Главная    Ex Libris    Книги    Журналы    Статьи    Серии    Каталог    Wanted    Загрузка    ХудЛит    Справка    Поиск по индексам    Поиск    Форум   
blank
Авторизация

       
blank
Поиск по указателям

blank
blank
blank
Красота
blank
Чопра К., Дас С. — Тонкопленочные солнечные элементы
Чопра К., Дас С. — Тонкопленочные солнечные элементы



Обсудите книгу на научном форуме



Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter


Название: Тонкопленочные солнечные элементы

Авторы: Чопра К., Дас С.

Аннотация:

Монография индийских специалистов, посвященная тонким пленкам на основе полупроводниковых материалов, используемым в качестве солнечных элементов. Изложены методы осаждения и физические свойства многослойных пленок различных полупроводников, диэлектриков и металлов. Особое внимание уделено пленкам на основе сульфида меди и кремния. Рассмотрены новые виды солнечных элементов и новые направления в разработке высокоэффективных элементов.
Для специалистов в области солнечной энергетики, полупроводниковых приборов и тонкопленочной электроники, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.


Язык: ru

Рубрика: Технология/

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Год издания: 1986

Количество страниц: 435

Добавлена в каталог: 16.10.2005

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID
blank
Предметный указатель
Анализ химического состава      26—30
Анодирование      124
Анодирование константа роста пленки      124 125
Арсенид галлия, пленки      157—159
Арсенид галлия, солнечные элементы      336—340
Барьер изотипный тыльный      372
Барьер Шоттки      319 336 348 359
Барьер энергетический      9 139 141 253 265 287 323 339 340 347 348 360
Границы зерен      137 138 152 155 159 166 185 197 198 199 201 207 208 281 285 340
Границы зерен, пассивация      285 338
Графоэпитаксия      50
Длина свободного пробега атомов остаточного газа      40
Длина свободного пробега электронов проводимости      206 207
Испарение вакуумное      39—47
Константа равновесия      70
Концентрация дырок      186—195
Концентрация электронов      186—195 196—201
Коэффициент диодный      241 252 253 283—286 321 322 339 340345 347 353 358 361
Коэффициент заполнения вольтамперной характеристики      269 279 324 326 327 362—365
Коэффициент заполнения вольтамперной характеристики, влияние интенсивности излучения      370 372 377
Коэффициент заполнения вольтамперной характеристики, влияние спектрального состава излучения      240
Коэффициент заполнения вольтамперной характеристики, влияние термообработки      254
Коэффициент заполнения вольтамперной характеристики, влияние уровня легирования      281
Коэффициент заполнения пленки веществом      210 216
Коэффициент отражения      202 210 212—215
Коэффициент поглощения      31 142 144 149 182 309 318
Коэффициент пропускания      31 171 181 202—204 210—212
Коэффициент распыления      51 52
Коэффициент собирания носителей заряда      243—245 321 329 353 357 360 375 376 379
Коэффициент собирания носителей заряда, влияние обратного напряжения смещения      244
Коэффициент температурный удельного сопротивления      206 211
Коэффициент увеличения площади перехода      15
КПД      269 279 326 327 365 390—394
КПД, влияние интенсивности излучения      241 242 373
КПД, влияние микроструктуры      267 270
КПД, влияние температуры      243 372
КПД, уровни равных значений      385
Кремний аморфный      291
Кремний аморфный, зонная структура      293
Кремний аморфный, методы получения      112 299—305
Кремний аморфный, носители заряда      316
Кремний аморфный, носители заряда, время жизни      316
Кремний аморфный, носители заряда, подвижность      315
Кремний аморфный, плотность вещества      307
Кремний аморфный, плотность энергетических состояний      316 318
Кремний аморфный, подложки      305
Кремний аморфный, проводимость      305
Кремний аморфный, проводимость удельная      312—315
Кремний аморфный, проводимость, механизмы      295—299
Кремний аморфный, разложение      316
Кремний аморфный, солнечные элементы      317—334
Кремний аморфный, солнечные элементы каскадные      332
Кремний аморфный, солнечные элементы с p — i — n-структурой      320
Кремний аморфный, солнечные элементы с барьером Шоттки      319
Кремний аморфный, солнечные элементы со структурой металл — диэлектрик — полупроводник      319
Кремний аморфный, солнечные элементы, деградация      330
Кремний аморфный, солнечные элементы, КПД      326 327
Кремний аморфный, солнечные элементы, легирующие примеси      324 325
Кремний аморфный, солнечные элементы, потери энергии      325 328—330
Кремний аморфный, солнечные элементы, спектральная чувствительность      321 329
Кремний аморфный, солнечные элементы, температура подложки      324
Кремний аморфный, состав      308
Кремний аморфный, структура      306
Кремний поликристаллический      134
Кремний поликристаллический, получение      134
Кремний поликристаллический, свойства оптические      141—143
Кремний поликристаллический, свойства структурные      135—137
Кремний поликристаллический, свойства электрические      137—141
Кремний поликристаллический, солнечные элементы      274—290
Кремний поликристаллический, солнечные элементы, гидрогенизация      285
Кремний поликристаллический, солнечные элементы, изготовление      277 278
Кремний поликристаллический, солнечные элементы, легирование      281
Кремний поликристаллический, солнечные элементы, микроструктура      281
Кремний поликристаллический, солнечные элементы, обзор работ      275—277
Кремний поликристаллический, солнечные элементы, потери энергии      287—289
Кремний поликристаллический, солнечные элементы, фотоэлектрические характеристики      278—282
Кремний поликристаллический, солнечные элементы, фотоэлектрические характеристики, влияние интенсивности излучения      282
Критерий качества прозрачных проводящих пленок      194 204
Линия гидроксида      73
Линия комплексного соединения      73
Масс-спектроскопия вторичных ионов      28 30 235
Метод возбуждения тока световым лучом      36
Метод вытягивания лент из расплава      130
Метод наведения тока электронным лучом      35 37 345
Микроанализатор электронно-зондовый      26 27 30
Микроскопия электронная просвечивающая      23
Микроскопия электронная растровая      23 25
Микроструктура пленок      22—26 107 131 135 143 150 154 156 158 159 173 176 179 180 183 186 201 228—233 281 307 308
Напряжение холостого хода      269 279 326 327 362—365 392 393
Напряжение холостого хода, влияние микроструктуры      268 281
Напряжение холостого хода, влияние площади перехода      267
Напряжение холостого хода, влияние температуры      243
Напряжение холостого хода, влияние термообработки      255 358
Напряжение холостого хода, влияние уровня легирования      260 261 281
Напряжение холостого хода, затухание      34
Носители заряда неосновные      34—37
Носители заряда неосновные, время жизни      34 316 325 371
Носители заряда неосновные, диффузионная длина      34—37 141 245—247 280 325 339 348 350 353 360 371
Носители заряда, туннелирование      219 252
Обедненный слой, емкость      11 247—252
Обедненный слой, ширина      247—252 361
Оже-спектроскопия      27 30 234
Оксид меди, получение      359
Оксид меди, солнечные элементы      359 360
Оптическая ширина запрещенной зоны в пленках аморфного кремния      318
Оптическая ширина запрещенной зоны в пленках диэлектриков      216
Ориентация пленок, кристаллографическая      135 143 150 154 156 168 159 180 183 186 196—201
Осаждение из раствора      69
Осаждение из раствора пленок      81 82
Осаждение из раствора пленок многокомпонентных соединений      79
Осаждение из раствора пленок оксидов      81
Осаждение из раствора пленок селенидов и сульфидов      71—74
Осаждение из раствора пленок, содержащих легирующую примесь      79
Осаждение из раствора, влияние значения pH      76
Осаждение из раствора, влияние комплексообразующего агента      70 71 76
Осаждение из раствора, влияние подложки      77
Осаждение из раствора, влияние температуры      78
Осаждение из раствора, кинетика      74
Осаждение из раствора, химические аспекты      70
Осаждение ионное      57
Осаждение кремния с последующим отделением пленки от подложки      132
Осаждение плазменное      111 301 303
Осаждение химическое автокаталитическое      124
Осаждение химическое из паровой фазы      91
Осаждение химическое из паровой фазы, легирование      105
Осаждение химическое из паровой фазы, парциальное давление реагентов      105
Осаждение химическое из паровой фазы, подложка, ориентация      103
Осаждение химическое из паровой фазы, подложка, температура      103
Осаждение химическое из паровой фазы, получение диэлектриков      111
Осаждение химическое из паровой фазы, получение металлов      108
Осаждение химическое из паровой фазы, получение полупроводников      107
Осаждение химическое из паровой фазы, получение сплавов      105
Осаждение химическое из паровой фазы, реакции восстановления      96
Осаждение химическое из паровой фазы, реакции газотранспортные      98
Осаждение химическое из паровой фазы, реакции газотранспортные в квазизамкнутом объеме      111
Осаждение химическое из паровой фазы, реакции полимеризации      97
Осаждение химическое из паровой фазы, реакции разложения      95
Осаждение химическое из паровой фазы, реакции, кинетика      103—105
Осаждение химическое из паровой фазы, реакции, термодинамика      102
Осаждение химическое из паровой фазы, типы систем      99
Осаждение электрогидродинамическое      131
Осаждение электролитическое      115
Осаждение электролитическое металлов      118
Осаждение электролитическое полупроводников      118 131
Осаждение электролитическое сплавов      118
Осаждение эпитаксиальное      47
Осаждение эпитаксиальное газотранспортное в квазизамкнутом объеме      111
Осаждение эпитаксиальное из жидкой фазы      129
Осаждение эпитаксиальное методом «горячих стенок»      48
Осаждение эпитаксиальное молекулярно-лучевое      48
Отношение темнового удельного сопротивления пленки к световому      146 167 175 201
Печать трафаретная      82
Печать трафаретная, оборудование      85
Печать трафаретная, подложки      83
Печать трафаретная, трафареты      86—88
Печать трафаретная, характеристики пасты      91 92
Подвижность носителей заряда в аморфном кремнии      315
Подвижность носителей заряда при прыжковом механизме проводимости      297
Подвижность носителей заряда при рассеянии границами зерен      139 152 155 159 166 185 197 199
Подвижность носителей заряда при рассеянии ионами примесей      201
Показатель поглощения      31 153 170 210 213—215
Покрытия просветляющие      225 278 281 337 350 356 373 392
Постоянная кристаллической решетки      145 153 156 172 175 177 196
Потенциал диффузионный      9 13 250 330 347 360
Проводимость ионная $Cu_2S$      178
Проводимость удельная      137 178 205 312
Проводимость удельная аморфного кремния      312—315
Проводимость, механизм прыжковый      297
Проводимость, механизм прыжковый с переменной длиной прыжка      298
Проводимость, механизмы в аморфных материалах      295—299
Проводимость, механизмы в зоне делокализованных состояний      295
Проводимость, механизмы в пленках диэлектриков      216
Проводимость, механизмы в пленках металлов      205—209
Прозрачный проводящий оксид      185
Прозрачный проводящий оксид индия и олова      198
Прозрачный проводящий оксид кадмия      196
Прозрачный проводящий оксид олова      196
Прозрачный проводящий оксид цинка      200
Прозрачный проводящий оксид, критерий качества пленок      194 204
Прозрачный проводящий оксид, получение      195
Произведение ионное      70
Произведение растворимости      70
Проницаемость диэлектрическая      216
Пульверизация с последующим пиролизом      58
Пульверизация с последующим пиролизом, осаждение      59 132
Пульверизация с последующим пиролизом, осаждение оксидов      63 68
Пульверизация с последующим пиролизом, осаждение селенидов и сульфидов      62 132
Пульверизация с последующим пиролизом, осаждение совместное      66
Пульверизация с последующим пиролизом, подложки      64
Пульверизация с последующим пиролизом, скорость роста пленок      64
Пульверизация с последующим пиролизом, состав пленок      65
Работа выхода      206 211
Распыление ионно-лучевое      56
Распыление ионное      51
Распыление ионное в тлеющем разряде      53
Распыление ионное высокочастотное      56
Распыление ионное коэффициент распыления      51 52
Распыление ионное реактивное      58
Распыление ионное скорость процесса      52 53
Распыление магнетронное      55
Реакция замещения в поверхностном слое      113—115
Рекомбинация излучательная      328
Рекомбинация на поверхности раздела, скорость      9 252 271
Ричардсона постоянная      9
Связи химические ненасыщенные      299 325
Сдвиг Бурштейна — Мосса      196 198—200
Сдвиг стоксов      380 381
Селенид кадмия      143
Селенид кадмия, получение      143
Селенид кадмия, свойства      143—150
Селенид кадмия, солнечные элементы      346—348
Селенид меди      175
Селенид меди и индия      182
Селенид меди и индия, получение      183
Селенид меди и индия, свойства      183—185
Селенид меди и индия, солнечные элементы      354—359
Селенид меди, пленки      175 176
Селенид меди, солнечные элементы      346—348
Сопротивление последовательное      241 358 370
Сопротивление слоевое      138 194
Сопротивление удельное      186—195 196—201 205—209
Сопротивление удельное, температурный коэффициент      206 211
Сопротивление шунтирующее      241 358
Спектроскопия емкостная глубоких уровней      17—21
Спектроскопия электронная для химического анализа      27 30 234
Станнат кадмия      200
Структура кристаллической решетки      22 109 135 143 150 153 156 158 159 172 175 177 183 186 196—201
Сульфид кадмия      159
Сульфид кадмия, получение      159
Сульфид кадмия, свойства оптические      170
Сульфид кадмия, свойства структурные      159
Сульфид кадмия, свойства электрические      164
Сульфид кадмия, солнечные элементы      220—273
Сульфид кадмия, сплавы      172
Сульфид меди      176
Сульфид меди, диффузионная длина неосновных носителей заряда      181
Сульфид меди, ионная проводимость      178
Сульфид меди, получение      179
Сульфид меди, потенциал разложения      178
Сульфид меди, свойства оптические      181
Сульфид меди, свойства структурные      179
Сульфид меди, свойства электрические      180
Сульфид меди, солнечные элементы      220—273
Сульфид меди, солнечные элементы на основе сплава $Zn_xCd_{1-x}S$      261
Сульфид меди, солнечные элементы, влияние на характеристики      244 251
Сульфид меди, солнечные элементы, влияние на характеристики интенсивности излучения      241 243 250
Сульфид меди, солнечные элементы, влияние на характеристики напряжения смещения      244
Сульфид меди, солнечные элементы, влияние на характеристики состава $Cu_xS$      246 257—259
Сульфид меди, солнечные элементы, влияние на характеристики спектрального состава излучения      240 243 250
Сульфид меди, солнечные элементы, влияние на характеристики температуры      241 243
Сульфид меди, солнечные элементы, емкость      247
Сульфид меди, солнечные элементы, изготовление      222—228
Сульфид меди, солнечные элементы, конструкции      223
Сульфид меди, солнечные элементы, коэффициент собирания носителей заряда      243—245
Сульфид меди, солнечные элементы, коэффициент увеличения площади перехода      250 251
Сульфид меди, солнечные элементы, КПД      236—243 269
Сульфид меди, солнечные элементы, легирование      260
Сульфид меди, солнечные элементы, микроструктура      228 265
Сульфид меди, солнечные элементы, обзор работ      220—222
Сульфид меди, солнечные элементы, пересечение темновой и световой вольтамперных характеристик      240
Сульфид меди, солнечные элементы, подложки      224
Сульфид меди, солнечные элементы, потери энергии      271—273
Сульфид меди, солнечные элементы, состав      233 257 261
Сульфид меди, солнечные элементы, спектральная чувствительность      243
Сульфид меди, солнечные элементы, термообработка      246 249 254
Сульфид меди, солнечные элементы, удельное сопротивление CdS      259
Сульфид меди, солнечные элементы, энергетическая зонная диаграмма      270
Теллурид кадмия      150
Теллурид кадмия, получение      150
Теллурид кадмия, свойства      150—153
Теллурид кадмия, солнечные элементы      340—346
Ток короткого замыкания      269 279 326 327 362—365 392 393
Ток короткого замыкания, влияние интенсивности излучения      241 282 360 369 372
Ток короткого замыкания, влияние легирования      261
Ток короткого замыкания, влияние микроструктуры      267
Ток короткого замыкания, влияние температуры      243
Ток короткого замыкания, влияние термообработки      255
Ток обратный, насыщения      8 241 252 253 283—287 323 340 347 358 361
Толщина критическая металлической пленки      209
Фосфид индия      153
Фосфид индия, пленки      153—155
Фосфид индия, солнечные элементы      349—354
Фосфид цинка      155
Фосфид цинка, пленки      155—157
Фосфид цинка, солнечные элементы      348—349
Фото- э. д. с. поверхностная      33
Фотопроводимость      33 137 147 166 167 313—315 318
Функция распределения атомов радиальная      306
Характеристики вольтамперные      8—11
Характеристики вольтамперные, влияние интенсивности излучения      241
Характеристики вольтамперные, влияние температуры      241
Электрофорез      126—128
Элементы солнечные каскадные      382
Элементы солнечные каскадные интегральные      387
Элементы солнечные каскадные интегральные, спектральная чувствительность      393
Элементы солнечные каскадные на основе аморфных полупроводников      317—334 454 455
Элементы солнечные каскадные на основе системы с расщеплением спектра      383
Элементы солнечные каскадные несбалансированные      389
Элементы солнечные каскадные с последовательным расположением элементов      383
Элементы солнечные каскадные сбалансированные      389
1 2
blank
Реклама
blank
blank
HR
@Mail.ru
       © Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ, 2004-2021
Электронная библиотека мехмата МГУ | Valid HTML 4.01! | Valid CSS! О проекте