Кейси Х., Паниш М. — Лазеры на гетероструктурах (том 2) :: Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ

Главная Ex Libris Книги Журналы Статьи Серии Каталог Wanted Загрузка ХудЛит Справка Поиск по индексам Поиск Форум

Авторизация

Поиск по указателям

Кейси Х., Паниш М. — Лазеры на гетероструктурах (том 2)

Обсудите книгу на научном форуме

Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter

Название: Лазеры на гетероструктурах (том 2)

Авторы: Кейси Х., Паниш М.

Аннотация:

Лазеры на гетероструктурах — наиболее важная разновидность инжекционных лазеров, привлекающая все большее внимание специалистов благодаря перспективам их широкого применения в системах оптической связи, в вычислительной технике, голографии и других областях.
Настоящий том 2 монографий американских специалистов Кейси и Паниша посвящён практической реализации гетеролазеров, их эксплуатационным параметрам, а также используемым полупроводниковым материалам и технологии получения гетероструктур.
Для научных работников, инженеров, аспирантов, студентов соответствующих специальностей

Язык:

Рубрика: Физика/

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Год издания: 1981

Количество страниц: 362

Добавлена в каталог: 02.03.2006

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID

Предметный указатель

Безызлучательный захват электронов      341
Ближнее поле излучения ДГС-лазеров с широким контактом      224
Ближнее поле излучения полосковых лазеров      282 283
Ближнее поле излучения, однородность      323
Ближнее поле излучения, связь с изломами ватт-амперных характеристик      294—296
Боковая диффузия носителей в полосковых лазерах      250 252—257
Вектор Бюргерса      60 61
Внутренние потери в ДГС-лазерах      203—208
Внутренние потери в ОГС-лазерах      197
Внутренние потери в ОГС-лазерах с раздельным ограничением      231
Внутренний квантовый выход      197 203
Внутренняя модуляция добротности в ОГС-лазерах      199 200
Волновое уравнение      278
Волновое уравнение, решение для полоскового лазера      278—281
Волновой фронт излучения полоскового лазера      276
Вольт-амперные характеристики ДГС-лазеров с широким контактом      225—227
Вольт-амперные характеристики дифференциальные      257
Вольт-амперные характеристики дифференциальные полосковых лазеров      258—260
Время жизни неравновесных носителей      260
Время, связь с начальной задержкой излучения      261 262
Гетеролазеры на $Pb_xSn_{1-x}Te$       308
Гетеролазеры с брэгговскими зеркалами      307 308
Гетеролазеры с внешним дисперсионным резонатором      291 292
Гетеролазеры с использованием слоев переменного состава на $GaAs_ySb_{1-y}-Al_xGa_{1-x}As_ySb_{1-y}$       69 70
Гетеролазеры с использованием слоев переменного состава на $GaP_xIn_{1-x}$       71 72
Гетеролазеры с использованием слоев переменного состава на $Ga_xIn_{1-x}P-In_x,Ga_{1-x},As$       72
Гетеролазеры с полосковой геометрией p—n-перехода с раздельным ограничением асимметричные      234—238
Гетеролазеры с полосковой геометрией p—n-перехода с раздельным ограничением симметричные      231—234
Гетеролазеры с полосковой геометрией p—n-перехода с раздельным ограничением, микрофотография скола      145
Гетеролазеры с распределенной обратной связью      303—309
Гетеролазеры с распределенной обратной связью мезаполосковые      303—305
Гетеролазеры с распределенной обратной связью мезаполосковые, ватт-амперные характеристики      306
Гетеролазеры с распределенной обратной связью мезаполосковые, спектры генерации      304—305
Гетеролазеры с распределенной обратной связью мезаполосковые, температурная зависимость порогового тока      305
Гетеролазеры с распределенной обратной связью связанные с волноводом      305 306
Гетеролазеры с расширенным волноводом      229—231
Дальнее поле излучения ДГС-лазеров с широким контактом      205
Дальнее поле излучения полосковых лазеров      288—290
Дефект темных линий, образование и рост при переползании      335 336
Дефект темных линий, образование и рост при скольжении      335 336
Дефект темных линий, определение      316
Дефект темных линий, экспериментальные результаты      329—331
Дислокации в слоях переменного состава      64—67
Дислокации винтовые      60 62
Дислокации краевые      60 61
Дислокации наклонные      64 67
Дислокации несоответствия      61 64 67 68
Дислокации проникающие      64 67
Дислокации шестидесятиградусные      63
Дифференциальная квантовая эффективность ДГС-лазеров      225 324 326
Дифференциальная квантовая эффективность ДГС—РО-лазеров      237 324
Дифференциальная квантовая эффективность лазеров с расширенным волноводом      230
Дифференциальная квантовая эффективность ОГС-лазеров      199 324
Диффузионная длина носителей в GaAs      196
Диэлектрическая проницаемость бинарных соединений $A^{III}B^V$       16
Диэлектрическая проницаемость бинарных соединений $A^{IV}B^{VI}$       74
Длины волн инжекционных лазеров      10
Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), зависимость толщины слоя от времени выращивания      134
Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), концентрационное переохлаждение      135—146
Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), метод постепенного охлаждения      132 133
Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), метод резкого охлаждения      133
Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), морфология поверхности      150—155
Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), морфология, менисковые линии      154 155
Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), морфология, островковый рост      138 150 151
Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), морфология, ростовые террасы      151—153
Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), морфология, типичный вид поверхности ДГС      185
Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), определение      86 128
Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), термодинамическая нестабильность      129—131
Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), установки для выращивания вертикальная      147
Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), установки для выращивания горизонтальная      141 142 144
Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), установки для выращивания наклоняемая      141
Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), установки для выращивания с использованием эффекта Пельтье      150
Задержки излучения в ДГС-лазерах полосковой геометрии      260
Задержки излучения в ОГС-лазерах, длинные      199—201
Задержки излучения, зависимость от превышения порога      261—263
Закон Вегарда      19
Запрещенная зона (сводные данные) бинарных соединений $A^{III}B^V$       14
Запрещенная зона (сводные данные) бинарных соединений $A^{IV}B^{VI}$       74
Запрещенная зона (сводные данные) тройных твердых растворов $A^{III}B^V$       20
Изотермы ликвидуса в системе A1 — Ga — As      98 105
Источник излучения с частотным уплотнением      307
Каналы генерации в лазерах с широким контактом      224—225
Каналы генерации в полосковых лазерах      289 290
Каналы генерации. влияние на однородность излучения и предел катастрофического разрушения      323—324
Конгруэнтное плавление, определение      89
Конода      97 98
Контакты      186
Конфигурационная диаграмма      341
Концентрационное переохлаждение      135—139
Концентрационный треугольник      97—99
Концентрация неравновесных носителей, определение по J и $\tau$       261
Концентрация неравновесных носителей, пространственное распределение в полосковых лазерах      253—255 282—284
Коэффициент активности      91
Коэффициент диффузии примеси в GaAs Te      113
Коэффициент диффузии примеси в GaAs Zn      11
Коэффициент оптического ограничения, влияние на пороговую плотность тока лазеров с широким контактом      211—217
Коэффициент оптического ограничения, определение      279
Коэффициент прилипания при ЭПМ      158 164
Коэффициент распределения Te в GaAs      115 116
Коэффициент усиления на пороге      209
Коэффициент усиления, зависимость от длины волны в полосковых лазерах      274
Коэффициент усиления, зависимость от концентрации инжектированных носителей      209
Коэффициент усиления, зависимость от номинальной плотности тока      209 210
Коэффициент усиления, зависимость от приведенной пороговой плотности тока      212
Коэффициент усиления, зависимость от тока в полосковых лазерах      275 285
Коэффициент усиления, методика измерения      271 272
Коэффициент усиления, пространственное распределение в полоскозых лазерах      283 2Ы
Коэффициент усиления, экспериментальные данные      212 274 275
Коэффициент, связь с параметрами взаимодействия в бинарной системе      93
Коэффициент, связь с параметрами взаимодействия в многокомпонентной системе      102
Кривые метасолидуса в системах $A^{IV}B^{VI}$       126 127
Кристаллическая структура соединений $A^{III}B^V$       12
Кристаллическая структура соединений $A^{IV}B^{VI}$       74
Кристаллографические обозначения      12 13
Мезаполосковые лазеры      245 246
Мезаполосковые лазеры с распределенной обратной связью      303—305
Менисковые линии при ЖФЭ      154
Модуляция излучения полосковых лазеров      301—303
Моды замкнутые      187
Моды замкнутые подавление      187
Моды замкнутые, влияние на внутренний квантовый выход      203—204
Моды поперечные в направлении плоскости p — n-перехода в полосковых лазерах      289 290
Моды поперечные в направлении, перпендикулярном плоскости p — n перехода в ДГС-лазерах      204—205
Моды поперечные в направлении, перпендикулярном плоскости p — n перехода в ОГС-лазерах      199
Моды продольные в ДГС-лазерах с широким контактом      223
Моды продольные в полосковых-лазерах      290—293
Морфология поверхности при ЖФЭ      138 150—155
Морфология поверхности при ЭМП      161
Насыщение напряжения на пороге генерации      258—260
Нелинейность ватт-амперных характеристик      293—295
Нелинейность ватт-амперных характеристик. влияние на дифференциальные вольт-амперные характеристики      259 260
Неоднородное уширение      291
Область гомогенности в системах $A^{IV}B^{VI}$       124—126
Однородное уширение      291
Оптическое волокно, материальная дисперсия      6
Оптическое волокно, потери      6 221
Параметр взаимодействия в бинарных системах $A^{III}B^V$       96 97
Параметр взаимодействия тройной системы Al — Ga — As      104
Параметр взаимодействия, определение      92 93
Парциальная моляльная свободная энергия      90
Парциальная моляльная энтропия      91
Парциальное давление компонентов газовой фазы при ХОГФ      171 1—72
Парциальное давление компонентов газовой фазы при ХОГФ Ga — As      157
Парциальное давление компонентов газовой фазы при ХОГФ Pb — Te      125
Переходная спектроскопия глубоких уровней (ПСГУ), исследования деградировавших лазеров      349—351
Переходная спектроскопия глубоких уровней (ПСГУ), описание метода      338
Переходная спектроскопия глубоких уровней (ПСГУ), отжиг радиационных дефектов      340
Планарный полосковый лазер с каналом в подложке      242 243
Планарный полосковый лазер, зависимость $J_{\text{нор}}$ от ширины полоски      256
Планарный полосковый лазер, линейность ватт-амперных характеристик      294

Планарный полосковый лазер, подавление релаксационных колебаний      297
Пленарный полосковый лазер      242
Подвижность носителей в GaAs      196
Подвижность носителей в GaAs, связь с коэффициентом диффузии      195
Подпитка постоянным током для подавления релаксационных колебаний      297
Подпитка постоянным током для уменьшения начальной задержки      263
Показатель преломления бинарных соединений $A^{III}B^V$       16 17
Показатель преломления бинарных соединений $A^{IV}B^{VI}$       76
Показатель преломления комплексный (модель для полоскового лазера)      279—281
Показатель преломления, влияние свободных носителей и температуры      287 288
Полосковый лазер с изоляцией протонной p — n-переходом      247—249
Полосковый лазер с изоляцией протонной бомбардировкой      240—242
Полосковый лазер с поперечным p — n-переходом      243 244 263 264
Поляризация излучения ДГС-лазеров      223 225
Поляризация излучения ОГС-лазеров      199
Пороговая плотность тока, зависимость от состава активной области в ОГС-лазерах      191 192
Пороговая плотность тока, зависимость от состава активной области в РОС-лазерах      305
Пороговая плотность тока, зависимость от состава активной области ДГС-лазеров      222
Пороговая плотность тока, зависимость от состава активной области лазеров с раздельным ограничением      232
Пороговая плотность тока, зависимость от состава активной области ОГС-лазеров      190 193
Пороговая плотность тока, зависимость от состава активной области от температуры в ДГС-лазерах      216—218
Пороговая плотность тока, зависимость от состава активной области от толщины активной области ДГС-лазеров      203 206—208 213
Пороговая плотность тока, зависимость от толщины n-слоя в лазерах с расширенным волноводом      230
Пороговая плотность тока, зависимость от толщины P-слоя ДГС-лазеров      219
Пороговая плотность тока, зависимость от ширины полоски в лазерах по-лосковой геометрии      256 257
Пороговая плотность тока, сравнение экспериментальных и теоретических значений для ДГС-лазеров      208—216
Постепенная деградация      317 343—353
Постепенная деградация, испытания при повышенной температуре      344—346
Постепенная деградация, повреждение зеркал      351
Постепенная деградация, срок службы      346 355
Постепенная деградация, энергия активации      344
Потери на рассеяние      209 215 216
Потери на свободных носителях      209
Потери связи      209 215 218—220
Предел катастрофического разрушения, влияние коэффициента отражения зеркал      320—322
Предел катастрофического разрушения, влияние однородности излучения      323
Предел катастрофического разрушения, зависимость от дифференциальной квантовой эффективности      324
Предел катастрофического разрушения, способы определения      319
Предел катастрофического разрушения, сравнение значений для ДГС-, ОГС-и асимметричных ДГС-РО-лазеров      324
Примеси в $Al_xGa_{1-x}As$       123
Примеси в $Pb_{1-x}Sn_xTe$       126
Примеси в GaAs Ge      121
Примеси в GaAs Si      122 123
Примеси в GaAs Sn      121
Примеси в GaAs Te      113—117
Примеси в GaAs Zn      117—120
Приповерхностный объемный заряд      112 113
Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ)      65 66 330 332 338 339
Простой раствор      93
Распределение Максвелла      158
Растекание тока в полосковых лазерах      250—257
Расходимость излучения в ДГС-лазерах      225
Расходимость излучения в лазерах с раздельным ограничением      233 236 237
Расходимость излучения в ОГС-лазерах      199
Расчет состава расплавов при ЖФЭ      142—144
Реконструкция поверхности      151 161 162
Релаксационные колебания      296—298
Самопроизвольные пульсации излучения      297
Самопроизвольные пульсации излучения, возникновение при увеличении наработки прибора      352 353
Сродство к электрону      15
Сродство к электрону бинарных соединений $A^{III}B^V$       14
Стехиометрия      89
Температура плавления бинарных соединений $A^{III}B^V$       97
Тепловое сопротивление лазеров с широким контактом      269
Тепловое сопротивление полосковых лазеров      267
Тепловое сопротивление полосковых лазеров, зависимость от характерных размеров      268
Тепловое сопротивление полосковых лазеров, по ширине полоски      287
Тепловое сопротивление удельное $Al_xGa_{1-x}As$       266
Тепловое сопротивление, определение      264
Теплоемкость при постоянном давлении, связь с энтропией      91 92
Теплопроводность бинарных соединений $A^{III}B^V$       16
Теплопроводность слоев полоскового ДГС-лазера на $GaAs-Al_xGa_{1-x}As$       266
Термодинамическая нестабильность при ЖФЭ      129 130
Террасы роста при ЖФЭ      151—153
Ток утечки дырок в ОГС-лазерах      197
Ток утечки электронов в ДГС-лазерах      215— 218
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , зависимость ширины энергетических зазоров от состава $Al_xGa_{1-x}As$       21
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , зависимость ширины энергетических зазоров от состава $Al_xGa_{1-x}Sb$       23
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , зависимость ширины энергетических зазоров от состава $Al_xIn_{1-x}As$       22
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , зависимость ширины энергетических зазоров от состава $Al_xIn_{1-x}P$       20
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , зависимость ширины энергетических зазоров от состава $Al_xIn_{1-x}Sb$       25
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , зависимость ширины энергетических зазоров от состава $GaAs_xSb_{1-x}$       27 28
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , зависимость ширины энергетических зазоров от состава $GaP_xAs_{1-x}$       27
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , зависимость ширины энергетических зазоров от состава $Ga_xIn_{1-x}As$       25
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , зависимость ширины энергетических зазоров от состава $Ga_xIn_{1-x}P$       25
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , зависимость ширины энергетических зазоров от состава $Ga_xIn_{1-x}Sb$       27
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , зависимость ширины энергетических зазоров от состава $InAs_xSb_{1-x}$       30
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , зависимость ширины энергетических зазоров от состава $InP_xAs_{1-x}$       28 30
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , изопериодические с бинарными соединениями $InP-Al_{0,47}In_{0,53}As$       38 39
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , системы изопериодические с бинарными соединениями $AlSb-Ga_{0,9}In_{0,1}Sb$       31 33
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , системы изопериодические с бинарными соединениями $AlSb-InAs_{0,82}Sb_{0,18}$       33
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , системы изопериодические с бинарными соединениями $GaAs-Al_xGa_{1-x}As$       33 34
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , системы изопериодические с бинарными соединениями $GaAs-Al_{0,51}In_{0,49}P$       37
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , системы изопериодические с бинарными соединениями $GaAs-Ga_{0,51}In_{0,49}P$       34—37
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , системы изопериодические с бинарными соединениями $GaSb-AlAs_{0,08}Sb_{0,92}$       37 38
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , системы изопериодические с бинарными соединениями $GaSb-InAs_{0,91}Sb_{0,09}$       38
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , системы изопериодические с бинарными соединениями $InAs-AlAs_{0,16}Sb_{0,84}$       39
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , системы изопериодические с бинарными соединениями $InAs-GaAs_{0,08}Sb_{0,92}$       39
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , системы изопериодические с бинарными соединениями $InP-Ga_{0,47}In_{0,53}As$       38
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , системы изопериодические с бинарными соединениями, сводная таблица      32
Тройные твердые растворы соединений $A^{III}B^V$ , фазовые равновесия      96—108
Тройные твердые растворы соединений $A^{IV}B^V$ , зависимость ширины запрещенной зоны от состава и гетеролазеры на их основе $PbS_{1-x}Se_{1-x}$       80
Тройные твердые растворы соединений $A^{IV}B^V$ , зависимость ширины запрещенной зоны от состава и гетеролазеры на их основе $Pb_{1-x}Sn_xTe$       77 78
Тройные твердые растворы соединений $A^{IV}B^V$ , зависимость ширины запрещенной зоны от состава и гетеролазеры на их основе $Pb_{1-x}Sn_{1-x}Se$       78 79
Тройные твердые растворы соединений $A^{IV}B^V$ , фазовые равновесия $PbS_{1-x}Se_x$       127 128
Тройные твердые растворы соединений $A^{IV}B^V$ , фазовые равновесия $Pb_{1-x}Sn_xSe$       127
Тройные твердые растворы соединений $A^{IV}B^V$ , фазовые равновесия $Pb_{1-x}Sn_xTe$       126 127
Уравнения ликвидуса бинарных систем      93
Уравнения ликвидуса тройных систем      101 102
Фазовые диаграммы бинарных систем $A^{III}B^V$ , кривые ликвидуса Ga — As, In — P, Ga — P      95
Фазовые диаграммы бинарных систем $A^{III}B^V$ , кривые ликвидуса In — Sb, Ga — Sb, Al — Sb      98
Фазовые диаграммы бинарных систем $A^{III}B^V$ , схематическое представление      90
Фазовые диаграммы бинарных систем $A^{III}B^V$ , термодинамические соотношения      90—94
Фазовые диаграммы бинарных систем $A^{IV}B^{VI}$       125
Фазовые диаграммы тройных систем $A^{III}B^V$ , зависимость составов твердой фазы от составов жидкой фазы Al — In — P      107
Фазовые диаграммы тройных систем $A^{III}B^V$ , зависимость составов твердой фазы от составов жидкой фазы А1 — Ga — As      105
Фазовые диаграммы тройных систем $A^{III}B^V$ , изотермы ликвидуса Al — Ga — As      98 105
Фазовые диаграммы тройных систем $A^{III}B^V$ , схематическое изображение      99 129
Фазовые диаграммы тройных систем $A^{III}B^V$ , термодинамические соотношения      100—103
Фазовые диаграммы тройных систем $A^{III}B^V$ , четверных систем $A^{III}B^V$       109
Функции Эрмита — Гаусса      279
Химическая активность      91 110
Химический потенциал      90—92 100
Химическое осаждение из газовой фазы, галоидный процесс, определение      168
Химическое осаждение из газовой фазы, галоидный процесс, установка для выращивания      170
Химическое осаждение из газовой фазы, галоидный процесс, химические реакции      169 170
Химическое осаждение из газовой фазы, гидридный процесс, определение      169
Химическое осаждение из газовой фазы, гидридный процесс, установка для выращивания      173
Химическое осаждение из газовой фазы, гидридный процесс, химические реакции      171
Химическое осаждение из газовой фазы, разложение металлоорганических соединений      173 174
Четверные твердые растворы $(Al_xGa_{1-x})_yIn_{1-y}As$       57 58
Четверные твердые растворы $(Al_xGa_{1-x})_yIn_{1-y}P$       55—57
Четверные твердые растворы $(Al_xGa_{1-x})_yIn_{1-y}Sb$       58 59
Четверные твердые растворы $Al_xGa_{1-x}As_ySb{1-y}$       46—48
Четверные твердые растворы $Al_xGa_{1-x}P_yAs{1-y}$       43—46
Четверные твердые растворы $Ga_xIn_{1-x}As_ySb{1-y}$       51 52
Четверные твердые растворы $Ga_xIn_{1-x}P_yAs{1-y}$       48—51
Четверные твердые растворы $In(P_xAs_{1-x})_ySb_{1-y}$       58 59
Четверные твердые растворы, сводная таблица      40 41
Шумы излучения в полосковых лазерах      298—301
Шумы, зависимость от тока      258 300 301
Шумы, спектр      299
Эпитаксия из молекулярных пучков (ЭМП), введение примесей      162—165
Эпитаксия из молекулярных пучков (ЭМП), влияние отношения плотностей пучков Ga и As      162
Эпитаксия из молекулярных пучков (ЭМП), выращивание гетероструктур $A^{III}B^V$       156 157
Эпитаксия из молекулярных пучков (ЭМП), выращивание гетероструктур $A^{III}B^V$ , температурно-временной цикл      166
Эпитаксия из молекулярных пучков (ЭМП), выращивание гетероструктур $A^{III}B^V$ , установка      160
Эпитаксия из молекулярных пучков (ЭМП), выращивание гетероструктур $A^{II}B^{VI}$       167 168
Эпитаксия из молекулярных пучков (ЭМП), выращивание гетероструктур $A^{II}B^{VI}$ , установка      168
Эпитаксия из молекулярных пучков (ЭМП), морфология поверхности      161

1 2

О проекте