Изложены основы планарной технологии и законы распределения примесей в транзисторах. Подчеркнуты особенности изготовления кремниевых планар- ных ВЧ и СВЧ транзисторов. Проведен анализ физических процессов, обу­ словливающих изменения параметров в зависимости от режима работы. Опи­ саны особенности переходных процессов и методы повышения пробивных на­ пряжений. Рассмотрены специальные типы пленарных транзисторов. Книга предназначена для специалистов, занимающихся конструированием, производ­ ством и применением кремниевых планарных транзисторов; она также может быть полезна аспирантам и студентам старших курсов вузов.