Цель курса - дать достаточно полное представление о физических основах (принципах) работы современных полупроводниковых приборов, действие которых основано на свойствах контакта металл-полупроводник, p-n перехода, гетероперехода, структуры металл-диэлектрик полупроводник, более сложных (транзисторных) структур, включающих названные, однородных структур с междолинным переносом и некоторых других.