.ru
       © Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ, 2004-2020
Электронная библиотека мехмата МГУ | Valid HTML 4.01! | Valid CSS! О проекте