Книга посвящена одному из перспективных направлений микроэлектроники — интегральным схемам на МДП-транзисторах. В ней рассмотрены физические основы работы и математическая модель МДП-транзистора. Приведена классификация транзисторов, использующих полевой эффект, и элементарных ключевых схем, являющихся основой логических ключевых элементов. Дан анализ работы основных типов ключевых схем и приведены формулы, связывающие параметры схем с параметрами транзисторов. Обсуждаются вопросы расчета и проектирования топологических чертежей. Описаны основные технологические процессы изготовления МДП интегральных схем и пути их дальнейшего совершенствования. Рассмотрены вопросы применения МДП-транзисторов при создании интегральных схем с высокой степенью интеграции — больших интегральных схем (БИС).
Книга рассчитана на инженеров, работающих в области радиоэлектроники и электронной техники, научных работников, интересующихся применением МДП-транзисторов, а также на студентов, специализирующихся в области радиоэлектроники, электронной техники и микроэлектроники.