В книге описаны результаты экспериментального изучения процессов
образования радиационных дефектов в полупроводниках и диэлектриках, способы
получения информации о микромеханизмах атомных смещений в
неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе
принятых теоретических моделей радиационного дефектообразования. Особое
внимание уделяется процессам возникновения дефектов при сравнительно
небольших энергиях воздействующей радиации. Приводится обзор современных
данных о диффузионно-контролируемых реакциях в полупроводниках. Показано,
что эти данные могут быть согласованы благодаря единому подходу к процессам
возникновения и миграции дефектов в полупроводниках.