Проанализирована роль дефектов кристаллического строения в диффузионных процессах, происходящих в твердых телах. Последовательно рассмотрены атомные механизмы диффузии, возникновение которых связано с появлением различных типов дефектов в кристаллах. Описано, как определяются такие диффузионные константы, как коэффициент диффузии, энергия активации миграции, в случае диффузии по дефектным местам кристалла. Приведены примеры ускорения диффузии за счет появления больших концентраций дефектов.