|
|
 |
| Авторизация |
|
|
|
| Поиск по указателям |
|
|
|
|
|
|
|
 |
|
|
|
| Ашкрофт Н., Мермин Н. — Физика твердого тела (том 2) |
|
|
|
| Предметный указатель |
f-функция I 349
g-фактор Ланде II 270 388
g-фактор Ланде электронный I 275 II
p — n-переход II 210—232
p — n-переход, вольт-амперная характеристика II 220
p — n-переход, выпрямляющее действие II 217—220 225—
p — n-переход, диффузионная область II 225-228
p — n-переход, диффузионная область, поля в ней II 232
p — n-переход, диффузионный ток II 221
p — n-переход, дрейфовый ток II 221
p — n-переход, изгиб зон II 214
p — n-переход, изготовление II 210 211
p — n-переход, концентрация неосновных носителей II 217 229
p — n-переход, концентрация носителей неравновесная II 227
p — n-переход, концентрация носителей равновесная II 212—217
p — n-переход, обедненный слой (область пространственного заряда) II 210—217 225—231
p — n-переход, обедненный слой в равновесном случае II 212—217
p — n-переход, обедненный слой, размеры в неравновесном случае II 218
p — n-переход, обедненный слой, размеры в равновесном случае II 216 217
p — n-переход, обедненный слой, токи в нем II 225—227 232
p — n-переход, обратное смещающее напряжение II 225
p — n-переход, однородная область II 226—229
p — n-переход, падение потенциала в неравновесном случае II 218
p — n-переход, падение потенциала в равновесном случае II 213—217
p — n-переход, плотность заряда в неравновесном случае II 218
p — n-переход, плотность заряда в равновесном случае II 217
p — n-переход, ток генерации II 219 225 230
p — n-переход, ток насыщения II 220 225
p — n-переход, ток неосновных носителей II 228 220
p — n-переход, ток рекомбинации II 219
p — n-переход, ток рекомбинации, связь с током генерации II 219 9 (см. также «Полупроводники»)
Адиабатическое приближение в металлах II 139
Адиабатическое приближение, аналитическое обоснование II 155 (с)
Адиабатическое размагничивание II 275—277
Акустические моды II 64—66
Акустические моды и оптические моды II 64 65
Акустические моды и полиатомные базисы II 66 (см. также «Колебания решетки; Фононы»)
Акцепторные примеси II 199 (см. также «p — n-переход»; «Полупроводники»; «Примеси в полупроводниках»
Аморфные твердые тела I 74
Аморфные твердые тела, аномальные тепловые свойства II 133 (с)
Аморфные твердые тела, дифракция рентгеновских лучей I 104 (с)
Ангармонические члены II 50 115—137
Ангармонические члены и n-фононные процессы II 387
Ангармонические члены и второй звук II 133—135
Ангармонические члены и мягкие моды II 181
Ангармонические члены и параметр Грюнайзена II 136
Ангармонические члены и процессы переброса II 129—132
Ангармонические члены и рассеяние фононов II 124—126
Ангармонические члены и резонансная линия, соответствующая остаточным лучам II 176
Ангармонические члены и сохранение квазиимпульса II 126
Ангармонические члены и тепловое расширение II 117—120 122 123
Ангармонические члены и теплоемкость при высоких температурах II 57 82 83
Ангармонические члены и теплопроводность II 123—133
Ангармонические члены и термодинамические свойства II 117—120
Ангармонические члены и упругие постоянные II 116
Ангармонические члены и ширина однофононных максимумов II 104—106
Ангармонические члены кубические члены и законы сохранения II 117 136 137
Ангармонические члены кубические члены и нестабильность, обусловленная ими II 117 136
Ангармонические члены кубические члены и переходы, происходящие благодаря им II 125 126
Анион II 12
Аномальный скин-эффект I 278
Антипод центра окраски II 242
Антисвязывающие состояния II 293 (с)
Антистоксова компонента II 209
Антиферромагнетизм II 286 309—311
Антиферромагнетизм в модели Гейзенберга II 317 318
Антиферромагнетизм в модели Хаббарда II 300
Антиферромагнетизм свободных электронов II 299 (с)
Антиферромагнетизм, восприимчивость II 315 332
Антиферромагнетизм, одномерная цепочка (решение Бете) II 318
Антиферромагнетизм, теория молекулярного поля II 332 (с) 338
Антиферромагнетизм, энергия основного состояния II 317 337
Аппроксиманты Паде II 326 (с)
Атомные плоскости I 99—103
Атомные плоскости, индексы Миллера I 101—103
Атомные плоскости, семейства I 100
Атомные плоскости, соглашение об обозначениях I 102 103
Атомные плоскости, соответствие с векторами обратной решетки I 99—101
Атомный гамильтониан I 182 185
Атомный форм-фактор I 116
Базис II 87
Базоцентрированная ромбическая решетка Бравэ II 125
Бесщелевая сверхпроводимость II 341 (с)
Благородные металлы I 287—292
Благородные металлы, дырочные орбиты в них I 291
Благородные металлы, зонная структура и поверхность Ферми I 53
Благородные металлы, коэффициент Холла I 30
Благородные металлы, магнетосопротивление I 71 292
Благородные металлы, модуль всестороннего сжатия I 71 292 297 298
Благородные металлы, оптические свойства I 297 298
Благородные металлы, постоянная решетки I 82
Благородные металлы, теплоемкость I 62
Ближайший сосед I 83
Блоховская стенка II 334—336
Блоховские функции s- и p-типа в приближении почти свободных электронов I 165 166
Блоховские электроны s-типа и p-типа I 165
Блоховские электроны в одномерном случае I 152—156
Блоховские электроны в постоянном электрическом поле I 227
Блоховские электроны и свободные электроны I 216
Блоховские электроны на поверхностях I 366—370
Блоховские электроны, волновой вектор I 143—147
Блоховские электроны, динамика I 216—244
Блоховские электроны, дырки I 228—232
Блоховские электроны, орбиты в магнитном поле I 232—237
Блоховские электроны, орбиты в магнитном поле, квантование I 271—273
Блоховские электроны, орбиты в магнитном поле, период I 236
Блоховские электроны, отсутствие столкновений со статической решеткой I 218 II
Блоховские электроны, плотность уровней I 149—152
Блоховские электроны, скорость I 147 379 380
Блоховские электроны, теорема об эффективной массе I 379 380
Блоховские электроны, эффективная масса (динамическая) I 231 232
Бозе — Эйнштейна конденсация I 51 (с)
Бозе-газ, идеальный II 81
Борна — Кармана граничное условие см. «Граничные условия»
Боровский радиус I 79
Боровский радиус для примесного уровня в полупроводнике II 201
Боровский радиус точное численное значение I 371
Бриллюэновское рассеяние II 49 108—111
Бриллюэновское рассеяние, классическая картина II 108—111
Бриллюэновское рассеяние, стоксовы и антистоксовы компоненты II 109
Брэгговские максимумы (пики) I 105
Брэгговские максимумы (пики) и магнитные пики II 312 313
Брэгговские максимумы (пики) и фактор Дебая — Валлера II 385 386
Брэгговские максимумы (пики) при бесфононном рассеянии II 100
Брэгговские плоскости I 107 108
Брэгговские плоскости и почти свободные электроны I 162—166
Брэгговское отражение I 108 109
Брэгговское отражение, порядок I 106
Вакансии II 233 234
Валентные зоны I 155
Валентные зоны в металлах I 197
Валентные зоны в полупроводниках II 185
Валентные зоны ионного остова I 198
Валентные зоны, волновые функции I 197—199
Валентные зоны, волновые функции, сравнение с волновыми функциями I 197—199
Валентные электроны I 18
Валентные электроны и фундаментальные трудности в модели свободных электронов I 72
Валентные электроны, разрешение трудностей I 226
Вандерваальсовские силы см. «Флуктуационно-дипольные силы»
Вариационный принцип для уравнения Больцмана I 327 328
Вариационный принцип для уравнения Шредингера с периодическим потенциалом I 383 384
Вектор Бюргерса II 250—252
Векторный потенциал в полуклассических уравнениях движения I 385
Векторный потенциал и магнетизм электронов II 261
Верхнее критическое поле II 346
Взаимодействие см. «Дальнодействующее взаимодействие»; «Дипольное магнитное взаимодействие»; «Ион-ионное взаимодействие»; «Магнитное взаимодействие»; «Электрон-ионное взаимодействие»; «Электрон-фононное взаимодействие»; «Электрон-электронное взаимодействие»
Вигнеровский кристалл II 299
Винтовая дислокация II 249 250
Винтовая ось I 121 (с) 134
Вихревые линии в сверхпроводниках II 347 348
| Вихревые линии в сверхпроводниках и квант магнитного потока II 348 (с)
Вихревые линии в сверхпроводниках и теория Гинзбурга — Ландау II 363 (с)
Волновой вектор Ферми I 49 51
Волновой вектор Ферми выраженный через  I 49
Волновой вектор Ферми и электронная плотность в приближении свободных электронов I 49
Волновой вектор Ферми соотношение с дебаевским волновым вектором II 86 (с)
Волновые векторы, их плотность I 48 143
Волновые пакеты фононные II 124
Волновые пакеты электронные I 219 220
Волновые функции электронов в атоме и межатомное расстояние I 181 116
Волны спиновой плотности II 299
Восприимчивость магнитная II 260
Восприимчивость магнитная антиферромагнетиков II 315
Восприимчивость магнитная атомная II 261—265 268—270
Восприимчивость магнитная атомов инертных газов II 264
Восприимчивость магнитная в приближении молекулярного поля (закон Кюри — Вейсса) II 332
Восприимчивость магнитная высокотемпературная (в модели Гейзенберга) II 323—326
Восприимчивость магнитная высокотемпературная и вычисление критической температуры II 326
Восприимчивость магнитная диамагнитная Ландау II 280 282
Восприимчивость магнитная диамагнитная Лармора II 263—265
Восприимчивость магнитная ионов в щелочно-галоидных соединениях II 264
Восприимчивость магнитная ионов с частично заполненными оболочками II 268—270
Восприимчивость магнитная Ланжевена II 264 (с)
Восприимчивость магнитная молярная II 264
Восприимчивость магнитная парамагнитная Паули см. «Парамагнетизм»
Восприимчивость магнитная, особенность при  II 315
Время между столкновениями см. «Время релаксации»
Время рекомбинации II 223
Время релаксации I 21
Время релаксации для изотропного упругого рассеяния электронов на примесях I 326
Время релаксации для фононов II 126—131
Время релаксации для фононов в процессах переброса и нормальных процессах II 135
Время релаксации для электрон-фононного рассеяния II 151
Время релаксации для электрон-электронного рассеяния I 346—348
Время релаксации и вероятность столкновения I 316
Время релаксации и распределение Пуассона I 40 41
Время релаксации, выраженное через удельное сопротивление I 23
Время релаксации, зависящее от координат I 250 (с)
Время релаксации, зависящее от координат в полупроводниках II 221 223
Вронскиан I 154
Второй звук II 133—135
Выпрямляющее действие p — п-перехода II 217—220 225—230
Вырожденные полупроводники II 195 (см. также «Полупроводники»
Газ классический, распространение звука в нем II 134 135
Газ классический, сравнение с газом фононов II 128 (с) 131 134
Газ классический, сравнение с электронами в невырожденных полупроводниках II 207 208
Газ электронов см. «Приближение свободных электронов»; «Электронный газ»
Гальваномагнитные эффекты см. «Магнетосопротивление»; «Эффект Холла»
Гармонический осциллятор (квантовый) II 371
Гармоническое приближение II 52 53 115
Гармоническое приближение и бесконечная теплопроводность II 124
Гармоническое приближение и зависимость частот нормальных колебаний от объема II 118 119
Гармоническое приближение и теория теплоемкости II 79—96
Гармоническое приближение, динамический структурный фактор в этом Гармоническое приближение, приближении II 383—385
Гармоническое приближение, его недостаточность II 115 116
Гармоническое приближение, используемое для описания колебаний решетки II 50—78
Гармоническое приближение, квантовая теория II 371—374
Гармоническое приближение, отличие от предположения о малой амплитуде колебаний II 115
Гармоническое приближение, форма в случае парного потенциала II 53
Гармоническое приближение, энергетические уровни N-ионного кристалла II 80 (см. также «Ангармонические члены»; «Колебания решетки»; «Фононы»)
Гексагональная кристаллическая система I 126 127
Гексагональная плотноупакованная структура I 86—91
Гексагональная плотноупакованная структура и гранецентрированная кубическая решетка Бравэ I 90
Гексагональная плотноупакованная структура и плотная упаковка сфер I 90
Гексагональная плотноупакованная структура и почти свободные электроны I 173—175 299 300
Гексагональная плотноупакованная структура, отношение с/а I 89 90
Гексагональная плотноупакованная структура, спин-орбитальное взаимодействие в ней I 175 299
Гексагональная плотноупакованная структура, структурный фактор I 117 118
Гексагональная плотноупакованная структура, элементы с этой структурой I 89 (см. также «Простая Гексагональная решетка Бравэ»
Гелий твердый давление кристаллизации (при Т = 0) II 28 (с)
Гелий твердый давление кристаллизации (при Т = 0) и гармоническое приближение II 53
Гелий твердый давление кристаллизации (при Т = 0) и предположение о малой амплитуде колебаний II 115 117
Гелий твердый давление кристаллизации (при Т = 0) и рассеяние нейтронов (в  ) II 97
Гелий твердый давление кристаллизации (при Т = 0) и теория квантовых кристаллов II 51 (с)
Геликоны I 41 42
Генерация носителей тока II 223 (см. также «Полупроводники»)
Геометрический структурный фактор см. «Структурный фактор»
Гибридизация I 185
Гистерезис (магнитный) II 335
Глубина проникновения II 353 (см. также «Сверхпроводимость»; «Уравнение Лондонов»)
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ I 81 82
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ и гексагональная плотноупакованная Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ структура I 90 91
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ и плотная упаковка сфер I 91
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, p-зоны в методе сильной связи I 193
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, s-зоны в методе сильной связи I 186—188
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, зоны Бриллюэна выше первой I 169
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, координационное число I 83
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, основные векторы I 81
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, основные векторы обратной Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, решетки I 97 98
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, первая зона Бриллюэна I 99
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, первая зона Бриллюэна обозначения точек высокой симметрии I 188
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, поверхность Ферми в приближении свободных электронов I 171 172
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, решетка, обратная к ней I 97
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, решеточные суммы II 30 31
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, связь с центрированной тетрагональной решеткой I 124
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, упаковочный множитель I 94
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, уровни свободных электронов в ней I 167
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, условная ячейка I 85
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, элементы с этой решеткой I 82
Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ, ячейка Вигнера — Зейтца I 86
Гранецентрированная ромбическая решетка I 125
Граница зерен II 253
Граница кручения II 255
Граничные условия I 46
Граничные условия Борна — Кармана (периодические) для блоховских электронов I 142
Граничные условия Борна — Кармана в методе сильной связи I 183 (с)
Граничные условия Борна — Кармана для линейной цепочки II 59
Граничные условия Борна — Кармана для свободных электронов I 46
Граничные условия Борна — Кармана для спиновых волн II 319 (с)
Граничные условия для газа свободных электронов I 46
Граничные условия на поверхностях I 368
Группа см. «Пространственные группы»; «Точечные группы»
Дальнодействующее взаимодействие и колебания в ионных кристаллах II 170—173
Дальнодействующее взаимодействие и колебания в металлах II 139
Дальнодействующее взаимодействие и колебания решетки II 68 (с) 76
Дальнодействующее взаимодействие и работа выхода I 354
Дальнодействующее взаимодействие и решеточные суммы II 34—37 (см. также «Кулоновский потенциал»)
Двойникование II 250 (с) 254
Двойной слой на поверхности I 357 358
Двоякопреломляющие кристаллы I 390
Двухвалентные металлы I 298—300
Двухжидкостная модель II 351
де-Бройля длина волны I 47
де-Бройля длина волны, численная связь с энергией электронов I 365
Дебаевская температура  для некоторых элементов II 88
Дебаевская температура щелочно-галоидных кристаллов II 87
Дебаевская температура , зависимость от температуры II 87 88
Дебаевская частота  II 86
Дебаевская частота, сравнение с энергией Ферми II 155
Дебаевский волновой вектор II 85 86
Дебаевский волновой вектор, соотношение с фермиевским волновым вектором II 86 (с)
Дельта-символ Кронекера I 96
Дефекты в кристаллах II 233—258
Дефекты в кристаллах двумерные II 233 254 255
Дефекты в кристаллах дислокации II 247—255
Дефекты в кристаллах и проводимость ионных кристаллов II 238 239
Дефекты в кристаллах и процесс намагничивания II 335
Дефекты в кристаллах и центры окраски II 239—243
Дефекты в кристаллах смешанные Френкеля и Шоттки II 256
Дефекты в кристаллах точечные, линейные и двумерные II 233
Дефекты в кристаллах Френкеля II 237
Дефекты в кристаллах Шоттки II 234 (см. также «Дислокации»; «Центры окраски»)
Дефекты в кристаллах, границы зерен II 255
Дефекты в кристаллах, дефекты упаковки II 254
Дефекты в кристаллах, как рассеивающие центры I 218 314
Дефекты в кристаллах, магнитные примеси II 302—304
Дефекты в кристаллах, отжиг II 238
Дефекты в кристаллах, термодинамика линейных и двумерных дефектов II 237 238
Дефекты в кристаллах, термодинамика точечных дефектов (Френкеля, Шоттки или смешанных) II 234—238 256
Деформационное упрочнение II 253
|
|
|
| Реклама |
|
|
|
|
|
О проекте