Хамакава Й. (ред.) — Аморфные полупроводники и приборы на их основе :: Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ

Главная Ex Libris Книги Журналы Статьи Серии Каталог Wanted Загрузка ХудЛит Справка Поиск по индексам Поиск Форум

Авторизация

Поиск по указателям

Красота

Хамакава Й. (ред.) — Аморфные полупроводники и приборы на их основе

Хамакава Й. (ред.) — Аморфные полупроводники и приборы на их основе

Обсудите книгу на научном форуме

Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter

Название: Аморфные полупроводники и приборы на их основе

Автор: Хамакава Й. (ред.)

Аннотация:

Рассмотрены структура и классификация аморфных полупроводников, их электронное строение, структурные дефекты и примеси, оптические и электрические свойства, оптически стимулированные явления в халькогенидных стеклах. Приведены данные о выращивании и свойствах аморфных гидридов кремния. Показаны области применения аморфных полупроводников.
Для научных работников и специалистов металлургической, машиностроительной, авиационной, судостроительной промышленности, занимающихся вопросами материаловедения, полупроводниковой и электронной техники.

Язык:

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Год издания: 1986

Количество страниц: 376

Добавлена в каталог: 16.04.2006

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID

Предметный указатель

g-Тензор      92
Барьер Шоттки      209
Батарея солнечная, технология      15
Беспорядок, класс      37
Вероятность      154
Видеофайл      359
Видикона метод      133
Волновод      105 335
Волновое число максимума поглощения      205
Время жизни      73 149 323
Время жизни обратного переключения      317
Время жизни перескока      67
Время жизни пролета носителей      323
Гамильтониан      23 25
Глубина залегания уровня      129
Датчик цветного изображения на a- Si : Н      331
Дерево Каули      31; см. «Решетка Бете»
Диборан      270
Дигидрид кремния      364
Диод (или БДШ)      315
Диод (или КДМП)      315
Диод с p-n -переходом      312
Диод с барьером Шоттки      307 312
Диод с барьером Шоттки биполярный      314
Диод с малыми потерями      313
Диод, работающий в режиме видикона      330
Дисплей на жидких кристаллах      282
Дисплей плоский панельный      297
Дифракция электронов высоких энергий, метод      298
Закон Ван-Хова      39
Закон пропорциональности      40
Зона валентная      39
Зона проводимости      39
ЗУ «точечного» типа      349
Изменение показателя преломления      335
Импеданс отключения      303
Инвертор интегральный типа обеднение - обогащение      294
Интенсивность люминесценции      94
Интенсивность электроотражения      190
К.П.Д. панелей      245
К.П.Д. солнечных элементов      209 257 276
Кактусовая модель      31
Квазидиод с малыми потерями      314
Клистрон      96
Колебательный спектр      200
Кольца Дебая — Шерера      253
Контакт омический      17
Контакт универсальный      313; см. «Слой контактный»
Концентрация валентных электронов      5 2
Концентрация носителей заряда      14
Коэффициент диффузии в a-Si : H      149 248
Коэффициент заполнения      215
Коэффициент отражения      109 253 352
Коэффициент поглощения      63 105 213
Коэффициент поглощения оптический      246 252 338 352
Коэффициент усиления по току      318
Коэффициент Экстинкции      345
Край поглощения      47 105
Край поглощения, ПТСРКП      49
Кремний аморфный гидрогенизированный      25 65 288
Кривая Шера — Монтролла      65
Кристаллит      187
Метод ХГФО      306
Мода волновая      336
Модель a-Si: H      29
Модель беспорядка размещения      22 29
Модули, солнечные интегральные      240 244
Модулятор фотоупругий      341
Монокристалл идеальный      19
Морфология поверхности подложек      277
Мощность электрическая солнечного элемента      254
Накопление заряда      364
Напряжение насыщения      330
Напряжение холостого хода      215 219 265 258
Носители заряда      17
Носители заряда, дисперсионный перенос      65
Оже-спектр      222
Осаждение молекулярно-лучевое      298
Осаждение плазменное      199
Отношение сигнал/шум      328
Переключатель фотооптический      335
Переход p-i-n на основе a-Si      210
Переход p-n      210
Переход p-n, структура      233
Плазменные процессы осаждения      16
Пластины плавленого кварца      298
Пленки      16 91 336 448 351
Пленки a-Si : H      272
Пленки магнитооптические со стираемой памятью      344
Пленки субоксидов      345
Пленки тонкие, Te и TeSe      347
Плотность атомная      52
Плотность информации      357
Плотность состояний      25 26 130
Плотность состояний локализованных      310 312
Плотность состояний, асимметрия      32
Плотность тока короткого замыкания      215
Подвижность дрейфовая дырок      75 365
Подвижность дрейфовая электронов      72 365
Подвижность эффективная      285 300 304
Подложка      246 276 298
Показатель преломления a-Se и Au      338
Поле электрическое внутреннее      213

Полупроводник аморфный      12 15
Полупроводник аморфный, атомная структура      21
Пора      23
Потенциал диффузионный      216
Потенциал поверхностного заряда      368
Правило k-отбора      40
Правило Урбаха      43
Проводимость      309 311
Проводимость модулятора      342
Проводимость пленок $a-Si_{\chi}Ni_{1-\chi}:H$       203
Проводимость пленок a-Si      306
Проводимость сплавов Si-Ge-B      308
Проводимость темновая      158 193 201 274
Произведение подвижности на время жизни      221 268
Пропускание пленок      353
Профиль распределения в слое a-SiC : H      225 249
Профиль фототока в солнечном элементе      226
Рассеяние рамановское (ИК комбинационное)      61
Расчет ВАХ      260
Режим работы фотодатчика      323 329
Решетка Бете (см. дерево Каули)      31
Свет He-Ne-лазера      336
Свет «зонный»      336
Свет «субзонный»      336
Сетка случайная      22 25 33
Сигнал, записанный      359
Сила осциллятора      37 40 85
Сканирование      297
Скорость фоторазряда      368
Слой контактный      313
Сопротивление лицевого контакта      237
Состояние типичное      36
Спектр $a-Si_{\chi}C_{1-\chi}:Н$ , фотоэлектронный      53
Спектр $a-Si_{\chi}Ni_{1-\chi}:Н$       206
Спектр оптического поглощения      36 109
Спектр солнечный      258
Спектроскопия пикосекундная нестационарная дифракционная      144
Спиновая плотность      86
Стабильность пленок      353
Стекла Корнинг      7059 298
Структура a-Si-ТПТ      283
Структура атомная a-Si : H      50
Структура двухслойная      143
Структура солнечных элементов      233 265 269
Структура солнечных элементов каскадного типа      258
Структура типа алмаза      32
Схема для расчета потери мощности      241
Температура осаждения      274
Температура стеклования      343
Теория количественного беспорядка      23
Теория неупорядоченной системы      22
Теория топологического беспорядка      22
Ток канальный, дрейфовый      283
Ток короткого замыкания      262 275
Ток насыщения, обратный      238
Транзистор      13
Транзистор a-Si-ТПТ самосовмещенный      287 290
Транзистор полевой с МОП-структурой      282 304
Транзистор полевой, работающий в режимах обогащение-обеднение      288
Транзистор тонкопленочный      282 289 293
Транзистор ТПТ, выходные характеристики      302
Транзистор ТПТ, термическая стабильность      293
Трансляционная симметрия      36
Узел пустой      23
Уравнение Пуассона      259
Уравнение Шредингера      25
Уровень Зеемана      94
Уровень Ферми      312
Условие когерентности потенциала      27
Условия АМ-1      224 253
Устройство копировальное (КУ)      360
Устройство копировальное с барабанам из a-Si      371
Фосфин      270
Фотодатчик контактного типа      322
Фотодатчик линейный с матричным управлением      329
Фотоосветление      351
Фотопотемнение      335 351
Фотоприемник многослойный      366 377
Фотопроводимость      139 201
Фотопроводимость люминесценции      98
Фотопроводимость межзонного поглощения      37
Фотопроводимость, коэффициент усиления      139
Фототок      68 137
Фоточувствительность      364
Хвосты Урбаха      31
Цветодатчик интегральный      320
Частота модуляции      129
Шероховатость      246 278
Ширина запрещенной зоны      24 29 172 200
Электроотрицательность      205
Элемент солнечный каскадный      210 228
Элемент солнечный на основе a-SiGe : H      268
Элемент солнечный на основе мк-p-i-n/ОИО      279
Эффект Ксрра      356
Эффект полевой      70
Эффект Стаеблера — Вронски      169 294
Эффект Холла      309
Эффект элемента, размерный      235 237
Эффект «оконный»      370
Эффективность дифракции зондового света      145
Эффективность собирания носителей      213 228
Эффективность солнечных элементов      16
«Барабан из a-Si»      370

Реклама

© Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ, 2004-2024

Электронная библиотека мехмата МГУ

Valid HTML 4.01!

|

Valid CSS!

О проекте