Главная    Ex Libris    Книги    Журналы    Статьи    Серии    Каталог    Wanted    Загрузка    ХудЛит    Справка    Поиск по индексам    Поиск    Форум   
blank
Авторизация

       
blank
Поиск по указателям

blank
blank
blank
Красота
blank
Rudolph M., Fager C., Root D. — Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques
Rudolph M., Fager C., Root D. — Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques



Обсудите книгу на научном форуме



Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter


Название: Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques

Авторы: Rudolph M., Fager C., Root D.

Аннотация:

Achieve accurate and reliable parameter extraction using this complete survey of state-of-the-art techniques and methods. A team of experts from industry and academia provides insights into a range of key topics, including parasitics, intrinsic extraction, statistics, extraction uncertainty, nonlinear and DC parameters, self-heating and traps, noise, and package effects. Learn how similar approaches to parameter extraction can be applied to different technologies. A variety of real-world industrial examples and measurement results show how the theories and methods presented can be used in practice. Whether you use transistor models for evaluation of device processing and need to understand the methods behind the models you use, or you want to develop models for existing and new device types, this is your complete guide to parameter extraction.


Язык: en

Рубрика: Разное/

Статус предметного указателя: Неизвестно

ed2k: ed2k stats

Год издания: 2012

Количество страниц: 360

Добавлена в каталог: 18.06.2017

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID
blank
Предметный указатель
blank
Реклама
blank
blank
HR
@Mail.ru
       © Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ, 2004-2021
Электронная библиотека мехмата МГУ | Valid HTML 4.01! | Valid CSS! О проекте