Предлагаемый читателю третий том «Современной кристаллографии» посвящен научным и практическим вопросам образовании кристаллов. В первой части систематически изложены основные представления о фундаментальных явлениях кристаллизации. Здесь рассмотрены: термодинамические движущие силы кристаллизации; структура фазовой границы между кристаллом и его паром, раствором и расплавом; образование зародышей в объемах переохлажденных фаз и на твердых поверхностях; эпитаксия; кинетика послойного и нормального роста; морфология поверхностей; влияние примесей на процессы роста и захват примесей; устойчивость фронта кристаллизации; образование дефектов при кристаллизации — захват включении, образование дислокаций и остаточных напряжений; массовая кристаллизация и созревание в дисперсных кристаллических системах.
Во второй части книги систематически изложены основы всех методов выращивании кристаллов, получивших достаточно широкое распространение в промышленной и лабораторной практике: отдельно рассмотрены физические и химические методы выращивания из газовой фазы, методы выращивании из ниэкотемнературпых водных растворов, из гидротермальных растворов, из растворов в высокотемпературных расплавах, методы выращивания из расплавов, в том числе при высоких температурах. Описаниям всех методов предпослан аиалнз их физико-химических основ. Для каждого из методов приведены характерные примеры его применения, разобраны важнейшие характеристики кристаллов, связанные с условиями их получения, диагностика дефектов в кристаллах и некоторые пути управления ростом и реальной структурой кристаллов.
Изложены основные принципы выбора подходящей методики для практического выращивания кристаллов с теми или иными свойствами.
Книга имеет целью вооружить читателя методическими основами анализа процессов кристаллизации и практического выращивания кристаллов.
Изложение требует знакомства читателя с основами физики и химии
в объеме начального вузовского курса и не предполагает знакомства с ли-
тературой по образованию кристаллов. Вместе с тем значительная часть
материала представляет интерес также дли специалистов в области образо-
вания кристаллов.