Главная    Ex Libris    Книги    Журналы    Статьи    Серии    Каталог    Wanted    Загрузка    ХудЛит    Справка    Поиск по индексам    Поиск    Форум   
blank
Авторизация

       
blank
Поиск по указателям

blank
blank
blank
Красота
blank
Ю П., Кардона М. — Основы физики полупроводников
Ю П., Кардона М. — Основы физики полупроводников



Обсудите книгу на научном форуме



Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter


Название: Основы физики полупроводников

Авторы: Ю П., Кардона М.

Аннотация:

Настоящее, уже третье издание «Основ физики полупроводников» должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов. Книга предназначена как для студентов, так и для научных работников. Основное внимание уделяется объяснению физических свойств Si и подобных ему тетраэдрических полупроводников, причем объяснение дано с точки зрения физической картины явления. Каждая глава содержит таблицы с параметрами материалов, рисунки и задачи. Многие из этих задач «за руку» приведут студентов к научным результатам.


Язык: ru

Рубрика: Физика/

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Издание: третье

Год издания: 2002

Количество страниц: 557

Добавлена в каталог: 24.03.2006

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID
blank
Предметный указатель
$(La_{1-x}Sr_x)_2CuO_4$      16
$AgGaS_2$      19
$Al K_{\alpha}$ линия возбуждения для РФЭС      383
$As_2Se_3$      19
$Cd_{1-x}Mn_x$      16 18
$E_1$ критические точки      260 282 283
$E_1$ переходы      241
$E_1$ экситоны      260
$E_1+\Delta_1$ критические точки      260 282 283
$E_2$ критические точки      282 283
$E_2$ пик      241
$HgBaCa_2Cu_3O_8$      18
$H^-$      326
$La_2CuO_4$      16 18
$Mg_2Ge, Mg_2Si, Mg_2Sn$      40
$MoS_2$      18
$PbI_2$      18
$SrTiO_3$      16
$TaSe_2$      497
$TaS_2$      497
$ZnSiP_2$      19
$\alpha-Sn$ (серое олово)      96
$\alpha-Sn$ дисперсия фононов      117
AlAs дисперсия фононов      432
AlGaAs, прямая запрещенная зона      205
AlSb, рамановские спектры      342
CdS      73 136 325
CdS дисперсия экситонов      255
CdS излучение поляритонов      322
CdS фононы      113
CdSe      73
CdTe      260
CdTe пьезоотражение      288
CdTe эффективные заряды      273
CuCl      17 322 395
CuCl d-электроны      386
CuCl спин-орбитальное расщепление в точке $\Gamma$      78 395
CuCl эмиссия поляритонов      322
CuO      17
DX-центр      159 169 183
EL2      183
EuS      18
GeS, GeSe      390
gete      16
HgSe      96
HgTe      96
InS, InSe      390
InSb спин-орбитальное расщепление      77
InSb фундаментальный край поглощения      245
PbS      17
PbS дисперсия $\varepsilon_r$      244
PbS фундаментальный край поглощения      244 245
PbTe      17
SbSI      16 19
SnS      17 390
SnSe      390
ZnO      17
ZnS      136
ZnSe зонная структура      70
ZnSe самокомпенсация      169
ZnSe селективно возбужденные спектры экситонов, связанных на донорах Na и Li      329
ZnSe эффективные заряды      273
ZnTe мнимая часть диэлектрической функции      260
ZnTe самокомпенсация      169
ZnTe эффективные заряды      273
Абелевы группы      35
Автоионизованное состояние, атомные спектры      262
Адатомы      401
Адиабатическая модель с зарядами на связях      116
Адиабатическая модель, фононные дисперсионные кривые      108
Адиабатическое приближение      29 105
Адиабатическое приближение для примесных уровней      160
Азот в GaAs, GaAsP      178—183
Акустический фонон      49 108 327
Акустический фонон в $Cu_2O$      131
Акустический фонон в слоистых структурах      432
Акустический фонон, рамановское рассеяние      374
Акустический фонон, рассеяние электронов на акустических фононах      209
Акцепторный уровень в полупроводниках типа алмаза и цинковой обманки      162
Акцепторный уровень энергии связи      167
Акцепторный уровень, приближение одной сферической зоны      164
Акцепторный уровень, энергетические уровни, вычисленные с помощью гамильтониана Балдеречи — Липари      168
Акцепторы      150
Акцепторы, двойные акцепторы      150
Алмаз, дисперсионные кривые фононов      116 117
Алмаз, кристаллические структуры      32 39
Алмаз, неприводимое представление и характеры точки $\Delta$      63
Алмаз, неприводимое представление точки X      62
Алмаз, параметры взаимодействия в методе сильной связи      91
Алмаз, постоянные жесткости      135
Алмаз, симметрия точки L      60
Алмаз, симметрия точки X      63
Алмаз, таблицы характеров группы $\Gamma$      60
Алмаз, фактор-группа      38
Алмаз, фононы центра зоны      50
Аморфные полупроводники      208 232
Аморфные полупроводники, аморфный Ge      272 489
Аморфные полупроводники, аморфный Si      272 490
Аморфные полупроводники, аморфный Si, приготовление      490
Аморфные полупроводники, аморфный Si, эффект легирования водородом      491
Аморфные полупроводники, ближний порядок      489
Аморфные полупроводники, несохранение волнового вектора      235
Аморфные полупроводники, оптические свойства      489
Аморфные полупроводники, плотность дефектов в запрещенной зоне      490
Аморфные полупроводники, спектры поглощения      489 490
Анализ Крамерса-Кронига      489
Анализатор электронов, замедляющая сетка      383
Анализатор электронов, цилиндрическое зеркало      383
Ангармоническое взаимодействие в двуфононном поглощении      270
Антипересечение уровней      267 301 445
Антисайт-дефект      150
Антисвязывающая орбиталь      85
Антисвязывающие состояния      74
Антистоксов рамановский сдвиг      332
Антистоксово рамановское рассеяние      332
Антиферромагнетизм      18
Аррениуса зависимости      315
Арсенид Галлия GaAs      320
Арсенид Галлия GaAs, вероятность рассеяния электронов проводимости      197
Арсенид Галлия GaAs, время релаксации электронов      196
Арсенид Галлия GaAs, гетеропереход      205
Арсенид Галлия GaAs, деформационный потенциал для валентных зон      121
Арсенид Галлия GaAs, дисперсия фононов      108 431
Арсенид Галлия GaAs, диэлектрическая функция      226 232 240 293
Арсенид Галлия GaAs, диэлектрическая функция, производные      293
Арсенид Галлия GaAs, дрейфовая скорость      208
Арсенид Галлия GaAs, зонная структура      69
Арсенид Галлия GaAs, излучательное время жизни      312
Арсенид Галлия GaAs, инфракрасное поглощение в образцах р-типа      277
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы      418
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, вероятности межподзонного рассеяния      457
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, дисперсия дырочных подзон      423 427 429
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, изображение на просвечивающем электронном микроскопе      414
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, интерфейсные моды      440 441 445
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, квантованный LO фонон      437
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, квантованный TO фонон      444
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, однородное и неоднородное уширение      448
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, отрицательное сопротивление      502
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, рамановский спектр      451—453
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, резонансное туннелирование      459
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, сложенный LA фонон      448
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, сложенный акустический фонон      447
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, спектры возбуждения фотолюминесценции      328
Арсенид Галлия GaAs, компонента электромеханического тензора      126
Арсенид Галлия GaAs, люминесценция при переходе свободного электрона на связанную дырку      314
Арсенид Галлия GaAs, междолинные деформационные потенциалы      130
Арсенид Галлия GaAs, отражение      232 283
Арсенид Галлия GaAs, параметры валентной зоны      78
Арсенид Галлия GaAs, параметры Латтинжера      84 163
Арсенид Галлия GaAs, подвижность в 2D электронном газе      206
Арсенид Галлия GaAs, подвижность в образцах n-типа      204 205
Арсенид Галлия GaAs, постоянные жесткости      135
Арсенид Галлия GaAs, примесь азота      180
Арсенид Галлия GaAs, рамановские спектры      342
Арсенид Галлия GaAs, резонансное бриллюэновское рассеяние      369
Арсенид Галлия GaAs, рост, газофазная эпитаксия      21
Арсенид Галлия GaAs, рост, жидкофазная эпитаксия      26
Арсенид Галлия GaAs, рост, молекулярно-пучковая эпитаксия      22
Арсенид Галлия GaAs, спектр Бриллюэна      354
Арсенид Галлия GaAs, спектр отражения решетки      269
Арсенид Галлия GaAs, спектр поглощения уровня остова      377
Арсенид Галлия GaAs, спектр рентгеновской фотоэмиссии      387
Арсенид Галлия GaAs, спектры пропускания      429
Арсенид Галлия GaAs, спин-орбитальное расщепление      242
Арсенид Галлия GaAs, термоотражение      286
Арсенид Галлия GaAs, фотокатод      341
Арсенид Галлия GaAs, фотолюминесценция      321
Арсенид Галлия GaAs, фотоотражение      295
Арсенид Галлия GaAs, щель Пенна      300
Арсенид Галлия GaAs, экситон, дисперсия поляритона      370
Арсенид Галлия GaAs, экситон, излучение      322
Арсенид Галлия GaAs, экситон, спектры поглощения      259
Арсенид Галлия GaAs, экситон, энергия связи и боровский радиус      255
Арсенид Галлия GaAs, электрон-фононные взаимодействия      129
Арсенид Галлия GaAs, электроотражение      292
Арсенид Галлия GaAs, энергии акцепторных уровней      166
Арсенид Галлия GaAs, энергии зон в точке X      98-100
Арсенид Галлия GaAs, энергия и затухание оптического фонона центра зоны      296
Арсенид Галлия GaAs, энергия связи донора      158
Арсенид Галлия GaAs, эффект Ганна      212
Арсенид Галлия GaAs, эффективная масса зоны проводимости      74
Арсенид Галлия GaAs, эффективные заряды      273
Арсин      21
Асимметричная квантовая яма      419
Атом водорода      253
Атом водорода, электронные состояния      155
Атом водорода, эллиптически деформированный      159
Атомарно чистая поверхность      226
Атомные единицы      300
Атомные единицы эффективные      164
Базисные функции      41
Безызлучательные ловушки      309
Беспорядок      470
Ближний порядок      489
Блоховские осцилляции      501 502
Бозоны      307
Больцмана постоянная      225
Больцмана распределение      191
Больцмана уравнение      190
Боровский радиус экситона      255
Боровский радиус эффективный      164
Бриллюэновский тензор      357
Бриллюэновское рассеяние      222 306 331 351 352
Бриллюэновское рассеяние резонансное      353
Бриллюэновское рассеяние, правила отбора      373
Бриллюэновское рассеяние, спектры Ge, Si, GaAs      352 353
Брэгговское отражение      66
Вакансии      150
Вакансии в кристаллах типа алмаза и цинковой обманки      155
Вакансии, энергия связи      178
Вакуумный ультрафиолет      375
Валентная зона Ge, определенная УФЭС      393
Валентная зона, дисперсия в КЯ GaAs/AlGaAs, определенная с помощью горячей фотолюминесценции      430
Валентная зона, параметры A, B, C      83
Валентная зона, параметры полупроводников типа алмаза и цинковой обманки      78
Валентная зона, экстремумы      121
Валентные плазмоны      377
Валентные плазмоны в GaP      377
Валентные электроны      29 64
Вариационная техника вычислений для примесных уровней      160
Ведущий центр циклотронной орбиты      465 470
Вероятность безызлучательной рекомбинации      312
Вероятность излучения в зависимости от частоты в Ge      309
Вероятность релаксации экситонов      360
Вершина в диаграммах Фейнмана      348
Взаимодействие ван-дер-Ваальса      18 315 390
Взаимодействие конечного состояния      315
Взаимодействие начального состояния      315
Взаимодействие носителей с фононами      208
Взаимодействие электронов с LO фононами в квантовых ямах, диэлектрическая модель      454
Взаимодействие электронов с LO фононами в квантовых ямах, макроскопические модели      453
Взаимодействие электронов с LO фононами в квантовых ямах, механическая модель      454
Взаимодействие электронов с LO фононами в квантовых ямах, модель Хуана-Чжу      455
Взаимодействие электронов с акустическими фононами      29
Взаимодействие электронов с акустическими фононами для вырожденных зон      122
Взаимодействие электронов с акустическими фононами пьезоэлектрическое      125
Взаимодействия Слэтера — Костера      180
Взаимодействия электронов с оптическими фононами      127
Видеотелефония      497
Винтовая ось      37
Виртуальные переходы      245 292
Вклад энергии Маделунга в энергии связи уровня остова      397
Влияние непараболичности зоны на плазменную частоту      302
Внутренняя деформация      128 146
Внутризонное рассеяние      194
Внутризонное рассеяние на акустических фононах      193
Внутризонное рассеяние на полярных оптических фононах      197
Водородоподобный примесный центр      492
Возбуждения между валентными зонами, спин-орбитальное расщепление      277
Возможность переноса псевдопотенциала      70
Возможность переноса псевдопотенциала ab initio      71
Возможность переноса псевдопотенциала самосогласованного      71
Волновая природа электрона      497
Волновое число      225
Волновой вектор экранирования      196
Волновые векторы      31
Волновые функции почти свободных электронов в кристаллах типа цинковой обманки      50
Вольт-амперные характеристики резонансных туннельных диодов с двойными барьерами      461
Вращение Фарадея      18
Временная зависимость переходов донорно-акцепторных пар      317
Время жизни носителей      208
Время импульса      193
Время релаксации      192
Время релаксации импульса      209
Время релаксации, приближение      191 218
Время термализации      208
Время энергетической релаксации      209
Входной рамановский резонанс      355
Входной рамановский резонанс GaSe      358
Вырождение Крамереа      139
Высокотемпературные сверхпроводники      18
Высокочастотные осцилляторы      210
Выходной рамановский резонанс      355
Выходной рамановский резонанс GaSe      358
Газофазная эпитаксия      20
Газофазная эпитаксия из металло-органических соединений      19 21
Газофазный эпитаксиальный рост      296
Галенит (PbS)      16
Гамильтониан Бальдеречи — Липари      162
Гамильтониан Герринга и Фогта      124
Гамильтониан для движения ядер      105
Гамильтониан для электрона в магнитном поле      464
Гамильтониан Латтинжера      84
Гамильтониан Пикуеа — Бира      123 139
Гамильтониан пьезоэлектрического электрон-фононного взаимодействия      126
Гамильтониан электрон-излучательного взаимодействия      233 347
Гамильтониан, кубический член      167
Гармонические осцилляторы      263
Гармонические осцилляторы, диэлектрическая функция      237
Гармоническое приближение      106
Германий (Ge) сверхчистый      480
Германий (Ge), валентная зона, дисперсия, определенная с помощью УФЭС с угловым разрешением      393 400
Германий (Ge), валентная зона, параметры      78
Германий (Ge), вероятность излучения      309
Германий (Ge), внутренний параметр деформации $\xi$      146
Германий (Ge), деформационные потенциалы      121
Германий (Ge), диэлектрическая функция      231 293
Германий (Ge), диэлектрическая функция, мнимая часть      241
Германий (Ge), диэлектрическая функция, энергии особенностей      242
Германий (Ge), зона проводимости, дисперсия, определенная с помощью обратной фотоэмиссии      400
1 2 3 4 5 6
blank
Реклама
blank
blank
HR
@Mail.ru
       © Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ, 2004-2021
Электронная библиотека мехмата МГУ | Valid HTML 4.01! | Valid CSS! О проекте