Главная    Ex Libris    Книги    Журналы    Статьи    Серии    Каталог    Wanted    Загрузка    ХудЛит    Справка    Поиск по индексам    Поиск    Форум   
blank
Авторизация

       
blank
Поиск по указателям

blank
blank
blank
Красота
blank
Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. — Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы
Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. — Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы



Обсудите книгу на научном форуме



Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter


Название: Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы

Авторы: Байдусь Н.В., Звонков Б.Н.

Аннотация:

В пособии описаны основы технологии роста гетероструктур с квантовыми точками методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭ МОС). Цель работы: освоение основных принципов и экспериментальных навыков эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками на основе арсенида галлия. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ.


Язык: ru

Рубрика: Физика/

Статус предметного указателя: Неизвестно

ed2k: ed2k stats

Год издания: 2001

Количество страниц: 18

Добавлена в каталог: 09.05.2013

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID
blank
Предметный указатель
blank
Реклама
blank
blank
HR
@Mail.ru
       © Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ, 2004-2021
Электронная библиотека мехмата МГУ | Valid HTML 4.01! | Valid CSS! О проекте