Смит Р. — Полупроводники :: Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ

Главная Ex Libris Книги Журналы Статьи Серии Каталог Wanted Загрузка ХудЛит Справка Поиск по индексам Поиск Форум

Авторизация

Поиск по указателям

Смит Р. — Полупроводники

Обсудите книгу на научном форуме

Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter

Название: Полупроводники

Автор: Смит Р.

Аннотация:

Учебное пособие известного английского физика Р. Смита, представляющее собой второе, переработанное и дополненное изданне курса физики полупроводников (М.: ИЛ, 1962). С большим педагогическнм мастерством и на высоком научном уровне излагаются основы современной теории электрических, гальваномагнитных, тепловых, оптических и контактных явлений в полупроводниках.
Для аспирантов и студентов университетов и технических вузов, а также для ученых и инженеров, занимающихся исследованием полупроводников и разработкой полупроводниковых приборов.

Язык:

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Издание: 2-е издание, переработанное и дополненное.

Год издания: 1982

Количество страниц: 560

Добавлена в каталог: 10.02.2006

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID

Предметный указатель

Матрица плотности      453
Метод k•p      416 417
Метод Кельвина      254
Метод ЛКАО      414
Метод Стокбаргера      459
Метод Чохральского      459
Метод эффективной массы      418—420
Метод ячеек      413
Методы плоских волн      414—415
Минимум вышерасположенный      424 434 469
Минимум вышерасположенный в Ge      438
Модель Блоха      26 27
Модель Зоммерфельда      26 27
Молекула экситонная      492 493
Напряжение Зинера      245
Непараболичность      416 417 447
Несовершенства (в кристалле)      64—71
Носители заряда неосновные      38 112 210
Носители заряда неосновные, время жизни      210
Носители заряда основные      38 112
Носители заряда, длина диффузионная      212 219 228
Обмен энергиями между электронами и решеткой      123 278 424—430
Окислы металлов      481—484
Олово серое      466—468
Орбита воровская      85
Отжиг      66 92 536
Пакет волновой      42
Пары электронно-дырочные      34 73 76 215 377
Пары электронно-дырочные, генерация      301—304 377 513
Пары электронно-дырочные, рекомбинация      209
Переход Мотта      454 483 494
Переход полупроводниковый ,       240 244
Переход полупроводниковый ,       249 251
Переход полупроводниковый, p-n      233—241 251 503—506
Переход полупроводниковый, p-n, вольтамперная характеристика      217
Переход полупроводниковый, p-n, емкость барьерного слоя      241
Переход полупроводниковый, p-n, емкость диффузионная      248
Переход полупроводниковый, p-n, коэффициент инжекции      244
Переход полупроводниковый, p-n, объемный заряд      237—240
Переход полупроводниковый, p-n, проводимость дифференциальная      247
Переход полупроводниковый, p-n, свойства на высоких частотах      247 248
Переход полупроводниковый, p-n, тонкий      240 241
Переход полупроводниковый, p-n, широкий      241
Переход полупроводниковый, p-n, электростатический потенциал      236 237
Переход полупроводниковый, p-n, энергетическая схема      236
Переходы фазовые      511
Переходы энергетические непрямые      345 332—360
Переходы энергетические прямые      345—350
Переходы энергетические прямые запрещенные      348 366
Переходы энергетические прямые разрешенные      346 348 349 366
Плазмон      500
Плотность состояний      102 103 143 347 355 442—444
Плотность состояний в сильном магнитном поле      442—444
Поверхности постоянной энергии      48—51
Повреждения радиационные      92
Поглощение излучения в далекой ИК-области      336 337 378 445 450 456
Поглощение излучения в далекой ИК-области, вклад в проводимость      337
Поглощение излучения в далекой ИК-области, фотопроводимость      378 450 456
Поглощение излучения в далекой ИК-области, циклотронный резонанс      445
Поглощение излучения в магнитном поле      446—450
Поглощение излучения двухфотонное      361—363
Поглощение излучения примесями      369—373
Поглощение излучения решеточное      373—377
Поглощение излучения свободными носителями      329—335
Поглощение излучения собственное      326 334—363
Поглощение излучения собственное, край      326 328 329 348 357 530 538 539
Поглощение излучения экситонами      95 363—369
Поглощение излучения, непрямые переходы      345 352—360
Поглощение излучения, прямые переходы      345—350
Поглощение остаточных лучей      174 374 498 540
Поглощение остаточных лучей в полупроводниках $A^{III}B^V$       339
Подвижность      18 36 134
Подвижность амбиполярная      222 262
Подвижность дрейфовая      134 204 261—263 530
Подвижность измерения      261—263 460 530
Подвижность холловская      134 530
Подвижность, щель      529 530 533
Показатель поглощения      327
Показатель преломления      326
Полуметаллы      53 466 478
Полупроводник, определение      15 17 18 78 79 527
Полупроводники $A^{III}B^V$       77 91 468—471
Полупроводники $A^{III}B^V$ , запрещенная зона      469
Полупроводники $A^{III}B^V$ , заряд ионный      470
Полупроводники $A^{III}B^V$ , массы эффективные      469
Полупроводники $A^{III}B^V$ , поглощение остаточных лучей      374 406
Полупроводники $A^{III}B^V$ , примеси      91 471
Полупроводники $A^{III}B^V$ , сдвиг зоны в магнитном поле      333 334
Полупроводники $A^{III}B^V$ , структура кристаллическая      77
Полупроводники $A^{III}B^V$ , эффекты переброса электронов      434—438 (см. также «Арсенид галлия» «Арсенид «Фосфид
Полупроводники $A^{II}B^{VI}$       78 472—475
Полупроводники аморфные      525—542
Полупроводники аморфные, зоны      528 529
Полупроводники аморфные, оптическое поглощение      534 535 537—539
Полупроводники аморфные, плотность состояний      533
Полупроводники аморфные, энергия активации      529 530
Полупроводники магнитные      486 487
Полупроводники неоднородные      202 203
Полупроводники оксидные      481—484 488
Полупроводники органические      487
Полупроводники примесные      109—121
Полупроводники с низкой подвижностью      488 525
Полупроводники сверхпроводящие      485 486
Полупроводники сильнолегированные      500—508
Полупроводники собственные      17 36 222—229
Полупроводники стеклообразные      536—541
Полупроводники тугоплавкие      484 485
Полупроводники узкозонные      478—481
Полупроводники элементарные      461—468
Полупроводники «дефектные» и «избыточные» (p- и n-типа)      19 36
Поляритон      496—500
Полярон      496—500
Потенциал деформации      280—282
Потенциал периодический      26 41 413
Потенциал поверхностный      253 255 257
Потенциал термодинамический      101 202
Правила отбора для переходов в магнитном поле      442 444 446 449 450
Правила отбора по спину      446 449
Правило Урбаха      535 538
Предел квантовый      452 453
Применения полупроводников      21—24 439 458 459
Применения полупроводников в СВЧ-технике      22 23 436 438
Применения полупроводников, детекторы ИК-излучения      23 379 478
Применения полупроводников, лазеры      24 477 517 518
Примеси      35—39 64 65 79—91
Примеси акцепторные и донорные      36 80 82 115—117
Примеси в полупроводниках $A^{III}B^V$       91 471
Примеси в полупроводниках IV группы      79—86 465
Примеси в полупроводниках полярных      87—91
Примеси водородоподобные      83—85 501
Примеси возбужденные состояния      85 369 370
Примеси «глубокие»      86 420
Примеси, внедрения      64 65
Примеси, замещения      64 65 79—83
Примеси, зонная схема      80 82
Примеси, ионизация      80 115—121
Примеси, картина связей      80 82
Примеси, поглощение      369—372
Примеси, уровни энергии      83—86 420 465
Принцип неопределенности      488
Принцип Паули      30 100 101
Пробой лавинный      245 256 433
Пробой лавинный, напряженность поля      433 434
Проводимость      см. «Электропроводность»
Проницаемость диэлектрическая      83 327 331
Проницаемость диэлектрическая комплексная      327 334
Пьезоотражение      401
Работа выхода      256
Равновесие тепловое      99—102
Равновесие тепловое, отклонения      206—209

Равновесие тепловое, число дефектов      66 67
Радиус боровский      85
Радиус ионный      72 73
Радиус экранирования Дебая      289 290 501
Распределение Максвелла      427
Распределение Максвелла «смещенное»      432 433 437 438
Распределение Ферми — Дирака      99—102
Рассеяние комбинационное      500 518
Рассеяние носителей заряда      268 269 424—427
Рассеяние носителей заряда в электрическом поле      427—430
Рассеяние носителей заряда междолинное      285 286
Рассеяние носителей заряда на акустических колебаниях      279—282
Рассеяние носителей заряда на дислокациях      295 296
Рассеяние носителей заряда на ионизованной примеси      287—291
Рассеяние носителей заряда на нейтральной примеси      291—295
Рассеяние носителей заряда на оптических колебаниях      284 285
Рассеяние носителей заряда электрон-электронное      286 287
Рассеяние носителей заряда, вклады в подвижность      296 297
Рассеяние носителей заряда, изменение импульса      278
Рассеяние носителей заряда, изменение энергии      278 424 425
Рассеяние рэлеевское      495
Расщепление уровней спин-орбитальное      52 53 307
Расщепление уровней спин-орбитальное в Ge и Si      53 335
Расщепление уровней спиновое      445 446
Резонанс плазменный      337 338 507
Резонанс циклотронный      59 339 343 442
Резонанс циклотронный в ИК-области      444 445
Резонанс циклотронный, взаимодействие с оптическими фононами      500
Резонанс электронно-спиновый      372 373 443 446
Резонатор оптический      515 516
Рекомбинация      209 210
Рекомбинация излучательная      301—304
Рекомбинация излучательная в Ge      303 304
Рекомбинация излучательная в Te      303
Рекомбинация на дислокациях      315 316
Рекомбинация Оже      304—307
Рекомбинация поверхностная      256 317 386
Рекомбинация поверхностная, измерения      395
Рекомбинация поверхностная, скорость      318
Рекомбинация через доноры и акцепторы      316 317
Рекомбинация через ловушки      307—314
Рекомбинация через экситоны      314 315
Рекомбинация, механизмы      299—301 312—314
Решетка кристаллическая идеальная      26 40 64 269 270
Решетка типа алмаза      75
Светодиоды      24 405 517
Свинец-олово-теллур (СОТ)      479 480 481 518
Связи «болтающиеся»      528 532 537
Связь гомеополярная      74—76
Связь ионная (полярная)      71—73
Связь ионная смешанная      77 78
Сдвиг зон в магнитном поле      343 344 441
Селен      21 466
Селен аморфный      535 536
Селен, соединения      472—477
Сечение рассеяния для проводимости      125
Сечение рассеяния интегральное      124
Скорость групповая фонона      272
Скорость групповая электрона      42 44
Скорость дрейфовая      123—127 261 262 430
Скорость дрейфовая в магнитном поле      131 136
Скорость дрейфовая насыщения      431 432
Скорость утечки      232 251
Слой инверсный (поверхностно-барьерный)      254 259
Слой оксидный      256 259
Соединения азота      485
Соединения алюминия, арсенид и фосфид      485 (см. также «Полупроводники $A^{III}B^V$ » «Соединения
Соединения бериллия, селенид, сульфид и теллурид      78
Соединения бора, арсенид, нитрид и фосфид      485
Соединения европия      487
Соединения иода, иодиды кадмия, свинца и ртути      96 364
Соединения кадмия, селенид, сульфид и теллурид      475 496 «Соединения
Соединения меди, бромид и хлорид      492 493
Соединения меди, окислы      18 21 96 364 481
Соединения мышьяка, селенид, сульфид и теллурид      536 538—540 «Арсенид «Полупроводники
Соединения свинца, селенид, сульфид и теллурид      23 78 87 89 90 284 285 378 472—475
Соединения серы      20 472—477
Соединения теллура      53 180 471—481 486 «Свинец-олово-теллур»)
Соединения тройные      475—481
Соединения хрома      486 487
Соединения четверные      475—477
Соотношение Бриджмена      195
Соотношение Лиддана — Закса — Теллера      275 498
Соотношение Эйнштейна      204
Сопротивление отрицательное      436 437
Сопротивление удельное Ge и Si      464
Состав стехиометрический      87 91 476
Спектр излучения      403
Спектр поглощения в далекой ИК-области      336 337
Спектр поглощения примесного      370
Спектр поглощения решеточного      374
Спектр поглощения собственного      349 359
Спектр поглощения экситонного      96 97 351 365 368
Спектроскопия туннельная      506—508
Станниты      476
Стекла халькогенидные      536—539
Стенки дислокационные      69
Структура зонная      45—54
Структура зонная, вычисления      413—417
Структура зонная, измерения      400 401
Структура кристаллическая      72
Структура кристаллическая типа алмаза      75
Структура кристаллическая типа цинковой обманки      77
Теллур      16 18 303 305 466 486
Теллур аморфный      535 536
Теллур, излучательная рекомбинация      303
Теллур, рекомбинация Оже      303 305
Теллур, циклотронный резонанс      445 466
Теллур, электропроводность      129
Темп генерации      209 302 305 380 514
Темп рекомбинации      302 305 318 514
Температура эффективная электронов      423 427 428 432 437
Теория Блоха      26 27 41 412
Теория Вильсона      24 25 27 31 33
Теория Зоммерфельда      25—28 31
Теория зонной структуры      413—417
Теплопроводность      176 179 191
Теплопроводность германия      180
Термо-э.д.с.      16 17 19 181—185 187
Техника модуляционная      397 401
Ток насыщения      244 247 258
Точки критические (зонной структуры)      369 400 401
Туннелирование      171 259 397 503—508
Туннелирование с участием фононов      506 507
Увлечение носителей фононами      186 187
Увлечение носителей фотонами      396 397
Угол Холла      131 133 136 150
Упорядочение дислокаций      69—71
Уравнения Больцмана      142 150 175 432 433
Уравнения непрерывности      207 211
Уравнения Пуассона      207 223 237 239 253 289
Уравнения Шокли (для p-n-перехода)      243
Уравнения Шредингера      40 41 419 421
Уровень Ферми      101
Уровень Ферми в примесных полупроводниках      111 114 118
Уровень Ферми в собственных полупроводниках      105 109
Уровень Ферми при низких температурах      117—121
Уровни энергетические Ландау      440
Уровни энергетические примесей      80 82 84 86 371 465 471
Уровни энергетические Тамма      252
Фононы      277—279 300
Фононы, испускание и поглощение      377 426
Фононы, равновесная плотность      377 426 512
Фосфид галлия      468—471
Фосфид галлия, поглощение решеточное      374
Фосфид галлия, поглощение экситонное      368
Фосфид галлия, экситоны      314 315 368 369 405 493
Фотопроводимость      16 17 20 37 377—380
Фотопроводимость в InSb при наличии магнитного поля      456
Фотопроводимость внутризонная      391

1 2 3

О проекте