Проблема повышения быстродействия и производительности технических средств обработки цифровой информации - одна из наиболее актуальных в современной электронике. Решение этой проблемы в основном зависит от повышения быстродействия и степени интеграции элементной базы цифровой электроники, и в частности - повышения быстродействия транзисторов. Книга посвящена рассмотрению физических принципов работы биполярных и полевых транзисторов, а также транзисторов на горячих электронах. Обсуждаются основные физические идеи изыскания новых перспективных путей для создания транзисторов, обсуждается освоение для этих целей полупроводников типа арсенида галлия, других соединений и гетероструктур на их основе. Дана сводка предельно достигнутых и достижимых параметров быстродействия транзисторов.
Книга предназначена для специалистов, работающих в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники, для разработчиков полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также аспирантов и студентов.