Главная    Ex Libris    Книги    Журналы    Статьи    Серии    Каталог    Wanted    Загрузка    ХудЛит    Справка    Поиск по индексам    Поиск    Форум   
blank
Авторизация

       
blank
Поиск по указателям

blank
blank
blank
Красота
blank
Ehrenberg W. — Electric Conduction in Semiconductors and Metals
Ehrenberg W. — Electric Conduction in Semiconductors and Metals

Читать книгу
бесплатно

Скачать книгу с нашего сайта нельзя

Обсудите книгу на научном форуме



Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter


Название: Electric Conduction in Semiconductors and Metals

Автор: Ehrenberg W.

Язык: en

Рубрика: Физика/

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Год издания: 1958

Количество страниц: 240

Добавлена в каталог: 09.11.2008

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID
blank
Предметный указатель
Abeles      206
Absolute thermoelectric power      68
Abundancy region      278
Acceleration of electrons      7 12 99 111
Acceptor traps      42
Acceptors      27 42 125 128 345
Acoustical modes      180
Alkali metals      120
Allowed bands      91
Alpha ($\alpha$, current amplification factor)      307 332 333 337 342
Aluminium      22 140 213
Aluminium antimonide      260 369
Aluminium oxide      244
Andrews      242
Angstroem      340
Ansbacher      373
anthracene      261 262
Antimony      213
Area rectifiers      263
Arsenic      138 213
Arthur      370
Atomic spectrum      103
Average effective mass      146
Baltensperger      243
Banbury      361 366 370
Band structure      113—118 128 133
Bardeen      231 263 303 305 307 319 361
Bardsley      370
Barium oxide      244
Barrier, barrier layer      237 267 272 284 286 292
Base connexion      305
Baumbach      242
Bell      129
Bell Telephone Co.      305 311
Benzer      303
Beryllium      140
Bethe      172
Bismuth telluride-tellurium couples      261
Bloch      82
Bloch's theorem, equation      88 89 105
Blocking layer      see "Barrier"
Bloom      240
Body-centred cubic lattice      128
Bohr orbits      108 166
Boltaks      258
Boltzmann      373
Boltzmann's constant      11 35
Boltzmann's distribution, statistics      see "Classical statistics"
Boltzmann's equation      13 323
Boltzmann's integro-differential equation      49 52 53 65 190
Born      82
Born — Karman boundary condition      85 87 150
Boron      140 213
Bottom region      11 117 121
Boundary between conductors      18 34 116 197 237 263 274 305
Boundary condition      83 85
Brattain      63 303 305 307 319 361
Bray      302 351 360 367
Breakdown in p-n junctions      328
Brebrick      240 251
Brillouin      82
Brillouin zones      109 111 131 145
Bronstein      34
Brown      370
Bulk lifetime      316 see
Burstein      260
Burton      220 232 348
Busch      243 244 375
Cadmium      22
Cadmium antimonide      258
Caesium      169 174
Callaway      131
Capacity of barriers      284 288
Capture cross-section      345 348
Carrier extraction      370
Carrier injection      260 305
Carriers      7 see "Holed" "Minority
Cat-whisker      263 305 309
Catalyst (for generation of carriers)      363
Cauchois      138
Cellular method      129
Characteristic temperature      165
Charge density      84 92 see
Charge distribution near contact      274—282
Chemical barrier      293
Classical statistics, approximation      36 42 44 186
Clausius      159
Collector      305 321 342
Collisions      8 10 49 51 57 142 328
Compensating field $(F_{c})$      18 30 31 66 73 80 196
Compensation      126
Conduction band      121 131 191
Conduction processes      92
Contact potential      269 273 274
Conwell      58 59
copper      22 169 174
Copper oxide rectifier      264 289
Cores      104
Costellan      243
CP-4 etch      316
Cronemeyer      244 248
Crystal rectifiers      263
Cubic lattices      82 104 110 147
Cubic symmetry      129
Cupric selenide, sulphide, telluride      304
Cuprous oxide      23 304
Cuprous sulphide      304
Current amplification      307
Current gain      335
Cyclotron resonance      142
Davidov      263
Decay of injected carriers      315
Degenerate electron gas      40 63
Density of carriers      119 121 127
Density of electrons      18 22 36 44 46 71 73 76 124
Density of states      91 117
Detailed balancing      346
Diamagnetic resonance      see "Cyclotron resonance"
diamond      138 140
Dielectric breakdown      188
dielectric constant      138
Differential conductance of rectifier      297
Diffusion      8 14
Diffusion equation for minority carriers      311 315
diffusion length      260 326 389
Diffusion potential      285 362
Diffusion theory of rectification      293
Dingle      142
Diode gap      268
Diode theory of rectification      292
Dipoles      179
Dislocations      222 358
Displaced atoms      147 149 154
Donors      26 42 124 126 345
Double layer      272
Douglas      261
Dresselhaus      142
Drift      9 49
Drift mobility      235
Drift velocity      9 25
Drude      17 34
Dunlap      216
Eckard      34
effective mass      112 123 145
Ehrenberg      241 373
Eigenfunction, eigenvalue      85 90 91 97 106 154 182
Eindhoven      252
Einstein's relation      13
Elastic collisions      51
Elastic waves      153
Electric conductivity      1 19 22 27 66 72 75 79 188
Electric current      64 195 197
Electron affinity      166
Electrons      7 25
Elementary Semiconductors      209
Emitter      305
Emitter admittance      335 336
Energy      20 28 34 83 372
energy bands      91 190
Energy flow      20 28 64 195
Energy gap      123 127 135 138 260
Energy surface      110 146
entropy      41
Ettingshausen coefficient      3 248
Exhaustion region      278 310
expectation value      94 182
Extrinsic semiconductors      26 40 119 121 127
Face-centred cubic lattice      128
Fan      135 216 345 351 358
Faraday      6
Farmer      261
Fermi level (= thermodynamic potential)      123 139 166 268
Fermi — Dirac distribution, statistics      35 92 120 372
Fermi — Dirac integrals      38 375
Ferric oxide      244
Ferrous aluminate      253
Ferrous oxide      252
Ferrous sulphide      304
Fick's law      9
Filamentary transistor      317 320
Finlayson      224
Floating potential      335 338 367
Floquet's theorem      88
Fluorescence      357
Forbidden band      91
Forces on carriers      200
Forming      320
Fourier components      149
Fowler      261
Franck — Condon principle      239
Frederikse      60
Frenkel defects      239
Frequency response of transistors      340 341
Fritzsche      226
Froehlich      179 246
Fuerth      9
Fuller      369
Fused junction rectifies and transistors      321
Gallium      217
Gallium arsenide, antimonide      260
Galvanomagnetic constants      1 200
Gamma      see "Injection ratio"
Garret      303
Gauge transformation      84 94
Gauss's theorem      85
Geballe      226
Gebbie      358
Germanium      23 55 63 127 132 135 138 145 208 211 310
Germanium diode      264
Germanium filament      311 359 371
Gibbs      372
Gibbs's phase rule      239
Gibson      349 358 361 370
Gliessman      224
Gold      22 169 174
Gold-doped germanium      135
Goldsmith      261
Goucher      349
Grace      238
Grain boundaries      237
Granville      358 361
graphite      140
Green      361
Green's theorem      96 107
Grown junction rectifiers and transistors      321
Grueneisen      174
Gudden      26
Gurevich      60
Gurney      40 239 242
Haayman      252
Hall angle      3 19 27 29 69 201
Hall constant      2 20 22 26 27 28 69 72 78 80 206
Hall effect      2 19
Hall efficiency      3
Hall mobility      235
Hall power      3
Hamiltonian      82 152 181 132 184
Hankel function      351
Hartmann      244
Haynes      316 359
Helmholtz free energy      41 373
Herman      131
Hermite functions      154 182
Herold      336 341
Herring      60 131 199 235
High temperatures      167 187
Hirsch      241
Hogarth      242 317
Hole conductors      27 203
Holes      25 122 123 203
Hook collector      342
Houghton      367
Houston      34
Howarth      188 238 250
Howe      238
Hull      348
HUM      129
Humphrey      238
Hung      224
Image force      272 300
Imperfect scattering      55 56
Impurities      25 26 118 213 358
Impurities in Ge and Si (table)      222
Impurity band      119
Impurity band conduction      226 246
Impurity scattering      58 60
Impurity semiconductors      see "Extrinsic a"
Indeterminacy of electric field      201
Indium      213
Indium antimonide      258
Indium arsenide, phosphide      260 369
Infra-red absorption, radiation      133 184
Inhomogeneities in conductors      see "Junctions"
Injection      310 322
Injection ratio      317 354 365
Input admittance      335
Insulator      120
Intermediate metals, law of      4 31 198
Intermetallic compounds      209 258 304 369
Intrinsic $\alpha$ (alpha)      314 333 361
Intrinsic semiconductors      26 119 121 124 127
inversion      285 361
Iodine      138
Ion current      14
Ionic compounds      235
Ionic lattice      179
Ionic semiconductors      186 209
Ionization by collision      328
Ionization chamber      17
Ionization energy      166
Ionized centres      42
Ions      7
Isothermal diode      268 272
Isotropic approximation      113
James      133
Jeffreys      152
Joffe      261
Jones      82 92 102 205
Jones — Zener condition      95 101
Joule heat      5 51 68
1 2 3
blank
Реклама
blank
blank
HR
@Mail.ru
       © Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ, 2004-2017
Электронная библиотека мехмата МГУ | Valid HTML 4.01! | Valid CSS! О проекте