Курносов А.И., Юдин В.В. — Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем :: Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ

Главная Ex Libris Книги Журналы Статьи Серии Каталог Wanted Загрузка ХудЛит Справка Поиск по индексам Поиск Форум

Авторизация

Поиск по указателям

Курносов А.И., Юдин В.В. — Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Обсудите книгу на научном форуме

Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter

Название: Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Авторы: Курносов А.И., Юдин В.В.

Аннотация:

В книге рассмотрены основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов н интегральных микросхем. В 3-е издание (2-е — в 1979 г.) введены новые разделы, посвященные технологическим процессам радиационной обработки материалов и приборов, новейшим конструкциям корпусов интегральных микросхем, а также полупроводниковым материалам.

Язык:

Рубрика: Технология/

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Издание: 3-е, переработанное и дополненное

Год издания: 1986

Количество страниц: 368

Добавлена в каталог: 10.10.2006

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID

Предметный указатель

Абразивная способность      36
Автолегирование      92
Автоэпитаксия      88
Алмазный диск      38
Аморфизация      202 212 276 278
Анодирование газовое      124
Анодирование электролитическое      123
Атом отдачи      202 226
Вакансия      108 172 212
Генератор изображения      149
Генерирование      198 278
Гетероэпитаксия      88 95—98
Дефекты радиационные      202 265 267
Дефекты упаковки      108
Диаграмма состояния      77
Дислокации      107 197 214
Диффузанты      178—180
Диффузия      172—193 212—214
Доза облучения      210
Загонка примеси      174 178
Законы фотохимические      174 178
Заряд иона      210
Защитные пленки      174 178
Излучение синхротронное      271
Излучение тормозное      267
Излучение характеристическое      267
Изоляция элементов ИМС      194 277 354—356
Индексы Миллера      194 277 354—356
Ионная имплантация      201
Ионнообменные смолы      194 277 354—356
Испарение многотигельное      235
Испарение однотигельное      236
Испарение элементов      233
Испарители      232
Источник ионов      207
Каналирование      202
Каскад смещений      202
Каскадное перемешивание      227
Кислотостойкость фоторезистов      227
КМОП-транзистор      358
КНС-структура      359
Контакт малопроникающий      254
Контакт невыпрямляющий      253
Контактная проекционная печать      173 175 181 200
Концентрация поверхностная      173 175 181 200
Концентрация поверхностная эффективная      228
Коэффициент диффузии      173 180
Коэффициент испарения      234 237
Коэффициент ослабления интенсивности      266
Коэффициент передачи      237
Коэффициент передачи энергии      203
Коэффициент поверхностный Холла      229
Коэффициент поглощения      267
Коэффициент распределения примеси      80
Коэффициент распыления      239
Коэффициент электронного торможения      203
Критерий светочувствительности      203
Лазерное излучение      281
Легирование атомами отдачи      226
Легирование эпитаксиальных структур      99 106
Ликвидус      77
Линзовый растр      99 106
Литография ионно-лучевая      272
Литография рентгеновская      169 270
Литография электронная      269
МДП-транзистор      224 356
Межсоединения      251
Механизм разрушения      99 106
Микропроцессор      346
Микросхемы аналоговые      346
Микросхемы гибридные      347
Микросхемы интегральные      345
Микросхемы линейные      346
Микросхемы МДП      345 356
Микросхемы пленочные      347
Микросхемы полупроводниковые      347
Микросхемы цифровые      346
Микрофотонабор      347
Мультипликация механическая      345 356
Мультипликация оптическая      345 356
Обработка парогазовая      65
Обработка плазмохимическая      69
Обработка подложек ионно-плазменная      67
Обработка химико-динамическая      62
Обработка химическая      59
Обработка электрохимическая      63
Окисление в парах воды      116
Окисление в сухом кислороде      118
Окисление во влажном кислороде      119
Окисление термическое кремния      113
Оригинал фотошаблона      144
Оригинал фотошаблона промежуточный      147
Осаждение гальванических покрытий      71
Осаждение катодное реактивное      125
Осаждение оксида кремния пиролитическое      120
Осаждение оксида кремния термическим испарением      124
Осаждение примесей на дефектах      197
Осаждение химическое нитрида кремния      126
Отжиг импульсный      284
Отжиг лазерный      282
Отжиг термический      212
Перенос изображения      173 174
Переосаждение      250
Переход диффузионный      173 174
Переход линейный      173 174
Переход пленарный      175 176
Переход резкий      84 85
Переход сплавной      82 84
Пиролиз      92 103
Поверхностное сопротивление      199 256

Полимеризация фоторезиста      157
Полировка пластин окончательная      50
Полировка предварительная      49
Полировка промежуточная      50
Присоединение выводов      306
Пробег иона      202—205
Пробег электрона      266
Профиль распределения примеси      206 213
Профиль распределения примеси в двухслойных структурах      216
Профиль распределения примеси линейный      226
Профиль распределения примеси при двойной имплантации      214
Профиль распределения примеси при двойной последовательной диффузии      184
Профиль распределения примеси при двухстадийной диффузии      181
Профиль распределения примеси при диффузии из слоя конечной толщины      183
Профиль распределения примеси при распылении ионолегированного слоя      218
Процесс обработки радиационной      264
Процесс обработки сухой      6 231 242
Радиационно-стимулированная диффузия      272—275
Радиационные нарушения      201 211 267 276
Радиация проникающая      265
Разгонка примеси      174 178
Разрешающая способность      269
Распыление высокочастотное      242 243
Распыление диодное      243
Распыление катодное      238
Распыление магнетронное      242
Распыление реактивное      242 246
Распыление триодное      242 245
Распыление физическое      238
Растворимость      78 80
Резание пластин      41
Резание пластин алмазным диском      42
Резание пластин проволокой      42
Резание пластин стальными полотнами      42
Резание пластин ультразвуковое      43
Резание слитков      38
Резание слитков алмазным диском      38
Резание слитков стальными полотнами      38
Резисторы диффузионные      195
Резисторы полученные ионной имплантацией      226
Резисторы тонкопленочные      255
Рекристаллизация      84 282
Сборка      300
Сварка термокомпрессионная      306
Сварка ультразвуковая      311
Сварка холодная      315
Сварка электроконтактная      310 314
Силанирование      291
Силициды      254
Скрайбирование алмазное      43
Скрайбирование лазерное      44
Скрайбирование электронно-лучевое      44
Совмещаемость фотошаблонов      157 161
Совмещение      157 161
Солидус      77
Солидус ретроградный      80
Стекло алюмоснликатное      296
Стекло боросиликатное      295
Стекло многокомпонентное      298
Стекло оптическое      144
Стекло свинцовосиликатное      296
Стекло халькогенидное      297
Степень интеграции      345
Тлеющий разряд      238
Топология      347—350
Травление анизотропное      247 248
Травление анодно-механическое      247 248
Травление изотропное      248
Травление ионно-лучевое      242
Травление ионно-плазменное      242
Травление ионное      241 244
Травление плазмохимическое      246
Травление селективное      247
Транзистор      223 351—353
Ультразвуковая ванна      58
Управление границей раздела      276
Управление номиналом и TKR      277
Управление пороговым напряжением      224
Уравнение Вульфа — Брегга      262
Уравнение Лэнгмюра      234
Ускорение травления      278
Ускоритель ионно-лучевой      207
Фотолитография      135
Фотомонтаж      150
Фотонабор      149
Фоторезист      139
Фотошаблон      144
Фотоштамп      148
Хемоэпитаксия      88
Центрифугирование      159
Шлифовка пластин      146
Эвтектика      78
Экспонирование фоторезиста      162
Электродиффузия алюминия      252
Электронорезист      270
Электроны вторичные      266
Элементы ИМС активные      351—360
Элементы ИМС пассивные      255—259
Элементы ИМС пассивные СВЧ      259—261
Энергия иона      210
Энергия сублимации      239
Эпитаксия      87
Эпитаксия газофазная      89
Эпитаксия германия      98
Эпитаксия жидкофазная      90 105
Эпитаксия кремния гидридным методом      92
Эпитаксия кремния хлоридным методом      91
Эпитаксия молекулярно-лучевая      88
Эпитаксия соединений типа $\mathrm{A}^{\mathrm{III}}\mathrm{B}^{\mathrm{V}}$       101
Ядерная тормозная способность      205

О проекте