Рейнгольд П. — Транзисторы.Физическме основы и свойства :: Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ

Главная Ex Libris Книги Журналы Статьи Серии Каталог Wanted Загрузка ХудЛит Справка Поиск по индексам Поиск Форум

Авторизация

Поиск по указателям

Красота

Рейнгольд П. — Транзисторы.Физическме основы и свойства

Рейнгольд П. — Транзисторы.Физическме основы и свойства

Обсудите книгу на научном форуме

Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter

Название: Транзисторы.Физическме основы и свойства

Автор: Рейнгольд П.

Аннотация:

Более подробно, чем в уже изданных книгах, рассматриваются принципы действия и параметры биполярных транзисторов, а также физика происходящих в них процессов. Большое внимание уделяется методам изготовления транзисторов. Подробно излагается пленарная технология. Рассматриваются комбинированные мощные высокочастотные транзисторы. Приводятся новые конструкции корпусов транзисторов. Нашли отражение и новые эффекты, возникающие в транзисторах, исследованием которых стали заниматься в последние годы.
Книга рассчитана на широкий круг специалистов, занимающихся исследованием, разработкой и применением транзисторов. Она также может быть полезна научным работникам, аспирантам и студентам вузов соответствующих специальностей.

Язык:

Рубрика: Физика/

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Год издания: 1973

Количество страниц: 248

Добавлена в каталог: 23.06.2012

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID

Предметный указатель

n-область объемного заряда      35
p-n переход      22 41 49—53 58 66 68 69 75 76 88 178 218 228
p-n переход несимметричный      36 49 54 57 60 61 65
p-n переход планарный      85
p-n переход симметричный      36
p-область объемного заряда      35
Амфотерный полупроводник      22
Арсенид галлия      19
Бездрейфовый транзистор      21 88 95 116 129 150 184 352
Больцмана соотношение      128
Внутреннее тепловое сопротивление      488 489
Внутренняя тепловая нестабильность      196
Вольт-амперная характеристика p-n перехода      178
Время жизни      20 43 218 429
Время жизни объемное      21 42 53 72 120
Время жизни поверхностное      72
Время жизни релаксации носителей      51
Время жизни эффективное      72 171
Время задержки      407 412
Время накопления      426
Время нарастания      407 411 412 422
Время пробега носителей      201
Время рассасывания      408
Время спада      427
Вторичный пробой      287—293
Германий      19 49
Гомогенный полупроводник      20
Граничная частота коэффициента переноса      124 125 374—376
Граничная частота крутизны      389
Граничная частота транзистора      371—373 382—388
Граничная частота транзистора тепловая      483
Динамические параметры      243
Динамические свойства транзистора      241 242
Динамические характеристики      244
Динамический коэффициент передачи тока      170
Диффузионная длина      43 57
Диффузионная емкость      54—56 59 66 120 132 141 206
Диффузионная емкость коллектора      128 129 131
Диффузионная емкость эмиттера      128 129 131 134 174 195
Диффузионная проводимость комплексная      53—55 57 65 66 120 132
Диффузионное напряжение      36 40 60
Диффузионное сопротивление      53
Диффузионный ток      38 46 47 65 150 184
Диффузионный ток переменный      52 65
Дополнительная функция ошибок      136
Дополнительная «рекомбинационная» проводимость      176
Дрейфовое поле      135 194
Дрейфовый ток      24 38 41 42 47
Дрейфовый транзистор      21 59 94 135 145 147 150 154 173 185 192 497 221 352
Емкость запирающего слоя      59
Емкость пространственного заряда      50 60 75
Закон действующих масс      19 187
Запирающее напряжение      40 63
Запирающий слой      22 35—41 45 47 49 50 58 60 65 69 73 126 153 169 198 449 469 479 485 497
Зарядная емкость      59 62 65 133 153 159 162
Зарядная емкость коллектора      133 134 138 157
Зарядная емкость эмиттера      133 134 153
Зинеровский эффект      76 78 81 87
Избыточная концентрация неосновных носителей      170
Избыточный шум      451
Импульс напряжения на эмиттере      409
Импульс тока эмиттера      409
Ионная имплантация      212
Ирли p-n-i-p транзистор      135
Ирли коэффициент      66 129 130 131 132
Ирли проводимость      65
Ирли эффект      58 126 153 255
Истощенный слой      59
Квазиравновесный процесс      20
Контактное тепловое сопротивление      491
Концентрация дырок      33
Концентрация избыточная      43
Концентрация инжекционная      44
Концентрация насыщения      44
Концентрация подвижных носителей заряда      33
Концентрация примеси      33
Концентрация примеси в базе      1622
Концентрация термодинамически равновесная      44 56
Концентрация электронов      33
Коэффициент диффузии      185 192 197
Коэффициент инжекции      49 50 190 211 215 377
Коэффициент лавинного размножении      84 199
Коэффициент ослабления      75
Коэффициент передачи тока обратный      106 145
Коэффициент передачи тока прямой      106 145
Коэффициент передачи тока статический      106 107 110 190 195
Коэффициент переноса      122—124 150 170 171 173 189 190 199 201
Коэффициент переноса обратный      125 173
Коэффициент переноса статический      107 146
Коэффициент связи по напряжению      131
Коэффициент умножения      83 84
Коэффициент умножения в запирающем слое коллектора      199
Коэффициент усиления по мощности      395 443
Коэффициент усиления по напряжению      312—315
Коэффициент усиления по току      312—315
Кремера теоретический дрейфовый транзистор      135
Лавинный пробой      81 85 87
Максвелловское время релаксации      20
Максимальная частота генерации      394—398
Максимальное поле      36
Мезо-плазма      291
Мезо-структура      232—235
Метод вплавления      212—216
Метод двойной диффузии      137
Метод диффузионный      216
Модуляция запирающего слоя      129 150 168
Модуляция сопротивления базы      163 164
Молла и Росса формула      190
Мощность потерь      297 298 469 470
Мощность предельная      274
Наведенный ток      201
Нагрузка по току предельная      275
Напряжение диффузионное      36 40
Напряжение лавинного пробоя коллектора      279—284
Напряжение насыщения транзистора      293—295
Напряжение обрыва      250
Напряжение прокола      196 197 278
Напряжение транзистора предельное      275 277
Неизотермический эффект      473 492—497
Нейтральная область      41—44 47 50 53 54 57 67 119 157 168 179 198 202
Нелинейные искажения      168
Нормировочная частота      148
Параметры режима работы транзистора      243
Параметры четырехполюсника      301 303 306
Плавающий потенциал эмиттера      247
Планарная технология      225 230
Плоскостные структуры      231
Плотность объемного заряда      33 40
Плотность тока носителей      204
Поверхностная рекомбинация      21 73 169 171 173
Поверхностное время жизни      171
Последовательное сопротивление n-области      67
Последовательное сопротивление p-области      67
Постоянная времени базы      429
Постоянная времени коллектора      379 381 428 431

Постоянная времени насыщения      433
Постоянная времени эмиттера      429
Предельная мощность потерь      274
Проводимость активная диффузионная      119
Проводимость внутренняя      131
Проводимость коллекторная      128
Проводимость коллекторного диода      130
Проводимость обратной связи      118 119 131
Проводимость поверхностная      162
Проводимость прямой передачи      121 124 131
Проводимость эмиттерного диода      132
Процесс включения транзистора      420—425
Процесс выключения транзистора      425—428
Процесс шнурования тока      288—290
Пуассона уравнение      24 33 204 205
Равновесное распределение концентраций      136 138
Размножение носителей в коллекторе      198
Распределение доноров в базе      135
Распределение концентраций неосновных носителей      129 139 140 141 183
Распределение носителей в базе      408
Распределение объемного заряда      33
Распределение плотности носителей заряда      52
Реальный дрейфовый транзистор      135
Режим активный      100 101 252
Режим большого тока      168
Режим насыщения      100 252 419
Режим отсечки      99
Резкий переход      33 34 36
Рекомбинационные потери      107 170
Рекомбинация      21
Рекомбинация объемная      21 148 169
Рекомбинация поверхностная      21 73 169—171 173 465
Семейство входных характеристик транзистора      255 263
Семейство выходных характеристик транзистора      247 260
Семейство передаточных характеристик транзистора      257 264
Семейство передаточных характеристик транзистора по напряжению      258 266
Семейство передаточных характеристик транзистора по току      257 264
Скорость насыщения предельная      200
Скорость поверхностной рекомбинации      72 170 173 191
Собственные параметры транзистора      243
Собственный коэффициент усиления коллектора      199
Сопротивление базы      155—162
Сопротивление базы индивидуальное      159
Статическая крутизна      253 254
Статические свойства транзистора      241
Статические характеристики      244 247 259 266
Статические характеристики дрейфового транзистора      139 143 146
Статический коэффициент передачи тока      106 170 172 177 435
Схема замещения реального ключа      402
Схема замещения тепловая      486—488
Схема замещения транзистора      110 114 115 121 132 157 160 296 415 416 464
Схема замещения шумовая      451 458 459
Схема замещения «внутреннего» транзистора      135
Температура запирающего слоя      469 473 485
Температурный коэффициент      268 269 271
Теория рекомбинации транзистора      21
Тепловое сопротивление контактное      491
Тепловой пробой      78
Тепловые свойства транзистора      242
Термодинамическое равновесие      41 53
Тиристорный эффект      203
Ток диффузионный      24 144
Ток дрейфовый      24 144
Ток дрейфовый электронный      202
Ток наведенный      201
Ток насыщения p-n перехода      46—49 74 104
Ток насыщения дырок      46 48 104
Ток насыщения электронов      46 104
Ток насыщения эмиттера      112 144
Ток прямой базы      111
Ток прямой коллектора      111 287
Ток прямой эмиттера      111
Транзистор бездрейфовый      21 95 116 129 150 184 352
Транзистор биполярный      22
Транзистор высокочастотный      239 240 398—400
Транзистор диффузионно-сплавной      218 220
Транзистор диффузионный      91
Транзистор дрейфовый      21 59 94 136 130 145 147 148 156 185 197 221 352 442 456
Транзистор импульсный      239 240 436
Транзистор лавинный      203
Транзистор меза      157 163 177 192 197 202 204 211 218 235 444
Транзистор микротаблеточный      239
Транзистор мощный      239 240 436
Транзистор планарный      135 157 177 198 211 218
Транзистор сплавно-диффузионный      218 223
Транзистор сплавной      91
Транзистор Шокли      91
Транзистор «внешний»      155—157 316 335 352 412
Транзистор «внутренний»      114 415 130 149 188 316 335 348 451 454
Транзистор «модельный»      155
Уравнение вольт-амперной характеристики      40 45 46 48 103 105 109 114 130 143
Уравнение диффузонное      181
Уравнение непрерывности      41 42 51 52 138 139 147 409
Уравнение переноса      45 103 136 142
Уравнение Пуассона      24
Уровень инжекции высокий      20 178 180 183 184 465
Уровень инжекции низкий      20 38 179 180 183
Условие Шокли      165 168
Фактор времени коллектора      428
Фактор поля      140 146 149 185
Флюктуационные явления      242
Формула Шокли      48
Частотные свойства транзистора      241
Частотные характеристики четырехполюсника      341
Ширина запрещенной зоны      209—211
Шокли условие      165 168
Шокли формула      48
Шумовое согласование      447
Шумы дробовые      449 454 460
Шумы тепловые      448 449 460
Шумы токовые      448
Шумы токораспределеиия      460
Эквивалентная схема замещения      50 66—68 163 179 238 303 306 353—370
Эквивалентная шумовая проводимость      446
Эквивалентное шумовое сопротивление      446
Эквидистантное семейство вольт-амперных характеристик      249
Электрический пробой      76
Электрический прокол      76 196
Элементарный транзистор      159
Эпитаксиальная технология      224
Эпитаксиальный слой      158 204—206
Эффект вытеснения базы эмиттером      206
Эффект инжекции      88 89
Эффект лавинного пробоя      203 279 280
Эффект оттеснения тока к краю эмиттера      194 195 196
Эффект прокола      279 280
Эффект размножения носителей      168 203
Эффект усиления тока в коллекторе      198 203
Эффективная площадь поверхностной рекомбинации      174
Эффективная площадь эмиттера      194
Эффективность коллектора      105 122 199 202
Эффективность эмиттера      105 107 122 162 176 189
Явления старения      242
«Внутренняя» точка базы      160
«Истинный» вторичный пробой      78
«Прокол» базы      169

Реклама

© Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ, 2004-2024

Электронная библиотека мехмата МГУ

Valid HTML 4.01!

|

Valid CSS!

О проекте