Главная    Ex Libris    Книги    Журналы    Статьи    Серии    Каталог    Wanted    Загрузка    ХудЛит    Справка    Поиск по индексам    Поиск    Форум   
blank
Авторизация

       
blank
Поиск по указателям

blank
blank
blank
Красота
blank
Зи С. — Физика полупроводниковых приборов
Зи С. — Физика полупроводниковых приборов



Обсудите книгу на научном форуме



Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter


Название: Физика полупроводниковых приборов

Автор: Зи С.

Язык: ru

Рубрика: Физика/

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Год издания: 1984

Количество страниц: 454

Добавлена в каталог: 07.04.2013

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID
blank
Предметный указатель
"Альфа-частота" отсечки      169
"Воздушная масса" (АМ)      390
"Горячие" точки      184
"Непустой нуль"      443
$\frac{dV}{dt}$-переключение транзистора      225
p — i — n-диоды      126
Акцепторные поверхностные состояния      396
Акцепторный уровень      25
Акцепторы      21
Амбиполярное время жизни      94 129
Балластный эмиттерный транзистор      181
Барьер Мотта      257 314
Барьер Шоттки      257
Барьер Шоттки в качестве стока и истока      72
Барьерная емкость      86
Биполярный транзистор      142 166
Биполярный транзистор, статические характеристики      143
Блоховские функции      16
Больцмановская статистика      22
Валентная зона      18
Варакторы      123
Варакторы, чувствительность      124
Варисторы      122
Вероятность туннелирования      101 132
Время включения вторичного пробоя      183
Время включения тиристора      225
Время выключения тиристора      225
Время жизни неосновных носителей      131
Время жизни носителей      60
Время пролета      356
Встроенный потенциал      42
Вторичный пробой      182 183
Выключающий тиристор      240
Выпрямитель      121
Высокочастотные характеристики транзистора      171
Высота барьера      283
Гамма-функция      40
Гексагональный МОП-транзистор      76
Генерационно-рекомбинационный шум      343
Геометрический коэффициент      37
Гетеролазеры с квантовыми ямами      324
Гетеропереход      132
Горячие электроны      143
Градиентное напряжение      89
Граничная частота полевых канальных транзисторов      357
Двухскоростной пролетный диод (ДСПД)      151 214
Дебаевская длина дрейфа      84 383
Деградация лазеров      334
Диак      243
Диод Мисавы      154
Диод Рида      152
Диод с насыщением дрейфовой скорости      367
Диод с проколом      206
Диод Шоттки      126
Диодный тиристор      221
Диоды с быстрым восстановлением      125
Диоды с накоплением заряда      126
Диффузионная емкость      101 103
Диффузионный метод      71
Диффузия носителей      63
Длина амбиполярной диффузии      130
Длинноканальный МОП-транзистор      5
Донорные поверхностные состояния      396
Донорный уровень      25
Доноры      21
Дополнительная функция ошибок      74
Дрейфовая подвижность      36 40
Дрейфовая скорость носителей      33 51
Дрейфовый транзистор      146
Дробовый шум      120
Дырка      21
Закон Фика      73
Закороченный катод в тиристоре      228
Запрещенные переходы      276
Затвор      8
Зона Бриллюэна      17 19
Зона легких дырок      18
Зона проводимости      18
Зона тяжелых дырок      18
Зонная структура идеального резкого гетероперехода      132
Зонные диаграммы МДП-структуры      419
Зонные энергетические спектры твердых тел      17
Идеальная МПД-структура      378
Идеальная МПД-структура, характеристики      385
Излучательная рекомбинация      41
Излучательные переходы      271
Изменения высоты барьера      292
Изоэлектронный центр      281
Инверсная населенность      314
Индексы Миллера      14 15
Инжекционная электролюминесценция      272
Инжекционно-пролетный диод (ИПД)      151
Инжекция неосновных носителей      280
Ионная имплантация      72
Картина дальнего поля      307
Квантовая эффективность люминесценции      276
Квантовое усиление      314
КНИ-прибор      75
Конструкции высокочастотных фотодиодов      356
Конструкции мощных МП-транзисторов для СВЧ-диапазона      362
Контактная разность потенциалов      257
Короткоканальные МОП-транзисторы      6
Короткоканальные эффекты      47 67
Коэффициент амбиполярной диффузии      94 131 219
Коэффициент диффузии      74
Коэффициент диффузии электронов      35
Коэффициент кривизны      131
Коэффициент оптического ограничения      305 309
Коэффициент отражения      284
Коэффициент умножения      365
Коэффициент усиления тока      149
Коэффициент устойчивости      172
Коэффициент Холла      40
Коэффициент шума      187
Краевое поле      438
Краевой МОМ-диод      142
Кремниевый выключатель      251
Кремниевый СВЧ-транзистор      166
Кристаллическая структура полупроводника      11 12
Крутизна канала      332
Крутизна транзистора      335
Лавинно-пролетный диод (ЛПД)      150
Лавинно-пролетный диод, шумы      186—191
Лавинное запаздывание      150 172
Лавинное умножение      106
Лавинный пробой      61
Лавинный фотодиод      363
Лавинный фотодиод, структуры      371 373
Лазерная перестройка      332
Лазерные структуры      319
Лазеры на двойных гетероструктурах (ДГ-лазеры)      302
Лазеры на основе гетероструктур      299
Лазеры с распределенной обратной связью      324
Литографические методы      71
Люминесценция      271
Люминесценция, квантовая эффективность      276
Магниторезистивный эффект      41
Максимальная диэлектрическая прочность      427
Максимальная рабочая частота тиристора      232
Максимальная частота генерации      174
Малосигнальный анализ      164
Масштабирование транзисторов      192
Масштабный фактор      67
Матрица рассеяния      171
МДОП-структуры      87
МДП-структуры      377
Междолинное рассеяние      34
Междузонное возбуждение      277
Межзонное поглощение      47
Метод вольт-амперных характеристик      292
Метод вольт-фарадных характеристик      299
Метод проводимости      400
Метод сплавления      70
Метод энергии активации      297
Методы возбуждения электролюминесценции      277
Методы изготовления полупроводниковых приборов      70
Микроплазма      370
Многоканальный полевой транзистор      371
МНОП-структуры      87
Модель Гуммеля — Гуна      163
Модель двух областей      343
Модель с полностью насыщенной скоростью      346
Модель Эберса — Молла      161 187
МОП-структуры с двойной диффузией      70
МОП-транзистор      5
МОП-транзистор гексагональный      76
МОП-транзистор с V-канавкой      76
МОП-транзистор с заглубленным каналом      71
МОП-транзистор, линейная область работы      14 57
МОП-транзистор, неравновесные условия      8
МОП-транзистор, подпороговая область      21
МОП-транзистор, подпороговое напряжение      16
МОП-транзистор, подпороговые токи      48
МОП-транзистор, приближение главного канала      14
МОП-транзистор, прокол      58
МОП-транзистор, режим насыщения      57
МОП-транзистор, режим отсечки канала      14 61
МОП-транзистор, режим смыкания      58
МОП-транзистор, типы      29
МОП-транзистор, эффект насыщения тока      20
Мощность, эквивалентная шуму (NEP)      343
Мощные транзисторы      180
МП-транзисторы с двойной гетероструктурой      364
Напряжение включения транзистора      217
Напряжение отсечки канала      333
Напряжение плоских зон      203
Напряжение пробоя      156
Напряжение пробоя прокола      136
Напряжение пробоя тиристора      205
Напряжение смыкания      203
Напряжение Эрли      159
Нейтронное легирование      207
Непрямые переходы      275
Нестационарная диффузия носителей      63
Нормально закрытый полевой транзистор      336
Обедненный слой      260
Область безопасной работы транзистора      185
Область дрейфа      153
Обобщенное соотношение Эйнштейна      35
Обратная решетка      14
Обращенный диод      119
Однопереходные транзисторы      248 250
Оже-рекомбинация      41 153
Омический контакт      318
Оптические свойства полупроводников      47
Оптическое концентрирование излучения      434
Основные носители      33
Отрицательный температурный коэффициент      106
Отсечка канала      17 42
Пассивирующий слой      8
Первичный пробой      183
Переключающий МДП-диод      123
Переключающий транзистор      186
Переключающий транзистор, эквивалентная схема      189
Перенос в пленках изоляторов      422
Переходные процессы в p — n-переходе      117
ПЗС (прибор с зарядовой связью)      377
ПЗС со скрытым каналом      446
ПЗС, хранение заряда      429
Плавный линейный переход      88
Планарный процесс      71
Плоскостные p — n-переходы      69
Поверхностная рекомбинация      64
Поглощение излучения      299
Подвижность дырок      36
Подвижность носителей      24 33 51
Подвижность носителей, полевая зависимость      338
Полевой диод      366
Полевой слой      8
Полевой тиристор      252
Полевой транзистор      325 333 368
Полупроводниковые лазеры      295
Полупроводниковые материалы для лазеров      296—298
Пороговая энергия ударной ионизации      53
Постоянная решетки      14
Потенциальная яма      429
Правило k-отбора      275
Правило равных площадей      249
Приближение ВКБ (Вентцеля — Крамерса — Бриллюэна)      101
Приближение плавного канала      330
Приборы с плавающим затвором      73
Приборы со скрытым каналом      41
Примесное возбуждение      340
Пробой p — n-перехода      103
Проводимость      36
Проводимость канала      332 335
Проводимость пленок      425
Пролетное запаздывание      150 173
Пролетный диод с захваченным объемным зарядом лавины      216
Пролетный угол      163
Пролетный эффект      162 163
Процессы генерации-рекомбинации носителей      97
Прямые переходы      275
Работа выхода      259 262
Радиус водородоподобного примесного центра      274
Разность работ выхода      413
Рассеяние на акустических фононах      33
Рассеяние на ионизированных примесных атомах      33
Режим инверсии      380
Режим обеднения      379
Режим обратного запирания тиристора      205
Режим прямого запирания тиристора      211
Резкий переход      80
Резонатор Фабри — Перо      299
Рекомбинационные процессы      41 42
Релаксация фотовозбужденных носителей      60
Сверхрезкий переход      124
Сверхрешетки      136
Светодиоды видимого диапазона      278
Светодиоды инфракрасные      291
Светодиоды конструкции      283
Сдвиг напряжения плоских зон      413
Сдвоенный диод Шоттки      317
Сила Лоренца      38
Скин-эффект      184
Скорость поверхностной рекомбинации      64
Скрытый канал      41
Собственная температура полупроводника      25
Собственное возбуждение      339
Собственный полупроводник      21
Солнечная постоянная      390
Солнечные элементы на p — n-переходе      398
Солнечные элементы на барьерах Шоттки      423—426
Солнечные элементы на МДП-структурах      426—428
Солнечные элементы с гетеропереходами      418—419
Солнечные элементы тонкопленочные      428
Солнечные элементы, вольт-амперные характеристики      405—409
Солнечные элементы, конструкции      412—417
Солнечные элементы, спектральный отклик      399
Соотношения Больцмана      91
Спектры излучения      273
Спонтанная эмиссия      299
Сродство к электрону      259 378 см.
Стабилизаторы тока      366
Стабилитроны      122
Стимулированное излучение      299
Структура с диффузионным охранным кольцом      316
Структура со сквозным проколом      373
Структура тиристора с электродом в форме эвольвенты      231
Структуры с фаской      208
1 2
blank
Реклама
blank
blank
HR
@Mail.ru
       © Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ, 2004-2020
Электронная библиотека мехмата МГУ | Valid HTML 4.01! | Valid CSS! О проекте