Кейси Х., Паниш М. — Лазеры на гетероструктурах (том 1 Основные принципы) :: Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ

Главная Ex Libris Книги Журналы Статьи Серии Каталог Wanted Загрузка ХудЛит Справка Поиск по индексам Поиск Форум

Авторизация

Поиск по указателям

Кейси Х., Паниш М. — Лазеры на гетероструктурах (том 1 Основные принципы)

Обсудите книгу на научном форуме

Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter

Название: Лазеры на гетероструктурах (том 1 Основные принципы)

Авторы: Кейси Х., Паниш М.

Аннотация:

Лазеры на гетероструктурах — наиболее важная разновидность инжекционных лазеров, привлекающая все большее внимание специалистов благодаря перспективам их широкого применения в системах оптической связи, в вычислительной технике, голографии и других областях.
Настоящий том 1 монографий американских специалистов Кейси и Паниша содержит обзор фундаментальных физических явлений, на которых основана работа гетеролазеров.
Для научных работников, инженеров, аспирантов, студентов соответствующих специальностей.

Язык:

Рубрика: Физика/

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Год издания: 1981

Количество страниц: 299

Добавлена в каталог: 02.03.2006

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID

Предметный указатель

$Al_xGa_{1-x}As$ , диэлектрическая проницаемость      243
$Al_xGa_{1-x}As$ , плотность состояний      233
$Al_xGa_{1-x}As$ , показатель преломления      57—60
$Al_xGa_{1-x}As$ , энергетические зазоры      222 224 225
$Al_xGa_{1-x}As$ , энергия ионизация примесей      231
$Al_xGa_{1-x}As$ , эффективная плотность состояний      235 237
$Al_xGa_{1-x}As$ , эффективные массы носителей      225
AlAs, энергетические зазоры      222 223
AlAs, эффективные массы носителей      222 223
GaAs, зонная структура      220—222
GaAs, излучательное время жизни      186 187
GaAs, коэффициент поглощения      61 62
GaAs, показатель преломления      57—59
GaAs, потери на свободных носителях      204
GaAs, энергии ионизации примесей      230
GaAs, эффективные массы носителей      222 223
k-отбора правило      133 170
n — N-гетеропереход      261-—262
n — P-гетеропереход      256 258 259
p — N-гетеропереход      246—257
p — P-гетеропереход      259—261
PpnN -структура      108—111
Андерсона модель      218 246
Блоха волны      120
Блоха функция      170
Бозе — Эйнштейна закон распределения      138
Брэгга условие      113
Бурштейна сдвиг      185
Вероятность перехода      139 140 149 150
Волновая функция      145
Волновая функция в параболической зоне      172
Волновая функция локализованного состояния      170—172
Волновод асимметричный трехслойный      84—87
Волновод асимметричный трехслойный, выражения для электрического поля      85
Волновод асимметричный трехслойный, дисперсионное уравнение      80
Волновод асимметричный трехслойный, коэффициент оптического ограничения      87
Волновод асимметричный трехслойный, распределение интенсивности      86
Волновод асимметричный трехслойный, условие отсечки      80 81
Волновод симметричный трехслойный, графическое решение дисперсионного уравнения      62—64
Волновод симметричный трехслойный, дисперсионное уравнение для TE-мод      54 55
Волновод симметричный трехслойный, дисперсионное уравнение для TM-мод      55 56
Волновод симметричный трехслойный, коэффициент оптического ограничения      67—74
Волновод симметричный трехслойный, распределение интенсивности света      70
Волновод симметричный трехслойный, решения для TE-мод      53—55
Волновод симметричный трехслойный, решения для ТМ-мод      55 56
Волновод симметричный трехслойный, условие отсечки      64
Волновод симметричный трехслойный, эффективный показатель преломления      65
Волновое уравнение для плоских волн в среде без потерь      37 38
Волновое уравнение для плоских волн в среде с потерями      41
Волновое уравнение трехмерное      48 49
Время жизни безызлучательное      188
Время жизни излучательное      185—189
Вынужденное излучение      132
Вынужденное излучение, необходимое условие      12 132 141
Вынужденное излучение, скорость      141 142 154
Вынужденное излучение, скорость, связь с коэффициентом поглощения      143
Вынужденное излучение, скорость, связь со скоростью спонтанного излучения      144
Гетеропереходы      17 23 24 218
Гетеропереходы анизотипные      218
Гетеропереходы изгиб зон      246
Гетеропереходы изотипные      218
Гетеропереходы, вольт-амперные характеристика      271—280
Гетеропереходы, вольт-емкостная зависимость      270 271
Гетеропереходы, контактная разность потенциалов      240—246
Гетеропереходы, модель Андерсона      218 246
Гетеропереходы, разрывы зон      226 227
Гетеропереходы, толщина области пространственного заряда      270
Граничные условия для электрического и магнитного полей      51 52
Граничные условия периодические      135 136
Гуса — Хэнхена сдвиг      81—83
Гюйгенса угловой фактор      94
ДГС — РО-лазеры (ДГС-лазеры с раздельным ограничением)      102—107
ДГС — РО-лазеры, дисперсионное уравнение      105
ДГС — РО-лазеры, коэффициент оптического ограничения      107
ДГС — РО-лазеры, распределение интенсивности      106
ДГС-лазеры (лазеры на двусторонней гетероструктуре)      20 26
ДГС-лазеры, картина излучения в дальней зоне      89—95
ДГС-лазеры, коэффициент оптического ограничения      67—74 88
ДГС-лазеры, коэффициент отражения на торцевых гранях      98—102
ДГС-лазеры, расходимость луча      94—98
ДГС-лазеры, сдвиг Гусэ — Хэнхена      81—83
ДГС-лазеры, энергетические зонные диаграммы      263—265
Дебая длина экранирования      159
Дипольный матричный элемент      150
Дисперсионное уравнение      54—156
Дисперсионное уравнение в модели зигзагообразных волн      78—80
Дисперсионное уравнение, графическое решение      62—65
Дифференциальная квантовая эффективность      208 210
Диффузионный ток дырок      240
Диффузионный ток электронов      240
Диэлектрическая проницаемость      36
Диэлектрическая проницаемость комплексная      42
Диэлектрическая проницаемость, связь с оптическими константами      42
Длина диффузии      188
Запрещенная зона, зависимость от концентрации      184 191
Запрещенная зона, зависимость от состава в четверных твердых растворах соединений $A^{III}B^V$       29 30
Излучение черного тела      135
Излучение черного тела, спектральная плотность      138
Картина излучения в дальней зоне      89—97
Контактная разность потенциалов      240—246
Контактная разность потенциалов n — N-гетеропереход      261
Контактная разность потенциалов n — P-гетеропереход      256
Контактная разность потенциалов p — N-гетеропереход      247
Контактная разность потенциалов p — P-гетеропереход      259
Концентрация дырок в валентной зоне      235 237 238
Концентрация носителей собственная      187 238
Концентрация электронов в зоне проводимости      233—235 284
Коэффициент активности дырок      186
Коэффициент активности электронов      186

Коэффициент диффузии      188 240
Коэффициент оптического ограничения      23 67
Коэффициент оптического ограничения двусторонней гетероструктуры асимметричной      88
Коэффициент оптического ограничения двусторонней гетероструктуры с раздельным ограничением      107
Коэффициент оптического ограничения двусторонней гетероструктуры симметричной      68 70
Коэффициент оптического ограничения односторонней гетероструктуры      88
Коэффициент оптического ограничения приближенное выражение      73
Коэффициент отражения комплексный      78
Коэффициент поглощения      43 153
Коэффициент поглощения, связь с суммарной скоростью поглощения      143
Коэффициент поглощения, связь со скоростью вынужденного излучения      143
Коэффициент поглощения, связь со скоростью спонтанного излучения      143
Коэффициент поглощения, сравнение расчетных и экспериментальных значений      177—185
Коэффициент усиления, зависимость от номинальной плотности тока      195—202
Коэффициент усиления, расчет      192 195—202
Коэффициент усиления, температурная зависимость      202 203
Кристаллические твердые растворы      28
Критический угол      21 77
Лазеры с РБО (распределенным брэгговским отражателем)      112
Лазеры с РВ (расширенным волноводом)      107—111
Лазеры с РОС (распределенной обратной связью)      111
Лазеры с РОС с раздельным ограничением      128
Лазеры с РОС, метод блоховских волн      120—121
Лазеры с РОС, периодическое изменение показателя преломления в ге-тероструктурах      122—128
Лазеры с РОС, теория связанных волн      112—120
Лазеры с РОС, теория связанных мод      121—122
Метод стационарной фазы      91
Область пространственного заряда      241 242 270
Ограничение для носители тока      280
ОГС-лазеры (лазеры на односторонней гетероструктуре)      19 20 87 88
Оператор Гамильтона      146 148
Оператор импульса      146
Отражение на границе раздела диэлектриков      75—78
Параметры излучательной рекомбинации      185—189
Плоская волна      39 40
Плотность порогового тока      16—20 208
Плотность порогового тока, расчет      211—214
Плотность состояний      136 137
Плотность состояний в валентной зоне      151
Плотность состояний в зоне проводимости      151
Плотность состояний зависимость от концентрации примесей      155 160
Плотность тока номинальная      196
Пойнтинга вектор      43 149
Показатель преломления      40
Показатель преломления комплексный      42
Показатель преломления, дисперсия      138
Показатель преломления, зависимость от концентрации носителей      45
Показатель преломления, зависимость от температуры      45
Постоянная распространения      39
Постоянная распространения комплексная      41
Постоянная связи      115 122 128
Потери в гетеролазерах за счет связи      206
Потери в гетеролазерах на рассеяние      206
Потери в гетеролазерах на свободных носителях      204—206
Примесная проводимость металлического типа      157
Пуассона уравнение      242 243
Работа выхода      226
Расходимость луча      95 96
Расходимость луча, приближенное выражение      97 98
Сила осциллятора      150
Скорость излучательной рекомбинации      186 196
Снеллиуса закон      76
Спонтанное излучение      140
Спонтанное излучение, скорость      140 163
Спонтанное излучение, скорость, связь с коэффициентом поглощения      143 144
Спонтанное излучение, скорость, связь со скоростью вынужденного излучения      144
Спонтанное излучение, спектры      181 182
Стерна матричный элемент      175—177
Суперинжекция      283
Суперлюминесценция      208—210
Твердые растворы      28—30
Теория связанных волн      112—120
Теория связанных волн, дисперсионное уравнение      117
Теория связанных волн, постоянная связи      115
Теория связанных волн, спектр излучения      119
Теория связанных волн, спектральная селективность      119
Теория связанных волн, условие Брэгга      113
Теория связанных волн, условие генерации      118
Ток утечки      285—290
Уравнение для связанных волн      112—115
Уравнение непрерывности      276
Условие генерации      192—195
Условие генерации амплитудное      194 195
Условие генерации лазера с РОС      118
Условие генерации фазовое      195
Условие электронейтральности      190 228
Фактор усиления      201
Ферми золотое правило      144 145
Ферми квазиуровни      139 189 238 274 275
Ферми уровень      226 240
Ферми — Дирака интеграл      235 236 238
Ферми — Дирака функция распределения      139
Хвосты зон      133
Хвосты зон, модель Гальперина — Лэкса      164
Хвосты зон, модель Гальперина — Лэкса в гауссовой форме      167 168
Хвосты зон, модель Кейна      161
Хвосты моды      54
Эйнштейна соотношения      139—141
Электронное сродство      226 227
Энергия ионизации примесей      230—232
Энергия ионизации примесей, зависимость от концентрации      155 157
Эффективная плотность состояний валентной зоны      237
Эффективная плотность состояний зоны проводимости      234 235
Эффективность квантовая      196
Эффективные массы      221 224
Эффективные массы в $Al_xGa_{1-x}As$       225
Эффективные массы в AlAs      223
Эффективные массы в GaAs      221—223
Эффективный показатель преломления      65

О проекте