Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов со-
временных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых тран-
зисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным
сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных
диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектроиных приборов (фотоприем-
ников, светодиодов, инжекционных лазеров и др.). Выведены основные теоре-
тические соотношения, определяющие характеристики этих приборов. Большое
внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих
приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов,
в работе которых используются гетеропереходы, квантовые ямы и квантовые
точки. Помимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии,
описаны возникшие в последнее время технологические проблемы и указаны
перспективные пути их решения.
Для студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, рабо-
тающих в области физики полупроводников.
Рекомендовано УМО по классическому университетскому образованию РФ
в качестве учебного пособия для студентов ВУЗов, обучающихся по специаль-
ностям 010701 — «Физика», 010704 — «Физика конденсированного состояния
вещества», 010803 — «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы».