Рассматривается влияние высокоэнергетического ионного облучения кристаллов на формирование скрытых треков. Релаксация сильных электронных возбуждений, которые создаются при облучении материалов быстрымиионами, является главным параметром, определяющим природу трековых областей. Обсуждаются возможные применения треков в наноэлектронике и других сферах промышленного производства