|
|
 |
| Авторизация |
|
|
|
| Поиск по указателям |
|
|
|
|
|
|
|
 |
|
|
|
| Шалимова К.В. — Физика полупроводников |
|
|
|
| Предметный указатель |
 переход 271
 переход 271
p-n переход 260
p-n переход, физический 250
Адиабатическое приближение 24
Аккумуляция носителей заряда 236
Акустические ветви колебаний решетки 78
Акцептор, определение 18
Акцепторный полупроводник 18 119
Амбиполярная диффузионная подвижность 239
Амбиполярная дрейфовая подвижность 238
Ангармонизм колебаний 91
Ангармонический осциллятор 92
Антизапорный слой 250
Барьер Шотгки 285
Барьерная емкость 264
Бимолекулярное рекомбинационное свечение 345
Биолюминесценция 336
Биполярная оптическая генерация носителей заряда 202
Вероятность переходов 135
Вероятность поглощения фонона 209 306
Вероятность рассеяния 135
Вероятность релаксации 147
Вертикальные переходы 305
Виды рекомбинации 336
Влияние давления 317
Влияние поля, магнитного 318
Влияние поля, электрического 318
Влияние температуры 316
Внешний фотоэффект 375
Внешняя контактная разность потенциалов 248
Внутренний фотоэффект 357
Внутренняя контактная разность потенциалов 247
Водородоподобные центры 66
Волновое число 28 71
Волновой вектор пакета 48
Волновой вектор решетки 72
Волновой вектор фонона 83
Волновой вектор электрона 28
Вольт-амперная характеристика p-n перехода 266
Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник 255 260
Время жизни дырки 208 217
Время жизни неравновесных носителей заряда 203 208 212 218
Время жизни фотона 210 306
Время жизни электрона 208 212 217
Время жизни электронно-дырочной пары 203 212 217
Время жизни, мгновенное 204 212
Время жизни, температурная зависимость 219
Время релаксации 139 152 153
Время релаксации при, рассеянии на ионах примеси 160
Время релаксации при, решеточном рассеянии 160
Время релаксации, максвелловское 205
Выпрямление на p-n переходе 264
Выпрямление на контакте металл-полупроводник 253
Вырожденный примесный полупроводник 106
Вырожденный собственный полупроводник 112
Гармонический осциллятор 76 81
Генерация носителей заряда 13 199
Генерация носителей заряда биполярная 202
Генерация носителей заряда монополярная 204
Гетеропереход 275
Демаркационный уровень 223
Дефекты 142
Дефекты, линейные 142
Дефекты, точечные 142
Диодная теория выпрямления тока 256
Дислокации 142
Диффузионная длина 234
Диффузионная скорость 234
Диффузионная теория выпрямления тока 258
Диффузионное рассеяние 292
Диффузионный ток 226
Диффузия носителей заряда 224 229 232
Диэлектрическое время релаксации 205
Длина диффузионная 234
Длина дрейфа 235
Длина затягивания 234
Длина свободного пробега, носителей заряда 14 142 147 152 153
Длина свободного пробега, фонона 210 306
Длина экранирования 231 243
Долины 60
Домен 192
Донорно-акцепторные пары 344
Донорный полупроводник 19 114
Доноры, определение 19
Дрейфовая скорость носителей заряда 15 21 48
Дрейфовый ток 226
Дырки 13 17
Дырки, легкие 62 63
Дырки, тяжелые 62 63
Емкость p-n перехода 264
Емкость контакта металл—полупроводник 252
Закон Ома 186
Закон сохранения квазиимпульса 304
Запорный слой 250
Зона Бриллюэна, первая 39
Зона валентная 16
Зона запрещенная 16
Зона примесной проводимости 124
Зона проводимости 16
Зонная структура антимонида индия 64
Зонная структура арсенида галлия 60
Зонная структура германия 60
Зонная структура кремния 60
Избыточная концентрация носителей заряда 201
Изгиб зон 241
Изоэнергетические поверхности 54
Изоэнергетические поверхности, сферические 55
Изоэнергетические поверхности, эллипсоидальные 54 55
Импульс фотона 209
Импульс электрона 50
Инверсная заселенность 352
Инверсный слой 242
Индукция магнитная 164
Инжекция 236 265
Интеграл столкновения 137
Ионизация примесей 116
Катодолюминесценцня 336
Квазиимпульс 37
Квазиуровень Ферми 201 253
Квантовые генераторы 353
Квантовый выход излучения 346
Квантовый выход фотоионизации 361
Кинетическая энергия решетки 75
Кинетическое уравнение Больцмана 133
Ковалентные кристаллы 12
Колебания атомов решетки 69 70 76
Колебания струны 69
Компоненты тензора 52
Контакт вырожденных электронного и дырочного полупроводников 277
Контакт металл-металл 246
Контакт металл-полупроводник 248
Контакт электронного н дырочного полупроводников 260
Контактная разность потенциалов 179 247 248 249
Концентрация диффузии 227
Концентрация дырок 102 104 107
Концентрация захвата 214
Концентрация ионизации 214
Концентрация носителей заряда 93 101
Концентрация носителей заряда, вырождения 108
Концентрация носителей заряда, зависимость от температуры 111 118
Концентрация отражения 302
Концентрация Пельтье 181
Концентрация поглощения 210
Концентрация пропускания 303
Концентрация рекомбинации 200
Концентрация теплового расширения 91
Концентрация теплопроводности 183
Концентрация Томсона 181
Концентрация Холла 166 170
| Концентрация экстинкции 328
Концентрация электронов 101 104 107
Коэффициент амбиполярной диффузии 238
Лавинный пробой 270
Лазеры 353
Ловушки захвата 213 222
Ловушки, рекомбинации 213 222
Люминесценция 336
Люминесценция, гашение 346
Люминесценция, мономолекулярная 337
Люминесценция, рекомбинационная 337
Магнитная проницаемость 328
Максвелловское время релаксации 204
МДП-структура 293
Наклон зон 46 107
Невырожденный примесный полупроводник 8 104
Невырожденный собственный полупроводник 109
Некристаллические полупроводники 127
Непрямые переходы 309
Неравновесная функция распределения 133 154
Неравновесные носители заряда 200
Нормальные координаты решетки 74
Область ионизации примеси 117
Область ионизации, сильной 117
Область ионизации, слабой 116
Обменный интеграл 32
Образование хвостов плотности состояния 126
Обращенный слой 242
Одноэлектронное приближение 25
Омический контакт 281
Оператор Гамильтона 23
Оптические ветви колебаний решетки 77
Переходы вертикальные 305
Переходы, внутризонные 332
Переходы, межзонные 304
Переходы, непрямые 309
Переходы, прямые 304
Периодический потенциал решетки 31
Плотность состояний 92
Плотность тока 20
Плотность тока, дырочного 157
Плотность тока, электронного 157
Поверхностная проводимость 290
Поверхностная рекомбинация 297
Поверхностные состояния 296
Поверхностные состояния, быстрые 296
Поверхностные состояния, медленные 296
Поверхностные уровни 282
Поверхностные явления 282
Поверхностный потенциал 286
Поглощение примесное 304 333
Поглощение решеточное 304 334
Поглощение света 303
Поглощение свободными носителями заряда 327
Поглощение собственное 304 309
Поглощение собственное, при непрямых переходах 309
Поглощение собственное, при прямых переходах 304
Подвижность носителей заряда 21 159 160
Подвижность носителей при эффекте поля 292
Подвижность Холла 171
Показатель поглощения 328
Показатель преломления 328
Показатель преломления, комплексный 328
Поле Холла 166
Полупроводник 8
Полупроводник акцепторный 19
Полупроводник вырожденный 106 112
Полупроводник донорный 19
Полупроводник компенсированный 120
Полупроводник компенсированный, частично 120
Полупроводник невырожденный 8 104
Полупроводник примесный 103
Полупроводник собственный 109
Полупроводник собственный, вырожденный 112
Полупроводник собственный, невырожденный 109
Поляризуемость 330
Постоянная Больцмана 96
Постоянная Планка 23
Потенциальная энергия решетки 75
Правило отбора 305
Приведенная масса 306
Приведенный квазиуровень Ферми 201
Приведенный уровень Ферми 101
Примесные зоны 126
Принцип детального равновесия 137
Принцип макроскопической обратимости 137
Принцип Паули 37
Проводимость 7 157
Процессы в p-n переходе при, обратном смещении 265
Процессы в p-n переходе при, прямом смещении 264
Процессы генерации 225
Процессы переноса 134 141
Процессы рассеяния 137
Работа выхода 244 245 246
Работа выхода из, акцепторного полупроводника 246
Работа выхода из, собственного полупроводника 246
Работа выхода из, электронного полупроводника 246
Равновесная концентрация носителей заряда 107
Равновесное состояние 138
Равновесные носители заряда 9 199
Радиолюминесценция 336
Разогрев электронно-дырочного газа 186
Рассеяние диффузное 292
Рассеяние междолинное 190
Рассеяние на акустических фононах 151
Рассеяние на атомах примеси 147
Рассеяние на дислокациях 147
Рассеяние на ионах примеси 143
Рассеяние на оптических фононах 153
Рассеяние на тепловых колебаниях решетки 148
Рассеяние, типы 132
Рассеяние, угол 144
Рекомбинация безызлучательная 206
Рекомбинация донорно-акцепторных пар 344
Рекомбинация излучательная 206
Рекомбинация межзонная 211
Рекомбинация Оже 206
Рекомбинация поверхностная 297
Рекомбинация при переходе зона-примесь 342
Рекомбинация ударная 211
Рекомбинация фононная 206
Рекомбинация фотонная 206
Рекомбинация через ловушки 213
Релаксация люминесценции 345
Релаксация фотопроводимости 362
Скорость генерации 225
Скорость групповая 270
Скорость звуковая 270
Скорость поверхностной рекомбинации 297
Скорость рекомбинации 225
Скорость фазовая 270
Скорость фононная 270
Скорость фотонная 306
Слой объемного заряда p-n перехода 263
Собственная концентрация 110
Соотношение Эйнштейна 228
Соударения неупругие 141
Соударения упругие 141
Спектр излучения 337
Спектр отражения 302
Спектр поглощения 303
Спонтанное излучение 347
Статистика Бозе — Эйнштейна 83
Статистика Больцмана 98
Статистика Ферми — Дирака 96
Статистика фононов 82
Степень вырождения 100
Стимулированное излучение 349 352
Сферические поверхности равной энергии 55
Температура вырождения 108
|
|
|
| Реклама |
|
|
|
|
|
О проекте