Полупроводниковые приборы в настоящее время являются основными элементами большинства радиоэлектронных устройств. Успехи технологии позволили улучшить их параметры и расширить области применения. Достижения микроэлектроники сделали возможным переход от производства и применения дискретных приборов к микросхемотехнике, интегральной электронике. Все это значительно повысило надежность электронной аппаратуры.
Однако реализовать достоинства полупроводниковых приборов можно только при знании их физических свойств, параметров, характеристик и эксплуатационных особенностей.
Полупроводниковые приборы способны работать с большой эффективностью при низком напряжении источников питания и в отдельных случаях при малом рабочем токе. В то же время они весьма чувствительны к перегрузкам, поэтому при проектировании схемы необходимо правильно выбирать рабочие режимы.