Рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезистороо, полевых и биполярных транзисторов, фото- и светоднодов, лавинно-пролетных диодов, транзисторных элементов микросхем и др.
Показано, какая информация о нешумовых характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов и материалов, а также о механизмах протекающих в них физических процессов содержится в результатах флуктуационных исследований и как она расшифровывается.
Изложены методы шумовой спектроскопии уровней, а также методы экспериментального определения источников шума в электронных приборах.
Для научных работников, специализирующихся в области физики полупро-водников, полупроводниковых приборов., микросхем и приборов оптоэлектроники.