В книге рассмотрены подготовка аппаратуры и образцов к прямому исследованию в просвечивающем электронном микроскопе, работа оператора микроскопа
и приемы анализ а электронных микрофотографий
и микроэлектронограмм. Детально показано примене ­
ние понятия об обратной решетк е в кристаллографических расчетах и при анализ е дифракционных картин, методика фазового анализа, однозначного определения и уточнения ориентировки и разориентировки
соседних микрообластей, ориентационных и габитусных соотношений кристаллов одной или разных фаз.
Рассмотрены и проиллюстрированы примерами новые
методические приемы, разработанные в последние годы дл я повышения разрешения изображений дефектов, для анализ а полей смещения у включений и т. д.
Книга рассчитана на металловедов, овладевающих
методом дифракционной электронной микроскопии,
и может быть полезна специалистам, изучающим тонкую структуру любых кристаллических тел, а также
студентам соответствующих вузов. Ил. 252. Табл. 11.
4 прилож. Список лит.: 293 назв.