Рассмотрены причины, вызывающие нестабильность режима работы полупроводниковых усилительных элементов - транзисторов и интегральных микросхем типа операционного усилителя. Даны методы, обеспечивающие простоту и требуемую точность расчета режима усилительных элементов, в том числе в усилителях с гальваническими связями элементов. Дан анализ ряда термостабильных усилителей, обладающих высокой эксплуатационной надежностью. Предназначена для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры, а также может быть полезна студентам вузов соответствующих специальностей.