"Альфа-частота" отсечки 169
"Воздушная масса" (АМ) 390
"Горячие" точки 184
"Непустой нуль" 443
 -переключение транзистора 225
p — i — n-диоды 126
Акцепторные поверхностные состояния 396
Акцепторный уровень 25
Акцепторы 21
Амбиполярное время жизни 94 129
Балластный эмиттерный транзистор 181
Барьер Мотта 257 314
Барьер Шоттки 257
Барьер Шоттки в качестве стока и истока 72
Барьерная емкость 86
Биполярный транзистор 142 166
Биполярный транзистор, статические характеристики 143
Блоховские функции 16
Больцмановская статистика 22
Валентная зона 18
Варакторы 123
Варакторы, чувствительность 124
Варисторы 122
Вероятность туннелирования 101 132
Время включения вторичного пробоя 183
Время включения тиристора 225
Время выключения тиристора 225
Время жизни неосновных носителей 131
Время жизни носителей 60
Время пролета 356
Встроенный потенциал 42
Вторичный пробой 182 183
Выключающий тиристор 240
Выпрямитель 121
Высокочастотные характеристики транзистора 171
Высота барьера 283
Гамма-функция 40
Гексагональный МОП-транзистор 76
Генерационно-рекомбинационный шум 343
Геометрический коэффициент 37
Гетеролазеры с квантовыми ямами 324
Гетеропереход 132
Горячие электроны 143
Градиентное напряжение 89
Граничная частота полевых канальных транзисторов 357
Двухскоростной пролетный диод (ДСПД) 151 214
Дебаевская длина дрейфа 84 383
Деградация лазеров 334
Диак 243
Диод Мисавы 154
Диод Рида 152
Диод с насыщением дрейфовой скорости 367
Диод с проколом 206
Диод Шоттки 126
Диодный тиристор 221
Диоды с быстрым восстановлением 125
Диоды с накоплением заряда 126
Диффузионная емкость 101 103
Диффузионный метод 71
Диффузия носителей 63
Длина амбиполярной диффузии 130
Длинноканальный МОП-транзистор 5
Донорные поверхностные состояния 396
Донорный уровень 25
Доноры 21
Дополнительная функция ошибок 74
Дрейфовая подвижность 36 40
Дрейфовая скорость носителей 33 51
Дрейфовый транзистор 146
Дробовый шум 120
Дырка 21
Закон Фика 73
Закороченный катод в тиристоре 228
Запрещенные переходы 276
Затвор 8
Зона Бриллюэна 17 19
Зона легких дырок 18
Зона проводимости 18
Зона тяжелых дырок 18
Зонная структура идеального резкого гетероперехода 132
Зонные диаграммы МДП-структуры 419
Зонные энергетические спектры твердых тел 17
Идеальная МПД-структура 378
Идеальная МПД-структура, характеристики 385
Излучательная рекомбинация 41
Излучательные переходы 271
Изменения высоты барьера 292
Изоэлектронный центр 281
Инверсная населенность 314
Индексы Миллера 14 15
Инжекционная электролюминесценция 272
Инжекционно-пролетный диод (ИПД) 151
Инжекция неосновных носителей 280
Ионная имплантация 72
Картина дальнего поля 307
Квантовая эффективность люминесценции 276
Квантовое усиление 314
КНИ-прибор 75
Конструкции высокочастотных фотодиодов 356
Конструкции мощных МП-транзисторов для СВЧ-диапазона 362
Контактная разность потенциалов 257
Короткоканальные МОП-транзисторы 6
Короткоканальные эффекты 47 67
Коэффициент амбиполярной диффузии 94 131 219
Коэффициент диффузии 74
Коэффициент диффузии электронов 35
Коэффициент кривизны 131
Коэффициент оптического ограничения 305 309
Коэффициент отражения 284
Коэффициент умножения 365
Коэффициент усиления тока 149
Коэффициент устойчивости 172
Коэффициент Холла 40
Коэффициент шума 187
Краевое поле 438
Краевой МОМ-диод 142
Кремниевый выключатель 251
Кремниевый СВЧ-транзистор 166
Кристаллическая структура полупроводника 11 12
Крутизна канала 332
Крутизна транзистора 335
Лавинно-пролетный диод (ЛПД) 150
Лавинно-пролетный диод, шумы 186—191
Лавинное запаздывание 150 172
Лавинное умножение 106
Лавинный пробой 61
Лавинный фотодиод 363
Лавинный фотодиод, структуры 371 373
Лазерная перестройка 332
Лазерные структуры 319
Лазеры на двойных гетероструктурах (ДГ-лазеры) 302
Лазеры на основе гетероструктур 299
Лазеры с распределенной обратной связью 324
Литографические методы 71
Люминесценция 271
Люминесценция, квантовая эффективность 276
Магниторезистивный эффект 41
Максимальная диэлектрическая прочность 427
Максимальная рабочая частота тиристора 232
Максимальная частота генерации 174
Малосигнальный анализ 164
Масштабирование транзисторов 192
Масштабный фактор 67
Матрица рассеяния 171
МДОП-структуры 87
МДП-структуры 377
Междолинное рассеяние 34
Междузонное возбуждение 277
Межзонное поглощение 47
Метод вольт-амперных характеристик 292
| Метод вольт-фарадных характеристик 299
Метод проводимости 400
Метод сплавления 70
Метод энергии активации 297
Методы возбуждения электролюминесценции 277
Методы изготовления полупроводниковых приборов 70
Микроплазма 370
Многоканальный полевой транзистор 371
МНОП-структуры 87
Модель Гуммеля — Гуна 163
Модель двух областей 343
Модель с полностью насыщенной скоростью 346
Модель Эберса — Молла 161 187
МОП-структуры с двойной диффузией 70
МОП-транзистор 5
МОП-транзистор гексагональный 76
МОП-транзистор с V-канавкой 76
МОП-транзистор с заглубленным каналом 71
МОП-транзистор, линейная область работы 14 57
МОП-транзистор, неравновесные условия 8
МОП-транзистор, подпороговая область 21
МОП-транзистор, подпороговое напряжение 16
МОП-транзистор, подпороговые токи 48
МОП-транзистор, приближение главного канала 14
МОП-транзистор, прокол 58
МОП-транзистор, режим насыщения 57
МОП-транзистор, режим отсечки канала 14 61
МОП-транзистор, режим смыкания 58
МОП-транзистор, типы 29
МОП-транзистор, эффект насыщения тока 20
Мощность, эквивалентная шуму (NEP) 343
Мощные транзисторы 180
МП-транзисторы с двойной гетероструктурой 364
Напряжение включения транзистора 217
Напряжение отсечки канала 333
Напряжение плоских зон 203
Напряжение пробоя 156
Напряжение пробоя прокола 136
Напряжение пробоя тиристора 205
Напряжение смыкания 203
Напряжение Эрли 159
Нейтронное легирование 207
Непрямые переходы 275
Нестационарная диффузия носителей 63
Нормально закрытый полевой транзистор 336
Обедненный слой 260
Область безопасной работы транзистора 185
Область дрейфа 153
Обобщенное соотношение Эйнштейна 35
Обратная решетка 14
Обращенный диод 119
Однопереходные транзисторы 248 250
Оже-рекомбинация 41 153
Омический контакт 318
Оптические свойства полупроводников 47
Оптическое концентрирование излучения 434
Основные носители 33
Отрицательный температурный коэффициент 106
Отсечка канала 17 42
Пассивирующий слой 8
Первичный пробой 183
Переключающий МДП-диод 123
Переключающий транзистор 186
Переключающий транзистор, эквивалентная схема 189
Перенос в пленках изоляторов 422
Переходные процессы в p — n-переходе 117
ПЗС (прибор с зарядовой связью) 377
ПЗС со скрытым каналом 446
ПЗС, хранение заряда 429
Плавный линейный переход 88
Планарный процесс 71
Плоскостные p — n-переходы 69
Поверхностная рекомбинация 64
Поглощение излучения 299
Подвижность дырок 36
Подвижность носителей 24 33 51
Подвижность носителей, полевая зависимость 338
Полевой диод 366
Полевой слой 8
Полевой тиристор 252
Полевой транзистор 325 333 368
Полупроводниковые лазеры 295
Полупроводниковые материалы для лазеров 296—298
Пороговая энергия ударной ионизации 53
Постоянная решетки 14
Потенциальная яма 429
Правило k-отбора 275
Правило равных площадей 249
Приближение ВКБ (Вентцеля — Крамерса — Бриллюэна) 101
Приближение плавного канала 330
Приборы с плавающим затвором 73
Приборы со скрытым каналом 41
Примесное возбуждение 340
Пробой p — n-перехода 103
Проводимость 36
Проводимость канала 332 335
Проводимость пленок 425
Пролетное запаздывание 150 173
Пролетный диод с захваченным объемным зарядом лавины 216
Пролетный угол 163
Пролетный эффект 162 163
Процессы генерации-рекомбинации носителей 97
Прямые переходы 275
Работа выхода 259 262
Радиус водородоподобного примесного центра 274
Разность работ выхода 413
Рассеяние на акустических фононах 33
Рассеяние на ионизированных примесных атомах 33
Режим инверсии 380
Режим обеднения 379
Режим обратного запирания тиристора 205
Режим прямого запирания тиристора 211
Резкий переход 80
Резонатор Фабри — Перо 299
Рекомбинационные процессы 41 42
Релаксация фотовозбужденных носителей 60
Сверхрезкий переход 124
Сверхрешетки 136
Светодиоды видимого диапазона 278
Светодиоды инфракрасные 291
Светодиоды конструкции 283
Сдвиг напряжения плоских зон 413
Сдвоенный диод Шоттки 317
Сила Лоренца 38
Скин-эффект 184
Скорость поверхностной рекомбинации 64
Скрытый канал 41
Собственная температура полупроводника 25
Собственное возбуждение 339
Собственный полупроводник 21
Солнечная постоянная 390
Солнечные элементы на p — n-переходе 398
Солнечные элементы на барьерах Шоттки 423—426
Солнечные элементы на МДП-структурах 426—428
Солнечные элементы с гетеропереходами 418—419
Солнечные элементы тонкопленочные 428
Солнечные элементы, вольт-амперные характеристики 405—409
Солнечные элементы, конструкции 412—417
Солнечные элементы, спектральный отклик 399
Соотношения Больцмана 91
Спектры излучения 273
Спонтанная эмиссия 299
Сродство к электрону 259 378 см.
Стабилизаторы тока 366
Стабилитроны 122
Стимулированное излучение 299
Структура с диффузионным охранным кольцом 316
Структура со сквозным проколом 373
Структура тиристора с электродом в форме эвольвенты 231
Структуры с фаской 208
|
|
|
О проекте