Главная    Ex Libris    Книги    Журналы    Статьи    Серии    Каталог    Wanted    Загрузка    ХудЛит    Справка    Поиск по индексам    Поиск    Форум   
blank
Авторизация

       
blank
Поиск по указателям

blank
blank
blank
Красота
blank
Ben Abdallah N., Degond P., Genieys S. — An Energy-Transport Model for Semiconductors Derived from the Boltzmann Equation
Ben Abdallah N., Degond P., Genieys S. — An Energy-Transport Model for Semiconductors Derived from the Boltzmann Equation



Обсудите книгу на научном форуме



Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter


Название: An Energy-Transport Model for Semiconductors Derived from the Boltzmann Equation

Авторы: Ben Abdallah N., Degond P., Genieys S.

Аннотация:

An energy-transport model is rigorously derived from the Boltzmann transport equation of semiconductors under
the hypothesis that the energy gain or loss of the electrons by the phonon collisions is weak.


Язык: en

Тип: Статья

Статус предметного указателя: Неизвестно

ed2k: ed2k stats

Год издания: 1995

Количество страниц: 27

Добавлена в каталог: 02.11.2013

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID
blank
Предметный указатель
blank
Реклама
blank
blank
HR
@Mail.ru
       © Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ, 2004-2021
Электронная библиотека мехмата МГУ | Valid HTML 4.01! | Valid CSS! О проекте