Горшков А.П., Карпович И.А., Филатов Д.О. — Исследование инфракрасных фоторезисторов на внутризонных переходах в квантовых ямах InGaAs/GaAs: Описание лабораторной работы
Обсудите книгу на
Нашли опечатку? Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter
Название: Исследование инфракрасных фоторезисторов на внутризонных переходах в квантовых ямах InGaAs/GaAs: Описание лабораторной работы
Авторы: Горшков А.П., Карпович И.А., Филатов Д.О.
Аннотация:
В работе описаны физические основы межподзонного поглощения излучения в квантовых ямах, принцип работы основанных на этом явлении резистивных инфракрасных фотодетекторов и методика исследования их спектральной характеристики на фурье-спектрометре. Для студентов вузов, обучающихся по специальности 202000 ''Нанотехнологии в микроэлектронике''. Подготовлено на кафедре физики полупроводников и оптоэлектроники ННГУ.
|
|
О проекте