|
|
 |
| Авторизация |
|
|
|
| Поиск по указателям |
|
|
|
|
|
|
|
 |
|
|
|
| Смит Р. — Полупроводники |
|
|
|
| Предметный указатель |
Аккумуляция носителей заряда 231—232 250
Акцептор 35 82 83
Акцептор неионизованный, равновесная концентрация 116
Алмаз 32
Антимонид индия 468—471
Антимонид индия аморфный 536
Антимонид индия, вымораживание носителей 455 456
Антимонид индия, детекторы ИК-излучения 378 456
Антимонид индия, константа взаимодействия  284
Антимонид индия, лазеры на перевороте спина 521
Антимонид индия, поглощение двухфотонное 362
Антимонид индия, поглощение собственное 349 350
Антимонид индия, сдвиг зон в магнитном поле 333 334
Антрацен 687
Арсенид галлия 468—471
Арсенид галлия аморфный 536
Арсенид галлия, константа взаимодействия 284
Арсенид галлия, лазеры 518
Арсенид галлия, магнитосопротивление 454
Арсенид галлия, светодиоды 404
Арсенид галлия, экситоны 365 404
Арсенид галлия, электропоглощение 398
Арсенид галлия, эффекты сильного электрического поля 433—438
Барьер потенциальный 33 242 250 253 258 265
Барьер Шоттки 266 (см. также «Контакт «металл-полупроводник»»)
Биэкситон 492—493
Вакансия 65 66 86—92
Вакансия анионная 87
Вакансия двойная (дивакансия) 92
Вакансия катионная 87
Валентность 31 74 78
Валентность скомпенсированная 32 71 476
Вектор волновой 41 44
Вектор обратной решетки 414
Вмораживание дефектов 66
Внедрение ионное 92
Возбуждение тепловое 34—36 54
Волны звуковые 272 273
Волны плоские 41
Вращение фарадеево 340
Время жизни 224
Время жизни в Ge 303 304
Время жизни в Te 303
Время жизни в нитевидных образцах 320—324
Время жизни неосновных носителей 210
Время жизни, измерения 460
Время релаксации 125 126
Время релаксации легких дырок 282
Время релаксации объемного заряда 207 210 437 489
Время релаксации усредненное 142—144
Время релаксации, зависимость от энергии 145—149
Время релаксации, не зависящее от энергии 127
Время релаксации, тензор 149 269
Вымораживание носителей 455 456
Вымораживание носителей в InSb 456
Выпрямитель 21
Выпрямитель кремниевый 21 246
Выпрямитель меднозакисный (купроксный) 21
Выпрямитель с p-n-переходом 243 259
Выпрямитель с гетеропереходом 266
Выпрямитель селеновый 21
Выпрямление 16 21 22 43 259 266
Выращивание кристаллов 459
Вырождение 101 105 106 110 197
Вырождение спиновое примесного уровня 102
Галенит 20 22
Галлий-алюминий-мышьяк 518
Галогениды щелочных металлов 20 71 89
Германий, кремний 16 18 22 23 50 53 69 461—465 531—535
Германий, кремний аморфные 526 531—535
Германий, кремний аморфные, p-n-переходы 533
Германий, кремний аморфные, изготовление 533
Германий, кремний аморфные, коэффициент поглощения 534 535
Германий, кремний аморфные, плотность состояний 533 534
Германий, кремний аморфные, поглощение собственное 534
Германий, кремний аморфные, подвижность носителей 525 526 533
Германий, кремний аморфные, уровень Ферми 532
Германий, кремний аморфные, эффект поля 534
Германий, кремний сильнолегированные 506
Германий, кремний собственные, концентрация носителей 108 112
Германий, кремний собственные, удельное сопротивление 464
Германий, кремний, время жизни 311 313 314
Германий, кремний, капли электронно-дырочные 493—496
Германий, кремний, картина связей 76 77
Германий, кремний, магнитосопротивление 165 170 454
Германий, кремний, массы эффективные 447 462 463
Германий, кремний, отщепление спин-орбитальное 335
Германий, кремний, переходы непрямые 358 359
Германий, кремний, переходы прямые 350 351
Германий, кремний, поглощение в далекой ИК-области 336 337
Германий, кремний, поглощение в магнитном поле 447—450
Германий, кремний, поглощение двухфотонное 362 363
Германий, кремний, поглощение решеточное 374—376
Германий, кремний, подвижность носителей 127 434
Германий, кремний, подвижность носителей в сильном магнитном поле 428 429
Германий, кремний, подвижность носителей при высоком давлении 511
Германий, кремний, применение в технике 21—24
Германий, кремний, примесь водорода 86
Германий, кремний, примесь водородоподобная 84 85
Германий, кремний, пробой лавинный 433
Германий, кремний, проницаемость диэлектрическая 84
Германий, кремний, расплав, свойства 465
Германий, кремний, резонанс циклотронный 342 445
Германий, кремний, резонанс электронно-спиновый 373
Германий, кремний, рекомбинация 313 314
Германий, кремний, скорость дрейфовая (в сильном поле) 431 438
Германий, кремний, скорость поверхностной рекомбинации 319
Германий, кремний, спектр электроотражения 400
Германий, кремний, сплав 465
Германий, кремний, структура зонная 461 462
Германий, кремний, структура кристаллическая 75 511
Германий, кремний, темп излучательной рекомбинации 303 304
Германий, кремний, температура плавления 458
Германий, кремний, теплопроводность 180
Германий, кремний, уровни примесей 465
Германий, кремний, условия вырождения 111
Германий, кремний, фононы 358
Германий, кремний, фотопроводимость внутризонная 391
Германий, кремний, ширина запрещенной зоны 76 447
Германий, кремний, ширина запрещенной зоны, зависимость от температуры 463 464
Германий, кремний, экситон 96 97
Германий, кремний, экситон «непрямой» 367 368
Германий, кремний, экситон «прямой» 351 364 365
Германий, кремний, экситон, энергия связи 368 494
Германий, кремний, эффект Бурштейна — Мосса 502
Германий, кремний, эффект увлечения 396
Германий, кремний, эффекты междолинного переброса электронов 438
Гетеропереход 263—266 518
Границы зерен 70
Движение носителей (под действием внешних полей сил) 55—59
Детекторы ИК-излучения 23 378 379 391 397 456 478 481
Детекторы кристаллические 22
Дефекты 64—69 91—92
Дефекты Френкеля 66
Дефекты Шоттки 66
Дефекты «вмороженные» 66
Диаграмма энергетическая 29 43 60 80 82 204
Диаграмма энергетическая  -перехода 236 242
Диаграмма энергетическая p-n-перехода 249
Диаграмма энергетическая гетероперехода 264 265
Диод Есаки (туннельный) 500 503—506
Дислокации 67—71
Дислокации рассеяние 295 296
Дислокации рекомбинация 315 316
Дислокации стенки 69
Диффузия носителей 202 203
Диффузия носителей в примесных материалах 210—215
Диффузия носителей в собственных материалах 225—229
Диффузия носителей в электрическом поле 212—215
Диффузия носителей в электрическом поле, общее решение 218—221
| Диффузия облака носителей 220—222 261 262
Длина (радиус) Дебая 289 290 501
Длина (радиус) диффузии 212 228
Длина (радиус) диффузии амбиполярный 228
Длина (радиус) диффузии по полю 219 228
Длина (радиус) диффузии против поля 219 228
Длина (радиус) свободного пробега, средняя 124 145—147 280 488
Домены (сильное поле) 436 437
Домены акустические 439
Донор 35 79—81
Донор неионизованный, равновесная концентрация 116
Дрейф носителей заряда 123 124
Дрейф облака неосновных носителей 220—222 226 261 262
Дырки 34 54 55 57 73 110
Дырки легкие и тяжелые 50 282 369 442
Дырки связанные 81
Дырки, время релаксации 282
Дырки, дрейфовая скорость в магнитном поле 136
Дырки, концентрация 35 109—115
Дырки, эффективная масса 55 57—58
Емкость барьерного слоя 241
Емкость диффузионная 248
Закон дисперсии для колебаний решетки 272 273
Закон дисперсии для поляритонов 497—499
Закон дисперсии для свободных электронов 41
Закон Кирхгофа (для излучения) 401 402
Закон Ома (отклонения) 425 428—438
Закон Планка (для излучения) 301
Заряд иона эффективный 275 470 499
Заряд объемный 207
Заряд объемный, время релаксации 207 489
Заряд объемный, нестабильность 437
Заселенность инверсная 513 515
Зона 27 42 44 45
Зона Бриллюэна 44 45 48—50 53 484
Зона валентная 34 47 50
Зона заполненная 30 32 33 45 60
Зона запрещенная 27 31 32 47
Зона запрещенная подвижностей 528—530 533
Зона запрещенная «оптическая» 538 539
Зона запрещенная, зависимость от давления 509 510
Зона запрещенная, зависимость от состава 470 478—480
Зона запрещенная, зависимость от температуры 463 464 468 472 473 481
Зона запрещенная, измерения 107 447 448 460
Зона примесная 171—173
Зона проводимости 34 47
Зоны вырожденные 50—53 282 335
Зоны вырожденные, внутризонные переходы 335
Зоны вырожденные, внутризонные переходы в сильных магнитных полях 441 442
Зоны вырожденные, поглощение свободными носителями 335
Зоны вырожденные, рассеяние носителей 282
Зоны вырожденные, эффективные массы 53
Зоны гофрированные 170
Зоны незаполненные 30
Зоны «сферические» 47
Зоны «хвосты» 528—530 537 540
Зоны «эллипсоидальные» 48 49
Зоны, форма 45—54
Зоны, форма, расчет 413—417
Излучение 302 304 401 402
Излучение быстрых электронов 431 432
Излучение вынужденное 512 513
Излучение изоэлектронного центра 405
Излучение колебаниями решетки 406
Излучение рекомбинационное 302—304 402 403
Излучение свободных носителей 405 406
Излучение спонтанное 512 513
Излучение экситонов 403—405
Имплантация ионная см. «Внедрение ионное»
Импульс фонона 278
Импульс фотона 34 5
Инжекция носителей 37 215 219 220 233 244 260
Инжекция носителей оптическая 206
Ионизация ударная 245 423 424 433
Истощение примесное 111
Кадмий-ртуть-теллур (КРТ) 478 479 522
Капли электронно-дырочные 493—496
Карбид кремния 485
Квазиимпульс 42 44 56
Квазиуровень Ферми 208 209 514
Квантование в магнитном поле 342 343 420 421 439—455
Колебания нулевые 271
Колебания нулевые, рассеяние 278 279
Колебания решетки 269—275 531 540
Колебания решетки, излучение 406
Колебания решетки, квантовая теория 271
Колебания решетки, комбинационное рассеяние 522
Колебания решетки, обмен энергией с электронами 424—430
Колебания решетки, поглощение 373—377
Колебания решетки, уровни энергии 271
Компенсация валентностей 32 71 476
Компенсация примесей 113 114 117—119 171—173
Компенсация примесей, коэффициент 171
Конденсации экситонов 493—496
Константа взаимодействия (оптические колебания) 284 496
Константы оптические 326—329
Контакт инжектирующий 214 259 264
Контакт коллекторный 245
Контакт неинжектирующий 250 259
Контакт омический 229 259
Контакт «металл-окисел-полупроводник» (МОП) 259
Контакт «металл-полупроводник» 256—261
Концентрация носителей 34 37 38 99—121
Концентрация носителей в примесных полупроводниках 109—121
Концентрация носителей при низких температурах 118—120
Концентрация носителей собственная 102—109
Концентрация носителей, измерения 133
Коэффициент диффузии 202 204 324
Коэффициент диффузии амбиполярной 226 227 387 393
Коэффициент инжекции 212 244 259 260 264
Коэффициент Нернста 194 197
Коэффициент отражения 327 400
Коэффициент отражения, изменение в электрическом поле 397 400
Коэффициент поглощения 327 397 513 534 535
Коэффициент Риги — Ледюка 196 198
Коэффициент Томсона 181
Коэффициент Холла 133 149—156
Коэффициент Холла, измерения 132
Коэффициент Холла, многодолинные полупроводники 154 156
Коэффициент Холла, примесные полупроводники 133 150
Коэффициент Холла, сильное поле 141 151
Коэффициент Холла, смешанная проводимость 136 140 151—153
Коэффициент Эттингсгаузена 192 197
Кремний см. «Германий и кремний»
Кристалл ионный 71—73
Лазер 24 263 466 471 511—522
Лазер на перевороте спина 518—522
Лазер, материалы 517 518
Лазер, резонатор 515 516
Лестница Ландау 441—443 449 450
Ловушки 227 307—314
Ловушки в процессе рекомбинации 300 307—314 318 319
Ловушки в процессе рекомбинации в Ge 311
Ловушки поверхностные 256 318 319
Ловушки, влияние на фотопроводимость 382—386
Магнетон Бора 372
Магнитосопротивление 141 142 156—170
Магнитосопротивление в сильных магнитных полях 452 454
Магнитосопротивление отрицательное 452 454
Магнитосопротивление поверхности постоянной энергии сферические 156—161
Магнитосопротивление поверхности постоянной энергии эллипсоидальные 161—170
Магнитосопротивление, коэффициент 142 157
Максимумы и минимумы эквивалентные 48 49 107 153
Максимумы и минимумы энергетических зон 46
Масса эффективная плотности состояний 108
Масса эффективная «дрейфовая» 130 115
Материалы полупроводниковые 458—160 489 535—537
Материалы полупроводниковые для изготовления лазеров 517 518
Материалы полупроводниковые, изготовление 459
Материалы полупроводниковые, измерения 460 (см. также «Полупроводники» «Соединения»)
|
|
|
| Реклама |
|
|
|
|
|
О проекте