|
|
 |
| Авторизация |
|
|
|
| Поиск по указателям |
|
|
|
|
|
|
|
 |
|
|
|
| Смит Р. — Полупроводники |
|
|
|
| Предметный указатель |
Матрица плотности 453
Метод k•p 416 417
Метод Кельвина 254
Метод ЛКАО 414
Метод Стокбаргера 459
Метод Чохральского 459
Метод эффективной массы 418—420
Метод ячеек 413
Методы плоских волн 414—415
Минимум вышерасположенный 424 434 469
Минимум вышерасположенный в Ge 438
Модель Блоха 26 27
Модель Зоммерфельда 26 27
Молекула экситонная 492 493
Напряжение Зинера 245
Непараболичность 416 417 447
Несовершенства (в кристалле) 64—71
Носители заряда неосновные 38 112 210
Носители заряда неосновные, время жизни 210
Носители заряда основные 38 112
Носители заряда, длина диффузионная 212 219 228
Обмен энергиями между электронами и решеткой 123 278 424—430
Окислы металлов 481—484
Олово серое 466—468
Орбита воровская 85
Отжиг 66 92 536
Пакет волновой 42
Пары электронно-дырочные 34 73 76 215 377
Пары электронно-дырочные, генерация 301—304 377 513
Пары электронно-дырочные, рекомбинация 209
Переход Мотта 454 483 494
Переход полупроводниковый  ,  240 244
Переход полупроводниковый  ,  249 251
Переход полупроводниковый, p-n 233—241 251 503—506
Переход полупроводниковый, p-n, вольтамперная характеристика 217
Переход полупроводниковый, p-n, емкость барьерного слоя 241
Переход полупроводниковый, p-n, емкость диффузионная 248
Переход полупроводниковый, p-n, коэффициент инжекции 244
Переход полупроводниковый, p-n, объемный заряд 237—240
Переход полупроводниковый, p-n, проводимость дифференциальная 247
Переход полупроводниковый, p-n, свойства на высоких частотах 247 248
Переход полупроводниковый, p-n, тонкий 240 241
Переход полупроводниковый, p-n, широкий 241
Переход полупроводниковый, p-n, электростатический потенциал 236 237
Переход полупроводниковый, p-n, энергетическая схема 236
Переходы фазовые 511
Переходы энергетические непрямые 345 332—360
Переходы энергетические прямые 345—350
Переходы энергетические прямые запрещенные 348 366
Переходы энергетические прямые разрешенные 346 348 349 366
Плазмон 500
Плотность состояний 102 103 143 347 355 442—444
Плотность состояний в сильном магнитном поле 442—444
Поверхности постоянной энергии 48—51
Повреждения радиационные 92
Поглощение излучения в далекой ИК-области 336 337 378 445 450 456
Поглощение излучения в далекой ИК-области, вклад в проводимость 337
Поглощение излучения в далекой ИК-области, фотопроводимость 378 450 456
Поглощение излучения в далекой ИК-области, циклотронный резонанс 445
Поглощение излучения в магнитном поле 446—450
Поглощение излучения двухфотонное 361—363
Поглощение излучения примесями 369—373
Поглощение излучения решеточное 373—377
Поглощение излучения свободными носителями 329—335
Поглощение излучения собственное 326 334—363
Поглощение излучения собственное, край 326 328 329 348 357 530 538 539
Поглощение излучения экситонами 95 363—369
Поглощение излучения, непрямые переходы 345 352—360
Поглощение излучения, прямые переходы 345—350
Поглощение остаточных лучей 174 374 498 540
Поглощение остаточных лучей в полупроводниках  339
Подвижность 18 36 134
Подвижность амбиполярная 222 262
Подвижность дрейфовая 134 204 261—263 530
Подвижность измерения 261—263 460 530
Подвижность холловская 134 530
Подвижность, щель 529 530 533
Показатель поглощения 327
Показатель преломления 326
Полуметаллы 53 466 478
Полупроводник, определение 15 17 18 78 79 527
Полупроводники 77 91 468—471
Полупроводники , запрещенная зона 469
Полупроводники , заряд ионный 470
Полупроводники , массы эффективные 469
Полупроводники , поглощение остаточных лучей 374 406
Полупроводники , примеси 91 471
Полупроводники , сдвиг зоны в магнитном поле 333 334
Полупроводники , структура кристаллическая 77
Полупроводники , эффекты переброса электронов 434—438 (см. также «Арсенид галлия» «Арсенид «Фосфид
Полупроводники  78 472—475
Полупроводники аморфные 525—542
Полупроводники аморфные, зоны 528 529
Полупроводники аморфные, оптическое поглощение 534 535 537—539
Полупроводники аморфные, плотность состояний 533
Полупроводники аморфные, энергия активации 529 530
Полупроводники магнитные 486 487
Полупроводники неоднородные 202 203
Полупроводники оксидные 481—484 488
Полупроводники органические 487
Полупроводники примесные 109—121
Полупроводники с низкой подвижностью 488 525
Полупроводники сверхпроводящие 485 486
Полупроводники сильнолегированные 500—508
Полупроводники собственные 17 36 222—229
Полупроводники стеклообразные 536—541
Полупроводники тугоплавкие 484 485
Полупроводники узкозонные 478—481
Полупроводники элементарные 461—468
Полупроводники «дефектные» и «избыточные» (p- и n-типа) 19 36
Поляритон 496—500
Полярон 496—500
Потенциал деформации 280—282
Потенциал периодический 26 41 413
Потенциал поверхностный 253 255 257
Потенциал термодинамический 101 202
Правила отбора для переходов в магнитном поле 442 444 446 449 450
Правила отбора по спину 446 449
Правило Урбаха 535 538
Предел квантовый 452 453
Применения полупроводников 21—24 439 458 459
Применения полупроводников в СВЧ-технике 22 23 436 438
Применения полупроводников, детекторы ИК-излучения 23 379 478
Применения полупроводников, лазеры 24 477 517 518
Примеси 35—39 64 65 79—91
Примеси акцепторные и донорные 36 80 82 115—117
Примеси в полупроводниках 91 471
Примеси в полупроводниках IV группы 79—86 465
Примеси в полупроводниках полярных 87—91
Примеси водородоподобные 83—85 501
Примеси возбужденные состояния 85 369 370
Примеси «глубокие» 86 420
Примеси, внедрения 64 65
Примеси, замещения 64 65 79—83
Примеси, зонная схема 80 82
Примеси, ионизация 80 115—121
Примеси, картина связей 80 82
Примеси, поглощение 369—372
Примеси, уровни энергии 83—86 420 465
Принцип неопределенности 488
Принцип Паули 30 100 101
Пробой лавинный 245 256 433
Пробой лавинный, напряженность поля 433 434
Проводимость см. «Электропроводность»
Проницаемость диэлектрическая 83 327 331
Проницаемость диэлектрическая комплексная 327 334
Пьезоотражение 401
Работа выхода 256
Равновесие тепловое 99—102
Равновесие тепловое, отклонения 206—209
| Равновесие тепловое, число дефектов 66 67
Радиус боровский 85
Радиус ионный 72 73
Радиус экранирования Дебая 289 290 501
Распределение Максвелла 427
Распределение Максвелла «смещенное» 432 433 437 438
Распределение Ферми — Дирака 99—102
Рассеяние комбинационное 500 518
Рассеяние носителей заряда 268 269 424—427
Рассеяние носителей заряда в электрическом поле 427—430
Рассеяние носителей заряда междолинное 285 286
Рассеяние носителей заряда на акустических колебаниях 279—282
Рассеяние носителей заряда на дислокациях 295 296
Рассеяние носителей заряда на ионизованной примеси 287—291
Рассеяние носителей заряда на нейтральной примеси 291—295
Рассеяние носителей заряда на оптических колебаниях 284 285
Рассеяние носителей заряда электрон-электронное 286 287
Рассеяние носителей заряда, вклады в подвижность 296 297
Рассеяние носителей заряда, изменение импульса 278
Рассеяние носителей заряда, изменение энергии 278 424 425
Рассеяние рэлеевское 495
Расщепление уровней спин-орбитальное 52 53 307
Расщепление уровней спин-орбитальное в Ge и Si 53 335
Расщепление уровней спиновое 445 446
Резонанс плазменный 337 338 507
Резонанс циклотронный 59 339 343 442
Резонанс циклотронный в ИК-области 444 445
Резонанс циклотронный, взаимодействие с оптическими фононами 500
Резонанс электронно-спиновый 372 373 443 446
Резонатор оптический 515 516
Рекомбинация 209 210
Рекомбинация излучательная 301—304
Рекомбинация излучательная в Ge 303 304
Рекомбинация излучательная в Te 303
Рекомбинация на дислокациях 315 316
Рекомбинация Оже 304—307
Рекомбинация поверхностная 256 317 386
Рекомбинация поверхностная, измерения 395
Рекомбинация поверхностная, скорость 318
Рекомбинация через доноры и акцепторы 316 317
Рекомбинация через ловушки 307—314
Рекомбинация через экситоны 314 315
Рекомбинация, механизмы 299—301 312—314
Решетка кристаллическая идеальная 26 40 64 269 270
Решетка типа алмаза 75
Светодиоды 24 405 517
Свинец-олово-теллур (СОТ) 479 480 481 518
Связи «болтающиеся» 528 532 537
Связь гомеополярная 74—76
Связь ионная (полярная) 71—73
Связь ионная смешанная 77 78
Сдвиг зон в магнитном поле 343 344 441
Селен 21 466
Селен аморфный 535 536
Селен, соединения 472—477
Сечение рассеяния для проводимости 125
Сечение рассеяния интегральное 124
Скорость групповая фонона 272
Скорость групповая электрона 42 44
Скорость дрейфовая 123—127 261 262 430
Скорость дрейфовая в магнитном поле 131 136
Скорость дрейфовая насыщения 431 432
Скорость утечки 232 251
Слой инверсный (поверхностно-барьерный) 254 259
Слой оксидный 256 259
Соединения азота 485
Соединения алюминия, арсенид и фосфид 485 (см. также «Полупроводники » «Соединения
Соединения бериллия, селенид, сульфид и теллурид 78
Соединения бора, арсенид, нитрид и фосфид 485
Соединения европия 487
Соединения иода, иодиды кадмия, свинца и ртути 96 364
Соединения кадмия, селенид, сульфид и теллурид 475 496 «Соединения
Соединения меди, бромид и хлорид 492 493
Соединения меди, окислы 18 21 96 364 481
Соединения мышьяка, селенид, сульфид и теллурид 536 538—540 «Арсенид «Полупроводники
Соединения свинца, селенид, сульфид и теллурид 23 78 87 89 90 284 285 378 472—475
Соединения серы 20 472—477
Соединения теллура 53 180 471—481 486 «Свинец-олово-теллур»)
Соединения тройные 475—481
Соединения хрома 486 487
Соединения четверные 475—477
Соотношение Бриджмена 195
Соотношение Лиддана — Закса — Теллера 275 498
Соотношение Эйнштейна 204
Сопротивление отрицательное 436 437
Сопротивление удельное Ge и Si 464
Состав стехиометрический 87 91 476
Спектр излучения 403
Спектр поглощения в далекой ИК-области 336 337
Спектр поглощения примесного 370
Спектр поглощения решеточного 374
Спектр поглощения собственного 349 359
Спектр поглощения экситонного 96 97 351 365 368
Спектроскопия туннельная 506—508
Станниты 476
Стекла халькогенидные 536—539
Стенки дислокационные 69
Структура зонная 45—54
Структура зонная, вычисления 413—417
Структура зонная, измерения 400 401
Структура кристаллическая 72
Структура кристаллическая типа алмаза 75
Структура кристаллическая типа цинковой обманки 77
Теллур 16 18 303 305 466 486
Теллур аморфный 535 536
Теллур, излучательная рекомбинация 303
Теллур, рекомбинация Оже 303 305
Теллур, циклотронный резонанс 445 466
Теллур, электропроводность 129
Темп генерации 209 302 305 380 514
Темп рекомбинации 302 305 318 514
Температура эффективная электронов 423 427 428 432 437
Теория Блоха 26 27 41 412
Теория Вильсона 24 25 27 31 33
Теория Зоммерфельда 25—28 31
Теория зонной структуры 413—417
Теплопроводность 176 179 191
Теплопроводность германия 180
Термо-э.д.с. 16 17 19 181—185 187
Техника модуляционная 397 401
Ток насыщения 244 247 258
Точки критические (зонной структуры) 369 400 401
Туннелирование 171 259 397 503—508
Туннелирование с участием фононов 506 507
Увлечение носителей фононами 186 187
Увлечение носителей фотонами 396 397
Угол Холла 131 133 136 150
Упорядочение дислокаций 69—71
Уравнения Больцмана 142 150 175 432 433
Уравнения непрерывности 207 211
Уравнения Пуассона 207 223 237 239 253 289
Уравнения Шокли (для p-n-перехода) 243
Уравнения Шредингера 40 41 419 421
Уровень Ферми 101
Уровень Ферми в примесных полупроводниках 111 114 118
Уровень Ферми в собственных полупроводниках 105 109
Уровень Ферми при низких температурах 117—121
Уровни энергетические Ландау 440
Уровни энергетические примесей 80 82 84 86 371 465 471
Уровни энергетические Тамма 252
Фононы 277—279 300
Фононы, испускание и поглощение 377 426
Фононы, равновесная плотность 377 426 512
Фосфид галлия 468—471
Фосфид галлия, поглощение решеточное 374
Фосфид галлия, поглощение экситонное 368
Фосфид галлия, экситоны 314 315 368 369 405 493
Фотопроводимость 16 17 20 37 377—380
Фотопроводимость в InSb при наличии магнитного поля 456
Фотопроводимость внутризонная 391
|
|
|
| Реклама |
|
|
|
|
|
О проекте