Статья посвящена новому явлению - гигантскому магнитосопротивлению (ГМС), обнаруженному в магнитных мультислоях и магнитных полупроводниках. Этот эффект обусловлен особенностями рассеяния спин-поляризованных носителей тока в гетерогенных магнитных структурах и мультислоях. Обсуждаются перспективы технического использования магниторезистивных датчиков с ГМС в высокочувствительных головках для считывания информации.