Книга представляет собой 4-й (и последний на сегодняшний день) том широко известной серии из 4 книг, посвященной технологии СБИС.
Настоящий том посвящен рассмотрению технологических нововведений, появившихся на рубеже тысячелетий и характерных для поколений СБИС с минимальным размером элемента 0,18 мкм и менее. Все эти направления активно развиваются и в настоящее время.
К числу этих технологических направлений относятся:
- медная металлизация,
- межуровневые диэлектрики с низкой диэлектрической проницаемостью,
- двойной дамаскинный процесс для многоуровневой металлизации,
- диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью, используемые в качестве подзатворного диэлектрика и в микросхемах динамической памяти (DRAM),
- 300 мм кремниевые пластины,
- химико-механическая полировка,
- фотолитография в дальней ультрафиолетовой области с использованием эксимерных лазеров,
- фоторезисты с "химическим усилением" (chemically-amplified),
- эпитаксиальные слои Si:Ge,
- кремний на диэлектрике (SOI).