Шалимова К.В. — Физика полупроводников :: Электронная библиотека попечительского совета мехмата МГУ

Главная Ex Libris Книги Журналы Статьи Серии Каталог Wanted Загрузка ХудЛит Справка Поиск по индексам Поиск Форум

Авторизация

Поиск по указателям

Шалимова К.В. — Физика полупроводников

Обсудите книгу на научном форуме

Нашли опечатку?
Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter

Название: Физика полупроводников

Автор: Шалимова К.В.

Аннотация:

В книге рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеивания носителей зарядов, генерация и рекомбинация носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства.
Учебник полезен инженерно-техническим и научным работникам.

Язык:

Рубрика: Физика/

Статус предметного указателя: Готов указатель с номерами страниц

ed2k: ed2k stats

Издание: 2-е издание, переработанное и дополненное

Год издания: 1976

Количество страниц: 416

Добавлена в каталог: 01.06.2012

Операции: Положить на полку | Скопировать ссылку для форума | Скопировать ID

Предметный указатель

p-n переход      288
p-n переход физический      268 278
Адиабатическое приближение      31
Аккумуляция носителей заряда      262
Акустические ветви колебаний решетки      89
Акцептор, определение      25
Акцепторный полупроводник      25 134
Ангармонизм колебаний      104
Ангармонический осциллятор      105
Антизапирающий слой      277
Барьер Шоттки      304
Барьерная емкость      293
Бимолекулярное рекомбинационное свечение      371
Биолюминесценция      360
Биполярная диффузионная подвижность      265
Биполярная дрейфовая подвижность      264
Биполярная световая генерация носителей заряда      224
Биполярный коэффициент диффузии      264
Вероятность переходов      147
Вероятность поглощения фонона      232 327
Вероятность рассеяния      155
Вероятность релаксации      161
Вертикальные переходы      326
Виды рекомбинации      228
Влияние давления      338
Влияние поля магнитного      340
Влияние поля электрического      339
Влияние температуры      337
Внешний фотоэффект      405
Внешняя контактная разность потенциалов      275
Внутренний фотоэффект      383
Внутренняя контактная разность потенциалов      274
Водородоподобные центры      76
Волновое число      35 83
Волновой вектор решетки      83
Волновой вектор фонола      83
Волновой вектор электрона      35
Волновой пакет      56 57
Вольт-амперная характеристика p-n перехода      295 298
Вольт-амперная характеристика контакта металл — полупроводник      283 286 288
Время жизни дырки      230 241
Время жизни максвелловское      226
Время жизни мгновенное      226 236
Время жизни неравновесных носителей заряда      225 230 235 242
Время жизни при рассеянии на ионах примеси      176 178
Время жизни при решеточном рассеянии      176
Время жизни температурная зависимость      243
Время жизни фотона      233 327
Время жизни электрона      230 235 242
Время жизни электронно-дырочной пары      225 235 240
Время релаксации      150 167 169
Выпрямление на p-n переходе      293
Выпрямление на контакте металл — полупроводник      270
Вырожденный примесный полупроводник      120
Вырожденный собственный полупроводник      127
Гармонический осциллятор      87 93
Генерация биполярная      224
Генерация мопополярпая      226
Генерация носителей заряда      19 221
Демаркационный уровень      248
Дефекты      155 229
Дефекты линейные      156
Дефекты точечные      156
Диодная теория выпрямления      283
Дислокации      156 162
Диффузионная длина      260
Диффузионная скорость      260
Диффузионная теория выпрямления      286
Диффузионное рассеяние      312
Диффузионный ток      251
Диффузия носителей заряда      249 254 257
Диэлектрическая проницаемость      76
Диэлектрическое время релаксации      227
Длина диффузионная      260
Длина дрейфа      261
Длина затягивания      259
Длина свободного пробега носителей заряда      20 155 161 167 169
Длина свободного пробега фонона      233 327
Длина экранирования      256 270
Долины      69
Домен      213
Донорно-акцепторные пары      369
Донорно-акцепторные переходы      370
Донорный полупроводник      25 129
Доноры, определение      25
Дрейфовая длина      261
Дрейфовая скорость носителей заряда      21 28 57
Дрейфовый ток      253
Дырки      19 23 72
Дырки легкие      73
Дырки тяжелые      12
Емкость p-n перехода      293
Емкость контакта металл — полупроводник      280
Закон Ома      206 253
Закон сохранения квазипимпульса      325
Закон сохранения энергии      325
Запирающий слой      277
Зинеровскпп пробой      298
Зона Бриллюэна, первая      46 47 69
Зона валентная      22
Зона запрещенная      22
Зона примесной проводимости      140
Зона проводимости      22
Зонная структура антимонида индия      73
Зонная структура арсенида галлия      70
Зонная структура германия      70
Зонная структура кремния      70
Избыточная концентрация носителей заряда      222 258
Изгиб зон      270
Изоэнергетическике поверхности      54 63
Изоэнергетическике поверхности сферические      65
Изоэнергетическике поверхности эллипсоидальные      63 61
Импульс фотона      232
Импульс электрона      59
Инверсная населенность      377
Инверсный слой      268 364
Индукция магнитная      181
Инжекция      261 294
Интеграл столкновения      149
Ионизация примесей      13]
Катодолюминесценция      360
Квазиимпульс      45
Квазиуровень Ферми      223 281
Квантовые генераторы      378
Квантовый выход излучения      371
Квантовый выход фотоионизации      388
Кинетическая энергия решетки      86
Кинетическое уравнение Больцмана      144
Ковалентные кристаллы      18
Колебания атомов решетки      81 82
Колебания струны      79
Компоненты тензора      61 63
Контакт металл — металл      273
Контакт металл — полупроводник      276
Контакт электронного и дырочного полупроводников      288
Контактная разность потенциалов      198 274 275 276
Концентрация дырок      115 119 121
Концентрация носителей заряда      105 106 114
Концентрация носителей заряда, вырождение      122
Концентрация носителей заряда, зависимость от температуры      126 133
Концентрация электронов      114 118 121
Коэффициент диффузии      252 262
Коэффициент захвата      237
Коэффициент ионизации      237
Коэффициент отражения      323
Коэффициент Пельтье      201
Коэффициент поглощения      233 323
Коэффициент пропускания      324
Коэффициент рекомбинации      221 234
Коэффициент теплового расширения      104

Коэффициент теплопроводности      203
Коэффициент Томсона      201
Коэффициент Холла      360
Коэффициент Экстинкции      350
Лавинный пробой      298
Лазеры      378
Ловушки захвата      237 246
Ловушки захвата рекомбинационные      229 246
Люкс-амперная характеристика      392
Люминесценция      359
Люминесценция метастабнльпая      360
Люминесценция мономолекулярная      360
Люминесценция рекомбинационная      360
Люминесценция, гашение      371
Магнитная проницаемость      250
Максвелловское время релаксации      227
МДП-структура      312
Модуль Юнга      80 83
Моды колебаний      85
Наклон зон      55 218
Невырожденный примесный полупроводник      12 118
Невырожденный собственный полупроводник      124
Непрямые переходы      330
Неравновесная функция распределения      145 170
Неравновесные носители заряда      13 222
Нормальные координаты решетки      85 98
Область сильной ионизации примеси      131
Область слабой ионизации примеси      138
Обменный интеграл      38
Образование хвоста плотности состояния      143
Обращенный слой      268
Одноэлектропное приближение      32
Оператор Гамильтона      30
Оптическая накачка      378
Оптические ветви колебаний решетки      89
Переходы вертикальные      326
Переходы впутризонные      355
Переходы между хвостами зон      337
Переходы межзонные      326
Переходы непрямые      330
Переходы прямые      326
Периодический потенциал решетки      34
Плотность потока энергии      203
Плотность состояний      105 107
Плотность тока      26 250
Плотность тока дырочного      175
Плотность тока электронного      174
Поверхностная проводимость      310
Поверхностная рекомбинация      317
Поверхностные состояния      301
Поверхностные состояния быстрые      316
Поверхностные состояния медленные      316
Поверхностные уровни      301
Поверхностные явления      301
Поверхностный потенциал      303
Поглощение зкситонное      345
Поглощение примесное      325 326
Поглощение решеточное      325 357
Поглощение света      323
Поглощение свободными носителями заряда      325 349
Поглощение собственное      325
Поглощение собственное при непрямых переходах      330
Поглощение собственное при прямых переходах      325
Подвижность носителей заряда      28 175 176 178 179 189
Подвижность носителей при эффекте поля      313
Подвижность Холлова      189
Показатель поглощения      350
Показатель преломления      232 327
Показатель преломления комплексный      350
Поле Холла      183
Полупроводник      14 15 167
Полупроводник акцепторный      25
Полупроводник вырожденный      117 120
Полупроводник донорный      24
Полупроводник компенсированный      136
Полупроводник компенсированный частично      137
Полупроводник невырожденный      117 118
Полупроводник примесный      24 116
Полупроводник сильно легированный      120
Полупроводник собственный      19 22 124
Полупроводник собственный вырожденный      127
Полупроводник собственный невырожденный      124
Поляризация      352
Поляризуемость      353
Постоянная Больцмана      110
Постоянная Планка      35
Потенциальная энергия решетки      86
Правила отбора      326
Приведенная масса      327
Приведенный квазиуровень Ферми      223
Приведенный уровень Ферми      114
Примесные зоны      140
Принцип детального равновесия      221
Принцип макроскопической обратимости      148
Принцип Паули      44
Проводимость      11 173
Проводимость примесная      24 180
Процессы в p-n переходе при обратном смещении      294
Процессы в p-n переходе при прямом смещении      293
Процессы генерации      249
Процессы переноса      146 153
Процессы рассеяния      149
Работа выхода электрона      270
Работа выхода электрона из акцепторного полупроводника      273
Работа выхода электрона из собственного полупроводника      272
Работа выхода электрона из электронного полупроводника      273
Равновесная концентрация носителей заряда      121
Равновесное состояние      150
Равновесные носители заряда      13 221
Радиолюминесценция      360
Разогрев злектропно-дырочного газа      206
Рассеяние диффузионное      312
Рассеяние междолинное      211
Рассеяние на акустических фононах      354
Рассеяние на атомах примеси      161
Рассеяние на дислокациях      162
Рассеяние на ионах примеси      354
Рассеяние на оптических фононах      354
Рассеяние тепловых колебаний решетки      163
Рассеяние типы      154
Рассеяния угол      157
Резонатор мод      379
Рекомбинация безызлучательная      228
Рекомбинация донорно-акцепторных пар      369
Рекомбинация излучательная      361
Рекомбинация межзонная      229
Рекомбинация Оже      228
Рекомбинация поверхностная      229
Рекомбинация При переходах из зоны в примесь      366 367
Рекомбинация ударная      228 234
Рекомбинация фононная      228
Рекомбинация фотонная      228
Рекомбинация через ловушки      236
Рекомбинация экситонная      365
Релаксация люминесценции      370
Релаксация фотопроводимости      390
Самопоглощение      364
Сверхсвечение      381
Связь гомополяриая      18
Связь ионная      167
Связь ковалентная      18 24
Скорость генерации      249
Скорость групповая      84 90
Скорость звука      80 82 90
Скорость поверхностной рекомбинации      317
Скорость рекомбинации      250
Скорость фазовая      84 90
Скорость фонона      203
Скорость фотона      327
Слой объемного заряда p-n перехода      291

1 2

О проекте