|
|
Авторизация |
|
|
Поиск по указателям |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ю П., Кардона М. — Основы физики полупроводников |
|
|
Предметный указатель |
16
19
линия возбуждения для РФЭС 383
19
16 18
критические точки 260 282 283
переходы 241
экситоны 260
критические точки 260 282 283
критические точки 282 283
пик 241
18
326
16 18
40
18
18
16
497
497
19
(серое олово) 96
дисперсия фононов 117
AlAs дисперсия фононов 432
AlGaAs, прямая запрещенная зона 205
AlSb, рамановские спектры 342
CdS 73 136 325
CdS дисперсия экситонов 255
CdS излучение поляритонов 322
CdS фононы 113
CdSe 73
CdTe 260
CdTe пьезоотражение 288
CdTe эффективные заряды 273
CuCl 17 322 395
CuCl d-электроны 386
CuCl спин-орбитальное расщепление в точке 78 395
CuCl эмиссия поляритонов 322
CuO 17
DX-центр 159 169 183
EL2 183
EuS 18
GeS, GeSe 390
gete 16
HgSe 96
HgTe 96
InS, InSe 390
InSb спин-орбитальное расщепление 77
InSb фундаментальный край поглощения 245
PbS 17
PbS дисперсия 244
PbS фундаментальный край поглощения 244 245
PbTe 17
SbSI 16 19
SnS 17 390
SnSe 390
ZnO 17
ZnS 136
ZnSe зонная структура 70
ZnSe самокомпенсация 169
ZnSe селективно возбужденные спектры экситонов, связанных на донорах Na и Li 329
ZnSe эффективные заряды 273
ZnTe мнимая часть диэлектрической функции 260
ZnTe самокомпенсация 169
ZnTe эффективные заряды 273
Абелевы группы 35
Автоионизованное состояние, атомные спектры 262
Адатомы 401
Адиабатическая модель с зарядами на связях 116
Адиабатическая модель, фононные дисперсионные кривые 108
Адиабатическое приближение 29 105
Адиабатическое приближение для примесных уровней 160
Азот в GaAs, GaAsP 178—183
Акустический фонон 49 108 327
Акустический фонон в 131
Акустический фонон в слоистых структурах 432
Акустический фонон, рамановское рассеяние 374
Акустический фонон, рассеяние электронов на акустических фононах 209
Акцепторный уровень в полупроводниках типа алмаза и цинковой обманки 162
Акцепторный уровень энергии связи 167
Акцепторный уровень, приближение одной сферической зоны 164
Акцепторный уровень, энергетические уровни, вычисленные с помощью гамильтониана Балдеречи — Липари 168
Акцепторы 150
Акцепторы, двойные акцепторы 150
Алмаз, дисперсионные кривые фононов 116 117
Алмаз, кристаллические структуры 32 39
Алмаз, неприводимое представление и характеры точки 63
Алмаз, неприводимое представление точки X 62
Алмаз, параметры взаимодействия в методе сильной связи 91
Алмаз, постоянные жесткости 135
Алмаз, симметрия точки L 60
Алмаз, симметрия точки X 63
Алмаз, таблицы характеров группы 60
Алмаз, фактор-группа 38
Алмаз, фононы центра зоны 50
Аморфные полупроводники 208 232
Аморфные полупроводники, аморфный Ge 272 489
Аморфные полупроводники, аморфный Si 272 490
Аморфные полупроводники, аморфный Si, приготовление 490
Аморфные полупроводники, аморфный Si, эффект легирования водородом 491
Аморфные полупроводники, ближний порядок 489
Аморфные полупроводники, несохранение волнового вектора 235
Аморфные полупроводники, оптические свойства 489
Аморфные полупроводники, плотность дефектов в запрещенной зоне 490
Аморфные полупроводники, спектры поглощения 489 490
Анализ Крамерса-Кронига 489
Анализатор электронов, замедляющая сетка 383
Анализатор электронов, цилиндрическое зеркало 383
Ангармоническое взаимодействие в двуфононном поглощении 270
Антипересечение уровней 267 301 445
Антисайт-дефект 150
Антисвязывающая орбиталь 85
Антисвязывающие состояния 74
Антистоксов рамановский сдвиг 332
Антистоксово рамановское рассеяние 332
Антиферромагнетизм 18
Аррениуса зависимости 315
Арсенид Галлия GaAs 320
Арсенид Галлия GaAs, вероятность рассеяния электронов проводимости 197
Арсенид Галлия GaAs, время релаксации электронов 196
Арсенид Галлия GaAs, гетеропереход 205
Арсенид Галлия GaAs, деформационный потенциал для валентных зон 121
Арсенид Галлия GaAs, дисперсия фононов 108 431
Арсенид Галлия GaAs, диэлектрическая функция 226 232 240 293
Арсенид Галлия GaAs, диэлектрическая функция, производные 293
Арсенид Галлия GaAs, дрейфовая скорость 208
Арсенид Галлия GaAs, зонная структура 69
Арсенид Галлия GaAs, излучательное время жизни 312
Арсенид Галлия GaAs, инфракрасное поглощение в образцах р-типа 277
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы 418
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, вероятности межподзонного рассеяния 457
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, дисперсия дырочных подзон 423 427 429
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, изображение на просвечивающем электронном микроскопе 414
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, интерфейсные моды 440 441 445
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, квантованный LO фонон 437
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, квантованный TO фонон 444
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, однородное и неоднородное уширение 448
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, отрицательное сопротивление 502
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, рамановский спектр 451—453
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, резонансное туннелирование 459
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, сложенный LA фонон 448
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, сложенный акустический фонон 447
Арсенид Галлия GaAs, квантовые ямы, спектры возбуждения фотолюминесценции 328
Арсенид Галлия GaAs, компонента электромеханического тензора 126
Арсенид Галлия GaAs, люминесценция при переходе свободного электрона на связанную дырку 314
Арсенид Галлия GaAs, междолинные деформационные потенциалы 130
Арсенид Галлия GaAs, отражение 232 283
Арсенид Галлия GaAs, параметры валентной зоны 78
Арсенид Галлия GaAs, параметры Латтинжера 84 163
Арсенид Галлия GaAs, подвижность в 2D электронном газе 206
| Арсенид Галлия GaAs, подвижность в образцах n-типа 204 205
Арсенид Галлия GaAs, постоянные жесткости 135
Арсенид Галлия GaAs, примесь азота 180
Арсенид Галлия GaAs, рамановские спектры 342
Арсенид Галлия GaAs, резонансное бриллюэновское рассеяние 369
Арсенид Галлия GaAs, рост, газофазная эпитаксия 21
Арсенид Галлия GaAs, рост, жидкофазная эпитаксия 26
Арсенид Галлия GaAs, рост, молекулярно-пучковая эпитаксия 22
Арсенид Галлия GaAs, спектр Бриллюэна 354
Арсенид Галлия GaAs, спектр отражения решетки 269
Арсенид Галлия GaAs, спектр поглощения уровня остова 377
Арсенид Галлия GaAs, спектр рентгеновской фотоэмиссии 387
Арсенид Галлия GaAs, спектры пропускания 429
Арсенид Галлия GaAs, спин-орбитальное расщепление 242
Арсенид Галлия GaAs, термоотражение 286
Арсенид Галлия GaAs, фотокатод 341
Арсенид Галлия GaAs, фотолюминесценция 321
Арсенид Галлия GaAs, фотоотражение 295
Арсенид Галлия GaAs, щель Пенна 300
Арсенид Галлия GaAs, экситон, дисперсия поляритона 370
Арсенид Галлия GaAs, экситон, излучение 322
Арсенид Галлия GaAs, экситон, спектры поглощения 259
Арсенид Галлия GaAs, экситон, энергия связи и боровский радиус 255
Арсенид Галлия GaAs, электрон-фононные взаимодействия 129
Арсенид Галлия GaAs, электроотражение 292
Арсенид Галлия GaAs, энергии акцепторных уровней 166
Арсенид Галлия GaAs, энергии зон в точке X 98-100
Арсенид Галлия GaAs, энергия и затухание оптического фонона центра зоны 296
Арсенид Галлия GaAs, энергия связи донора 158
Арсенид Галлия GaAs, эффект Ганна 212
Арсенид Галлия GaAs, эффективная масса зоны проводимости 74
Арсенид Галлия GaAs, эффективные заряды 273
Арсин 21
Асимметричная квантовая яма 419
Атом водорода 253
Атом водорода, электронные состояния 155
Атом водорода, эллиптически деформированный 159
Атомарно чистая поверхность 226
Атомные единицы 300
Атомные единицы эффективные 164
Базисные функции 41
Безызлучательные ловушки 309
Беспорядок 470
Ближний порядок 489
Блоховские осцилляции 501 502
Бозоны 307
Больцмана постоянная 225
Больцмана распределение 191
Больцмана уравнение 190
Боровский радиус экситона 255
Боровский радиус эффективный 164
Бриллюэновский тензор 357
Бриллюэновское рассеяние 222 306 331 351 352
Бриллюэновское рассеяние резонансное 353
Бриллюэновское рассеяние, правила отбора 373
Бриллюэновское рассеяние, спектры Ge, Si, GaAs 352 353
Брэгговское отражение 66
Вакансии 150
Вакансии в кристаллах типа алмаза и цинковой обманки 155
Вакансии, энергия связи 178
Вакуумный ультрафиолет 375
Валентная зона Ge, определенная УФЭС 393
Валентная зона, дисперсия в КЯ GaAs/AlGaAs, определенная с помощью горячей фотолюминесценции 430
Валентная зона, параметры A, B, C 83
Валентная зона, параметры полупроводников типа алмаза и цинковой обманки 78
Валентная зона, экстремумы 121
Валентные плазмоны 377
Валентные плазмоны в GaP 377
Валентные электроны 29 64
Вариационная техника вычислений для примесных уровней 160
Ведущий центр циклотронной орбиты 465 470
Вероятность безызлучательной рекомбинации 312
Вероятность излучения в зависимости от частоты в Ge 309
Вероятность релаксации экситонов 360
Вершина в диаграммах Фейнмана 348
Взаимодействие ван-дер-Ваальса 18 315 390
Взаимодействие конечного состояния 315
Взаимодействие начального состояния 315
Взаимодействие носителей с фононами 208
Взаимодействие электронов с LO фононами в квантовых ямах, диэлектрическая модель 454
Взаимодействие электронов с LO фононами в квантовых ямах, макроскопические модели 453
Взаимодействие электронов с LO фононами в квантовых ямах, механическая модель 454
Взаимодействие электронов с LO фононами в квантовых ямах, модель Хуана-Чжу 455
Взаимодействие электронов с акустическими фононами 29
Взаимодействие электронов с акустическими фононами для вырожденных зон 122
Взаимодействие электронов с акустическими фононами пьезоэлектрическое 125
Взаимодействия Слэтера — Костера 180
Взаимодействия электронов с оптическими фононами 127
Видеотелефония 497
Винтовая ось 37
Виртуальные переходы 245 292
Вклад энергии Маделунга в энергии связи уровня остова 397
Влияние непараболичности зоны на плазменную частоту 302
Внутренняя деформация 128 146
Внутризонное рассеяние 194
Внутризонное рассеяние на акустических фононах 193
Внутризонное рассеяние на полярных оптических фононах 197
Водородоподобный примесный центр 492
Возбуждения между валентными зонами, спин-орбитальное расщепление 277
Возможность переноса псевдопотенциала 70
Возможность переноса псевдопотенциала ab initio 71
Возможность переноса псевдопотенциала самосогласованного 71
Волновая природа электрона 497
Волновое число 225
Волновой вектор экранирования 196
Волновые векторы 31
Волновые функции почти свободных электронов в кристаллах типа цинковой обманки 50
Вольт-амперные характеристики резонансных туннельных диодов с двойными барьерами 461
Вращение Фарадея 18
Временная зависимость переходов донорно-акцепторных пар 317
Время жизни носителей 208
Время импульса 193
Время релаксации 192
Время релаксации импульса 209
Время релаксации, приближение 191 218
Время термализации 208
Время энергетической релаксации 209
Входной рамановский резонанс 355
Входной рамановский резонанс GaSe 358
Вырождение Крамереа 139
Высокотемпературные сверхпроводники 18
Высокочастотные осцилляторы 210
Выходной рамановский резонанс 355
Выходной рамановский резонанс GaSe 358
Газофазная эпитаксия 20
Газофазная эпитаксия из металло-органических соединений 19 21
Газофазный эпитаксиальный рост 296
Галенит (PbS) 16
Гамильтониан Бальдеречи — Липари 162
Гамильтониан Герринга и Фогта 124
Гамильтониан для движения ядер 105
Гамильтониан для электрона в магнитном поле 464
Гамильтониан Латтинжера 84
Гамильтониан Пикуеа — Бира 123 139
Гамильтониан пьезоэлектрического электрон-фононного взаимодействия 126
Гамильтониан электрон-излучательного взаимодействия 233 347
Гамильтониан, кубический член 167
Гармонические осцилляторы 263
Гармонические осцилляторы, диэлектрическая функция 237
Гармоническое приближение 106
Германий (Ge) сверхчистый 480
Германий (Ge), валентная зона, дисперсия, определенная с помощью УФЭС с угловым разрешением 393 400
Германий (Ge), валентная зона, параметры 78
Германий (Ge), вероятность излучения 309
Германий (Ge), внутренний параметр деформации 146
Германий (Ge), деформационные потенциалы 121
Германий (Ge), диэлектрическая функция 231 293
Германий (Ge), диэлектрическая функция, мнимая часть 241
Германий (Ge), диэлектрическая функция, энергии особенностей 242
Германий (Ge), зона проводимости, дисперсия, определенная с помощью обратной фотоэмиссии 400
|
|
|
Реклама |
|
|
|