В данных методических указаниях рассмотрены методы расчета концентрационных профилен и электрофизических параметров полупроводниковых структур, полученных диффузией. Каждый раздел содержит физическую и математическую модели технологического процесса, задания и контрольные вопросы. Для ряда типовых задач приведены решения с соответствующим программным обеспечением, написанным на языке Паскаль и ориентированным на использование персональных компьютеров типа IBM. Методические указания предназначены для проведения аудиторных занятий и самостоятельной работы студентов физического факультета 4 и 5 курсов по специальности 014100 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы'' и студентов 6 курса, обучающихся в магистратуре по направлению "Физика" (специализация "Полупроводниковые приборы и микроэлектроника") при изучении спецкурсов "Математическое моделирование технологических процессов в микроэлектронике", "Физические основы технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем", "Физические основы микроэлектроники и наноэлектроники".