Барыбин А.А. — Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы. Учебное пособие для ВУЗов :: Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ

Главная Ex Libris Книги Журналы Статьи Серии Каталог Wanted Загрузка ХудЛит Справка Поиск по индексам Поиск Форум

Авторизация

Поиск по указателям

Барыбин А.А. — Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы. Учебное пособие для ВУЗов

Обсудите книгу на научном форуме

Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter

Название: Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы. Учебное пособие для ВУЗов

Автор: Барыбин А.А.

Аннотация:

В книге изложены основные физические явления и закономерности, лежащие в основе технологических методов и процессов, используемых в производстве современных электронных приборов и интегральных микросхем. Изложение материала построено так, чтобы дать читателю возможность самостоятельно сформировать общие физико-технологические представления путем изучения основных физических, химических и электрохимических закономерностей, как правило, без обращения к другой литературе. Для углубленного изучения отдельных вопросов в конце книги приведен список рекомендуемой литературы.

Язык:

Рубрика: Технология/

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Издание: 1ое издание

Год издания: 2006

Количество страниц: 423

Добавлена в каталог: 08.11.2009

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID

Предметный указатель

Агрегатные превращения      80—84
Адиабатический процесс      31
Адсорбция гиббсовская      331—332
Адсорбция физическая      343—346
Адсорбция физическая изотерма Ленгмюра      351
Адсорбция химическая      346—348
Адсорбция, роль в газопоглощении материалов      352—353
Активированный комплекс      237
Активировка катода      200
Активность компонента      55
Акцептор      193
Анион      153
Ассоциация      64
Атермальный раствор      57
Бертоллиды      121
Ближний порядок      62
Буферные растворы      155
Вакансии      191 194
Величины интенсивные      44
Величины парциальные мольные      45
Величины экстенсивные      44
Внутренняя энергия      24
Внутренняя энергия идеального газа      48
Водородный показатель      155
Восстановление катодное      159 169 183
Время релаксации      30
Газопроницаемость материалов      257—260
Гальванический элемент      158
Гидратация      64 153
Грамм-атом      22
Грамм-ион      22
Грамм-эквивалент      22
Граница отражающая      243
Граница связывающая      243
Давление диссоциации      134
Давление насыщенного пара      69 85—95
Давление парциальное      48 91
Давление стандартное      49 52
Дальний порядок      62
Дальтониды      121
Дефекты акцепторные      193
Дефекты амфотерные      193 223—225
Дефекты донорные      193
Дефекты примесные      192
Дефекты примесные внедрения      192 193
Дефекты примесные замещения      192 193
Дефекты решетки      191—194
Дефекты собственные      191 213—223
Дефекты собственные по Френкелю      216
Дефекты собственные по Шоттки      215
Дефекты собственные, вакансии      191 194
Дефекты собственные, междоузельные атомы      191
Диаграммы без твердых растворов      108—111
Диаграммы дистектические      123
Диаграммы плавкости бинарных систем      100 106
Диаграммы с неограниченным твердым раствором      111—114
Диаграммы с ограниченными твердыми растворами      115—120
Диаграммы с химическими соединениями в твердой фазе      120—126
Дислокации винтовые      191 378
Дислокации краевые      191
Дислокации, несоответствия      380
Диффузионные задачи легирования полупроводников      261—267
Диффузионные задачи обезгаживания материалов      244—252
Диффузия из поверхностного источника с отражающей границей      265—267
Диффузия из полуограниченного источника      262—265
Диффузия из постоянного источника      261—262
Донор      192
Закон Аррениуса      233
Закон Генри      97
Закон Гесса      34
Закон Дальтона      48
Закон действия масс      129—134
Закон Оствальда      157
Закон Рауля      91
Закон Рауля — Генри      93
Закон Сивертса      99
Закон сохранения энергии      27—30
Закон Фика      241—243
Идеальный газ      47
Идеальный газ внутренняя энергия      48
Идеальный газ термодинамические функции      47—51
Идеальный газ уравнение состояния      47
Идеальный газ химический потенциал      49
Идеальный раствор      56
Ингибитор      238
Ионное произведение воды      154 177
Ионное равновесие      152—157
Катализатор      238
Катион      153
Квазихимический метод      200—203
Кинетика диффузионная      244—253 261—267 274—281 283—286 320—323
Кинетика термического окисления      286—293
Кинетика физической адсорбции      349—352
Кинетика химическая      234—238 274—281
Кинетика химическая, основной постулат      232
Кинетика химического травления      293—299
Кинетика химического транспорта веществ в проточных системах      305—309
Кинетика химического транспорта веществ в сэндвич-системах      310—318
Кинетика электрохимическая      323—326
Коннода      107
Константа диссоциации      155
Константа скорости реакции      232 234—236
Константа химического равновесия      130—134
Контакт материальный      28
Контакт механический      28
Контакт тепловой      28
Концентрация в мольных долях      44 48
Концентрация мольно-объемная      44 48
Коэффициент(ы) активности      55 62
Коэффициент(ы) газопроницаемости      257
Коэффициент(ы) диффузии      230 241
Коэффициент(ы) диффузионного массопереноса      278
Коэффициент(ы) распределения (сегрегации)      104
Коэффициент(ы) растворимости      97—100
Коэффициент(ы) стехиометрические      35 72 129 231
Коэффициент(ы) Темкина — Шварцмана      399—400
Коэффициент(ы) электронного переноса      325
Краевой (контактный) угол      363
Кривая испарения      81—82
Кривая плавления      81—82
Кривая сублимации (возгонки)      81—82
Кристаллизация движущая сила процесса      355—359
Кристаллизация неравновесная      114
Кристаллизация равновесная      107 108—110 112—113 117—119
Критический зародыш      361
Критическое пересыщение      359
Линия ликвидуса      104 105 108 111 116—119
Линия солидуса      104 105 111 116—119
Люминесценция      199
Макросостояние системы      22
Метод термической очистки      255
Метод физического осаждения      356—358
Метод химического осаждения      359
Метод химической очистки      255
Механизм роста пленок      373—380
Механизм роста пленок зародышевый      373—375
Механизм роста пленок послойный      376—377
Механизм роста пленок спиральный      377—379
Механизм удаления загрязнений      381—385
Механизм формирования соединений      385—390
Микросостояние системы      22
Мицелла      383
Модель зародышеобразования двухмерная      367—370
Модель зародышеобразования трехмерная      363—367
Моль      22
Мольная доля      44 48
Насыщенный пар      69 85
Насыщенный пар, парциальное давление      85
Насыщенный пар, парциальное давление, зависимость от кривизны поверхности      338—339
Насыщенный пар, парциальное давление, зависимость от полного давления      87

Насыщенный пар, парциальное давление, зависимость от температуры      86—89
Насыщенный раствор      69
Начала термодинамики      21 25 26 30
Область гомогенности      121
Область протекания процессов диффузионная      275 292 297 317
Область протекания процессов кинетическая      275 291 298 317
Окисление анодное      159 169 183
Осаждение катодное      159 169 183
Перенапряжение      159
Перенапряжение водорода      186
Перенапряжение диффузионное      320
Перенапряжение кислорода      186
Перенапряжение разряда      323
Перенапряжение фазовое      320
Перенапряжение электродное      186 318
Перенапряжение электрохимическое      320
Перитектика      116
Перитектическая горизонталь      107 116
Площадка нонвариантности      109 118
Поверхностно-активные вещества      334 383—384
Поверхностное давление      335—338
Поверхностное натяжение      331—332
Полупроводники компенсированные      196
Полупроводники примесные      194 206—208
Полупроводники примесные n-типа      195
Полупроводники примесные p-типа      196
Полупроводники сильно легированные      198
Полупроводники собственные      196 203—206
Поляризация электрода концентрационная      160 320
Поляризация электрода химическая      160 318
Постоянная Авогадро      22 408
Постоянная Больцмана      23 408
Постоянная универсальная газовая      47 408
Постоянная Фарадея      22 408
Постулат Планка      25
Потенциал изобарно-изотермический (изобарный)      38
Потенциал изобарный химической реакции      72
Потенциал изохорно-изотермический (изохорный)      38
Потенциал изохорный химической реакции      138
Потенциал химический      29 43—45 52—53
Потенциал электрический      74—76 168
Потенциал электродный      165 171
Потенциал электрохимический      75
Поток вещества диффузионный      230
Поток вещества конвективный      277
Поток вещества стефановский      279
Поток вещества химический      275
Правило рычага      107 113—114
Правило Трутона      89
Правило фаз Гиббса      73—74
Предельный ток диффузии      320
Примесь акцепторная      193
Примесь амфотерная      193
Примесь внедрения      192 193
Примесь глубокая      198
Примесь донорная      192
Примесь замещения      192 193
Примесь мелкая      194
Принцип Ле Шателье      147
Принципы вакуумного обезгаживания материалов      253—256
Принципы диффузионного легирования полупроводников      267—274
Принципы диффузионного легирования полупроводников из парогазовой фазы      267—268
Принципы диффузионного легирования полупроводников из поверхностных источников      268—270
Принципы эпитаксии      299—305
Принципы эпитаксии газофазной      302—305
Принципы эпитаксии жидкофазной      300—302
Произведение растворимости      157
Процесс адиабатический      31
Процесс диффузионный      229—230 238—241
Процесс изобарный      32—34
Процесс изотермический      32 38—41
Процесс изохорный      32—34
Процесс ионный      152—157 176—188
Процесс квазистатический      31
Процесс кинетический      230—232 234—237
Процесс необратимый      26 31 36—38
Процесс неравновесный      26 27
Процесс обратимый      26 31
Процесс равновесный      26 27
Процесс релаксационный      30
Процесс самопроизвольный      39
Процесс термоактивационный      228—234
Псевдоморфный слой      379
Работа      28—29
Работа выхода электрона      200
Работа механическая      29 162
Работа электрическая      162—163
Равновесие газов и конденсированных сред      85—100
Равновесие жидкой и твердой фаз      101—107
Равновесие ионное      152—157
Равновесие фазовое      70—71 75
Равновесие химическое      71—73
Равновесие электронно-дырочное      208
Равновесие электрохимическое      76—77 165
Раствор атермальный      57—58
Раствор буферный      155
Раствор жидкий      63—65
Раствор идеальный      56—57
Раствор насыщенный      69 96
Раствор отрицательный      55 60
Раствор положительный      55 60
Раствор предельно-разбавленный      61
Раствор регулярный      58—62
Раствор твердый внедрения      63 68
Раствор твердый вычитания      63
Раствор твердый замещения      63 68
Раствор твердый неограниченный      63 111
Раствор твердый ограниченный      63 115
Раствор твердый упорядоченный      63
Раствор электролитов      152—157
Растворение анодное      159 169 183
Растворимость      69
Растворимость газов в конденсированных средах      67—69 352—354
Растворимость газов в конденсированных средах атомарная      68 98—100
Растворимость газов в конденсированных средах молекулярная      68 96—98
Растворимость примесей в полупроводниках      208—212
Растворимость примесей в полупроводниках, ретроградный ход      212
Система адиабатически-изолированная      29
Система гетерогенная      70
Система гомогенная      70
Система замкнутая      25
Система однокомпонентная      81—89
Система открытая      29 38—40
Система электрохимическая      158
Скорость зародышеобразования      370—372
Скорость химической реакции      231 276
Скорость химической реакции, константа скорости      232 235—236
Сольватация      64 153
Состояние переходное      236
Состояние стандартное      35 51—53
Статистический вес      23 213
Температура кипения      89 90 92
Температура кристаллизации      82 102—105
Температура перитектики      116
Температура плавления      82 102
Температура разложения      135
Температура статистический смысл      26—27
Температура тройной точки      82
Температура фазового перехода      83
Температура эвтектики      109 115
Теплоемкость      33 54 396
Теплота адсорбции      344 347
Теплота изобарного процесса      32—34 43
Теплота изохорного процесса      32—34 43
Теплота испарения      66—67
Теплота кристаллизации      104 357
Теплота образования соединения (стандартная)      35 53 395—398
Теплота плавления      66—67
Теплота растворения      98 99
Теплота фазового перехода      34 83

1 2

О проекте