Главная    Ex Libris    Книги    Журналы    Статьи    Серии    Каталог    Wanted    Загрузка    ХудЛит    Справка    Поиск по индексам    Поиск    Форум   
blank
Авторизация

       
blank
Поиск по указателям

blank
blank
blank
Красота
blank
Ashburn P. — SiGe Heterojunction Bipolar Transistors
Ashburn P. — SiGe Heterojunction Bipolar Transistors



Обсудите книгу на научном форуме



Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter


Название: SiGe Heterojunction Bipolar Transistors

Автор: Ashburn P.

Аннотация:

SiGe HBTs is a hot topic within the microelectronics community because of its applications potential within integrated circuits operating at radio frequencies. Applications range from high speed optical networking to wireless communication devices.

The addition of germanium to silicon technologies to form silicon germanium (SiGe) devices has created a revolution in the semiconductor industry. These transistors form the enabling devices in a wide range of products for wireless and wired communications.


Язык: en

Рубрика: Технология/

Статус предметного указателя: Неизвестно

ed2k: ed2k stats

Издание: 1st edition

Год издания: 2003

Количество страниц: 262

Добавлена в каталог: 05.07.2009

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID
blank
Предметный указатель
blank
Реклама
blank
blank
HR
@Mail.ru
       © Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ, 2004-2024
Электронная библиотека мехмата МГУ | Valid HTML 4.01! | Valid CSS! О проекте