Настоящее пособие является третьей заключительной частью учебных материалов, включающих изданные ранее пособия "Воздействие ионизирующих излучений на структуры металл-диэлектрик-полупроводник" и "Электрофизические методы исследования структур металл-диэлектрик-полупроводник". Пособие посвящено рассмотрению нового класса явлений, связанных с воздействием слабых импульсных магнитных полей (ИМП) на полупроводники и структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МПД). Все три части учебных материалов объединены общим объектом исследования - тонкопленочными МДП-структурами, составляющими основу элементной базы твердотельной электроники. Основное внимание уделено анализу возможных стартовых механизмов воздействия ИМП на полупроводники, новых механизмов воздействия ИМП на полупроводники. Представлена качественная теория ИМП-иидуцированных эффектов в кристаллах кремния, полученных вытягиванием из расплава по методу Чохральского, используемых для формирования МДП-структур в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Кроме того, приведен расчет вероятностей интеркомбинационных переходов в ИМП по механизму Ландау-Зинера.