В монографии изложены вопросы, касающиеся физической природы эффектов Фарадея и Фогта, влияния симметрии кристаллов на их величины, теории эффектов в полупроводниках. Значительное внимание уделено влиянию внешних воздействий — электрического поля и одноосной механической нагрузки — на величины обсуждаемых эффектов, рассмотрены возможности определения параметров зонной структуры в этих условиях. Изложены основные методы измерения эффектов Фарадея и Фогта, а также проанализированы систематические ошибки измерений. Отдельная глава посвящена сравнению величин эффективных масс, измеряемых в различных экспериментах.
Книга рассчитана на научных работников, занимающихся исследованиями полупроводников, а также на преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов вузов. Может быть использована инженерами при проектировании новых полупроводниковых приборов электронной техники.