Методические материалы предназначены для выполнения НИРС и дипломных работ студентов 5 курса и магистерских диссертаций студентов 6 курса по направлению ''Физика'', программа ''Физика полупроводников. Микроэлектроника''. В них представлен новый метод расчета распределения двумерных электрических полей и пробивного напряжения в планарных p-n переходах диодов, биполярных и МОП транзисторов, не требующий численных решений уравнения Пуассона со сложными граничными условиями. Этот метод основан на суммировании электрических полей от тонких наряженных цилиндров из ионизированных доноров и акцепторов