Главная    Ex Libris    Книги    Журналы    Статьи    Серии    Каталог    Wanted    Загрузка    ХудЛит    Справка    Поиск по индексам    Поиск    Форум   
blank
Авторизация

       
blank
Поиск по указателям

blank
blank
blank
Красота
blank
Pankove J.I. (ed.), Johnson N.M. (ed.) — Hydrogen in semiconductors. Volume 34
Pankove J.I. (ed.), Johnson N.M. (ed.) — Hydrogen in semiconductors. Volume 34



Обсудите книгу на научном форуме



Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter


Название: Hydrogen in semiconductors. Volume 34

Авторы: Pankove J.I. (ed.), Johnson N.M. (ed.)

Аннотация:

Hydrogen plays an important role in silicon technology, having a profound effect on a wide range of properties. Thus, the study of hydrogen in semiconductors has received much attention from an interdisciplinary assortment of researchers. This sixteen-chapter volume provides a comprehensive review of the field, including a discussion of hydrogenation methods, the use of hydrogen to passivate defects, the use of hydrogen to neutralize deep levels, shallow acceptors and shallow donors in silicon, vibrational spectroscopy, and hydrogen-induced defects in silicon. In addition to this detailed coverage of hydrogen in silicon, chapters are provided that discuss hydrogen-related phenomena in germanium and the neutralization of defects and dopants in III*b1V semiconductors.


Язык: en

Рубрика: Технология/

Статус предметного указателя: Неизвестно

ed2k: ed2k stats

Год издания: 1991

Количество страниц: 648

Добавлена в каталог: 28.03.2011

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID
blank
Предметный указатель
blank
Реклама
blank
blank
HR
@Mail.ru
       © Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ, 2004-2024
Электронная библиотека мехмата МГУ | Valid HTML 4.01! | Valid CSS! О проекте