Приведены сведения о принципе действия, схемотехнике и особенностях использования полупроводниковых постоянных запоминающих устройств, допускающих запись информации электрическим способом. Рассмотрены элементы и устройства, основанные на принципе пережигания плавких перемычек, хранения заряда в двухслойной структуре МНОП-транзистора и в изолированном затворе лавинно-инжекционного МОП-транзистора, на применении аморфных полупроводников. Приведены характеристики промышленных образцов схем памяти и программаторов.
Для инженеров и техников, занимающихся вычислительной техникой и радиоэлектроникой. Может быть полезна студентам вузов.